公开(公告)号：CN108878246B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201810444173.0

申请日：2018-05-10

申请人： 应用材料公司

发明人： T·特兰 ,  K·莱克西斯沃 ,  T·W·金 ,  D·卢博米尔斯基 ,  邬笑炜 ,  X-M·何 ,  C-H·周 ,  J·Y·孙

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 一种在制品上施加多层抗等离子体涂层的方法包括执行镀覆或ALD以在制品上形成保形的第一抗等离子体层，其中保形的第一抗等离子体层被形成在制品的表面上以及制品中的高深宽比特征的壁上。保形的第一抗等离子体涂层具有大约0％的孔隙率和大约200纳米至大约1微米的厚度。随后执行电子束离子辅助沉积(EB‑IAD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、气溶胶沉积或等离子体喷涂中的一者，以形成第二抗等离子体层，该第二抗等离子体层覆盖所述表面的一区域处的该保形的第一抗等离子体层，但不覆盖该高深宽比特征的所述壁处的所述保形的第一抗等离子体层。

公开(公告)号：CN113518835A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202080017920.8

申请日：2020-02-26

申请人： 应用材料公司

发明人： N·迪帕克 ,  S·C·赛斯 ,  P·S·古拉迪雅 ,  G·巴贾杰 ,  D·塔卡尔 ,  J·Y·孙 ,  G·纳图

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32

摘要： 本文描述的实施例提供形成非晶氟化金属膜的方法。该方法包括：将物体定位在具有处理区域的原子层沉积(ALD)腔室中；使用原子层沉积(ALD)工艺在物体上沉积含金属氧化物层；使用活化氟化工艺在含金属氧化物层上沉积金属氟层；及重复沉积含金属氧化物层和沉积含金属氧化物层，直到形成具有预定膜厚度的氟化金属膜为止。活化氟化工艺包括将氟前驱物(FP)的第一流引入处理区域。FP包括至少一种有机氟试剂或至少一种氟化气体。

公开(公告)号：CN113169042A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980080609.5

申请日：2019-12-04

申请人： 应用材料公司

发明人： 邬笑炜 ,  J·Y·孙 ,  M·R·赖斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 本公开的某些实施例关于经涂布的制品以及涂布制品的方法。在一个实施例中，一种经涂布的制品包括适于在处理腔室中使用的制品，以及形成在制品的外表面和内表面上的涂层。在一个实施例中，涂层包括含稀土金属的陶瓷，并且涂层为基本上均匀的、保形的且无孔的。

公开(公告)号：CN107611065B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201710822747.9

申请日：2011-11-07

申请人： 应用材料公司

发明人： J·Y·孙 ,  S·班达

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683

摘要： 本申请提供了适合用于连接多个半导体腔室部件的附着材料和半导体腔室部件。在一个实施例中，一种适合用于连接多个半导体腔室部件的附着材料包括：具有低于300psi的杨氏模量的附着材料，其中所述附着材料是具有大于150％的伸长率的碟形穿孔片料，并且所述附着材料布置成界定陶瓷气体分配板与金属导电基底板之间的气体通道。

公开(公告)号：CN107546136B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201710750789.6

申请日：2014-05-20

申请人： 应用材料公司

发明人： J·Y·孙 ,  B·P·卡农戈 ,  T·赵

IPC分类号： H01L21/56 ,  C23F4/00 ,  C23C4/10 ,  C23C4/134

摘要： 本发明涉及一种制品及用于制造腔室的腔室组件。一种制品包括涂覆有陶瓷涂层的主体。该陶瓷涂层可以包括：在约45摩尔％到约99摩尔％之间的范围内的Y2O3、在约0摩尔％到约55摩尔％之间的范围内的ZrO2、以及在约0摩尔％到约10摩尔％之间的范围内的Al2O3。或者，该陶瓷涂层可以包括：在约30摩尔％到约60摩尔％之间的范围内的Y2O3、在约0摩尔％到约20摩尔％之间的范围内的ZrO2、以及在约30摩尔％到约60摩尔％之间的范围内的Al2O3。

公开(公告)号：CN107578976B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201710811999.1

申请日：2014-01-16

申请人： 应用材料公司

发明人： D·卢博米尔斯基 ,  V·克尼亚齐克 ,  H·诺巴卡施 ,  J·德拉 ,  罗萨 ,  Z·J·叶 ,  J·Y·孙 ,  S·班达

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  B05B1/00 ,  B05B1/18 ,  C23C16/455

摘要： 本申请公开了具有可拆卸式气体分配板的喷淋头的实施例。在一些实施例中，一种使用于基板处理腔室的喷淋头，可包括：主体，所述主体具有第一侧与相对的第二侧；气体分配板，所述气体分配板设置成邻近于所述主体的所述第二侧；以及夹具，所述夹具围绕所述气体分配板的周围边缘设置以将所述气体分配板以可移除方式耦接至所述主体，其中所述主体通过所述夹具电耦接至所述气体分配板。

公开(公告)号：CN111233473A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010165480.2

申请日：2014-11-11

申请人： 应用材料公司

发明人： J·Y·孙 ,  B·P·卡农戈

IPC分类号： C04B35/505 ,  C04B35/622

摘要： 本申请公开了稀土氧化物基单片式腔室材料。一种固体烧结陶瓷制品可包括固溶体，所述固溶体包含：约30摩尔％至约60摩尔％的浓度的Y2O3；约20摩尔％至约60摩尔％的浓度的Er2O3；以及约0摩尔％至约30摩尔％的浓度的ZrO2、Gd2O3或SiO2的至少一者。或者，所述固体烧结陶瓷制品可包括固溶体，所述固溶体包含40-100摩尔％的Y2O3、0-50摩尔％的ZrO2以及0-40摩尔％的Al2O3。

公开(公告)号：CN111164735A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201880064341.1

申请日：2018-09-07

申请人： 应用材料公司

发明人： 邬笑炜 ,  D·芬威克 ,  J·Y·孙 ,  M·R·赖斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

摘要： 物件包含具有涂层的主体。涂层包含具有O/F摩尔比的M-O-F涂层，此可就物件接触的后续将来处理定制。

公开(公告)号：CN106133885B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201580017814.9

申请日：2015-04-23

申请人： 应用材料公司

发明人： V·菲鲁兹多尔 ,  B·P·卡农戈 ,  J·Y·孙 ,  M·J·萨里纳斯 ,  J·A·李

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/324

摘要： 诸如基座之类的制品包括热传导材料的主体，所述主体由所述主体表面上方的第一保护层与第二保护层涂覆。第一保护层是热传导陶瓷。第二保护层覆盖第一保护层，并且是可在650℃温度下抵抗破裂的耐等离子体的陶瓷薄膜。

公开(公告)号：CN110016645A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201910305677.9

申请日：2014-07-15

申请人： 应用材料公司

发明人： J·Y·孙 ,  B·P·卡农戈 ,  V·菲鲁兹多尔 ,  Y·张

IPC分类号： C23C14/22 ,  C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58

摘要： 本发明涉及用于处理腔室的腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法。制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微英寸或更小的平均表面粗糙度的抗等离子体的稀土氧化物膜。