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公开(公告)号：CN111254436B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202010090438.9
申请日：2015-04-23
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C28/04 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/22 , C23C14/30 , C23C14/34 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/67
摘要： 诸如基座之类的制品包括热传导材料的主体，所述主体由所述主体表面上方的第一保护层与第二保护层涂覆。第一保护层是热传导陶瓷。第二保护层覆盖第一保护层，并且是可在650℃温度下抵抗破裂的耐等离子体的陶瓷薄膜。
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公开(公告)号：CN111900084B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010788490.1
申请日：2014-06-19
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/3065
摘要： 本发明涉及抗等离子体腐蚀的稀土氧化物基薄膜涂层。制品包含主体和至少一个保护层，所述保护层位于所述主体的至少一个表面上。所述至少一个保护层是具有小于约20微米的厚度、并包含陶瓷的薄膜，所述陶瓷选自由以下各项组成的组：Y3Al5O12、Y4Al2O9、Er2O3、Gd2O3、Er3Al5O12、Gd3Al5O12以及含Y4Al2O9与Y2O3‑ZrO2固体溶液的陶瓷化合物。
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公开(公告)号：CN105247662B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201480030094.5
申请日：2014-06-19
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 制品包含主体和至少一个保护层，所述保护层位于所述主体的至少一个表面上。所述至少一个保护层是具有小于约20微米的厚度、并包含陶瓷的薄膜，所述陶瓷选自由以下各项组成的组：Y3Al5O12、Y4Al2O9、Er2O3、Gd2O3、Er3Al5O12、Gd3Al5O12以及含Y4Al2O9与Y2O3‑ZrO2固体溶液的陶瓷化合物。
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公开(公告)号：CN108611671A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810586194.6
申请日：2014-08-21
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： C25D11/12 , C25D5/44 , C25D11/02 , C25D11/04 , C25D11/08 , C25D11/20 , C25D17/001 , H01L21/2885 , Y10T428/26 , Y10T428/263 , Y10T428/264
摘要： 公开了用于电镀粘附的阳极化架构。为了制造用于处理腔室的腔室部件，在具有杂质的金属制品上形成第一阳极化层，所述第一阳极化层具有大于约100nm的厚度，并且在所述第一阳极化层上形成铝涂层，所述铝涂层基本上没有杂质。可在所述铝涂层上形成第二阳极化层。
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公开(公告)号：CN107964650A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711374831.5
申请日：2014-07-15
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01L21/67023 , B65D43/02 , C23C4/01 , C23C4/04 , C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , C23C4/134 , C23C4/14 , C23C4/16 , C23C14/0015 , C23C14/0021 , C23C14/0031 , C23C14/0036 , C23C14/0052 , C23C14/0084 , C23C14/0094 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/088 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32513 , H01J2237/334 , H01L21/67063 , H01L21/67069 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/139 , Y10T428/1393 , C23C14/48 , C23C14/54
摘要： 本发明涉及用于处理腔室的腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法。制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微英寸或更小的平均表面粗糙度的抗等离子体的稀土氧化物膜。
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公开(公告)号：CN107546136A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710750789.6
申请日：2014-05-20
申请人： 应用材料公司
摘要： 本发明涉及一种制品及用于制造腔室的腔室组件。一种制品包括涂覆有陶瓷涂层的主体。该陶瓷涂层可以包括：在约45摩尔％到约99摩尔％之间的范围内的Y2O3、在约0摩尔％到约55摩尔％之间的范围内的ZrO2、以及在约0摩尔％到约10摩尔％之间的范围内的Al2O3。或者，该陶瓷涂层可以包括：在约30摩尔％到约60摩尔％之间的范围内的Y2O3、在约0摩尔％到约20摩尔％之间的范围内的ZrO2、以及在约30摩尔％到约60摩尔％之间的范围内的Al2O3。
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公开(公告)号：CN105492649A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201380026001.7
申请日：2013-04-11
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： C04B35/505 , C04B35/62884 , C04B2235/3217 , C04B2235/3244 , C23C4/11 , C23C4/134 , C23C24/04 , H01J37/32082 , Y10T428/24997
摘要： 在将等离子体喷洒的含钇氧化物涂层施加到物件上的最优化方法中，选择介于约89–91千瓦(kW)之间的等离子体功率用于等离子体喷洒系统。气体以约115-130升/分的选择的气体流动速率流经该等离子体喷洒系统。以约10–30克/分的选择的粉末进料速率供给包括含钇氧化物的陶瓷粉末进入该等离子体喷洒系统。然后基于该选择的粉末、该选择的气体流动速率及该选择的粉末进料速率于该物件上形成钇占主要部分的陶瓷涂层。
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公开(公告)号：CN105074889A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480017514.6
申请日：2014-05-20
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01J37/32495 , C04B41/009 , C04B41/5045 , C04B41/87 , C23C4/11 , C23C4/134 , C23C16/4404 , Y10T428/131 , Y10T428/26 , C04B35/00 , C04B35/10 , C04B35/581 , C04B41/4527 , C04B41/5031 , C04B41/5042
摘要： 一种制品包括涂覆有陶瓷涂层的体。该陶瓷涂层可以包括：在约45摩尔％到约99摩尔％之间的范围内的Y2O3、在约0摩尔％到约55摩尔％之间的范围内的ZrO2、以及在约0摩尔％到约10摩尔％之间的范围内的Al2O3。或者，该陶瓷涂层可以包括：在约30摩尔％到约60摩尔％之间的范围内的Y2O3、在约0摩尔％到约20摩尔％之间的范围内的ZrO2、以及在约30摩尔％到约60摩尔％之间的范围内的Al2O3。
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公开(公告)号：CN105431926B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201580001477.4
申请日：2015-05-15
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/56
摘要： 为了制造用于半导体处理室的制品的涂层，提供包括Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体的制品，并且陶瓷涂层被涂覆在所述主体上，其中，所述陶瓷涂层包括Y2O3、Al2O3和ZrO2的化合物。通过一方法将陶瓷涂层施加至所述主体，所述方法包括以下步骤：提供等离子体喷涂系统，所述等离子体喷涂系统具有在约100A至约1000A之间的范围中的等离子体电流；将所述等离子体喷涂系统的喷炬支架定位在距所述主体约60mm与约250mm之间的距离；使第一气体以约30L/min与约400L/min之间的速率流过所述等离子体喷涂系统；以及对所述主体进行等离子体喷涂涂覆以形成等离子体涂层，其中，所述涂层的喷溅是非晶的并具有盘饼形状。
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公开(公告)号：CN107516645B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201710717962.2
申请日：2013-07-26
申请人： 应用材料公司
摘要： 本发明涉及针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料。为了针对一种用于半导体处理腔室的制品制造涂层，该制品包括Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体及主体上的陶瓷涂层。陶瓷涂层包括一化合物，该化合物包含自约50摩尔％至约75摩尔％范围内的Y2O3、自约10摩尔％至约30摩尔％范围内的ZrO2及自约10摩尔％至约30摩尔％范围内的Al2O3，其中每英寸节结的数目处于自约30个节结至约45个节结的范围内且孔隙率处于自约2.5％至约3.2％的范围内。
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