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公开(公告)号：CN102738344A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210110378.8
申请日：2012-04-13
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开一发光装置，其具有一第一电极；一发光叠层位于第一电极之上；一第一接触层位于发光叠层之上，其中第一接触层具有一第一接触链以及多个第一接触线与第一接触链连接；一第一导电柱位于发光叠层之中，且电连接第一电极与第一接触层；以及一保护层介于第一导电柱与发光叠层之间。
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公开(公告)号：CN1750280A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200410078593.X
申请日：2004-09-15
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 一种发光元件及其制造方法，该元件包括：一透明基材，其中该透明基材包括一上表面及下表面，该透明基材具有一由上表面向下延伸的凹槽，该凹槽的一开口部位于该透明基材的上表面侧；一置于该凹槽中的发光二极管，其中该发光二极管的一第一电极及一第二电极朝向凹槽的开口部，由发光二极管发射出的光线经由透明基材的下表面侧射出；以及一覆盖形成于该凹槽的部分开口部的保护层。可应用于覆晶式发光元件或白色发光元件。
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公开(公告)号：CN107968066B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201711391835.4
申请日：2013-07-29
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L33/62 , H01L33/00
摘要： 本发明公开一种半导体结构，其包含：基板，具有第一表面；第一半导体外延叠层，位于该第一表面上且具有相对于该第一表面的第二表面；以及粘结结构，位于该第一表面与该第一半导体外延叠层之间，与该第一半导体外延叠层以及该基板直接接触；其中，该粘结结构包含粘结层以及牺牲层，且该粘结层或该牺牲层与该第一半导体外延叠层直接相接。
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公开(公告)号：CN108963043B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201810460633.9
申请日：2018-05-15
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件，其包含一半导体叠层具一第一侧壁，一第二侧壁相对于该第一侧壁，一出光表面以及一接触表面相对于该出光表面，该第一侧壁与该第二侧壁连接该出光表面以及该接触表面；一电极具有一宽度，该电极位于该出光表面上且与该第一侧壁之间的直线距离不大于约50μm；以及一绝缘层位于该接触表面上，其中该绝缘层包含一孔隙，从半导体叠层的堆叠方向观之，该孔隙与该电极之间具有一直线距离大于该宽度。
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公开(公告)号：CN112349826A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010789981.8
申请日：2020-08-07
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种光电半导体装置，其包括一半导体叠层、一电极以及多个接触部。半导体叠层具有一第一型半导体结构、一活性结构位于第一型半导体结构上及一第二型半导体结构位于活性结构上。第一型半导体结构具有一第一凸部、一第二凸部及一凹部位于第一凸部及第二凸部之间，且半导体叠层具有一厚度。电极位于第二型半导体结构上，并具有一部分对应于第一凸部。多个接触部位于第二凸部且未位于第一凸部并与第一型半导体结构接触，电极与最接近的接触部具有一第一距离，且第一距离与厚度的比值大于5。
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公开(公告)号：CN108807623B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201810843494.8
申请日：2014-11-27
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体叠层具有一侧边、一第一表面、及一相对于第一表面的第二表面，其中半导体叠层还包含一导通孔从第一表面往第二表面延伸；一透明导电层位于第二表面上；一第一焊接部及一第二焊接部位于第一表面上，并与半导体叠层电连接；以及一绝缘层位于第一焊接部与半导体叠层之间及第二焊接部与半导体叠层之间。
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公开(公告)号：CN109119520A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810843513.7
申请日：2014-11-27
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体叠层具有一侧边、一第一表面、及一相对于第一表面的第二表面，其中半导体叠层还包含一导通孔从第一表面往第二表面延伸；一透明导电层位于第二表面上；一第一焊接部及一第二焊接部位于第一表面上，并与半导体叠层电连接；以及一绝缘层位于第一焊接部与半导体叠层之间及第二焊接部与半导体叠层之间。
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公开(公告)号：CN103681724B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201210328231.6
申请日：2012-09-06
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/15
摘要： 本发明提供一发光二极管阵列，包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道；该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层；该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间，且包括一电极绝缘层；该电极连接层包覆该第一区域；该第二发光二极管包括一半导体叠层及一第二电性焊接垫；该第二电性焊接垫位于该半导体叠层之上；该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间，且包括一电性连接结构电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管。
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公开(公告)号：CN104124329B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201410172042.3
申请日：2014-04-25
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/60
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/405
摘要： 本发明公开一种发光二极管装置，包含：一发光叠层包含一第一型半导体层，一第二型半导体层，及一活性层形在第一型半导体层与第二型半导体层间且发出一光线；以及一反射结构形成于第一型半导体层上并具有一第一界面与一第二界面；其中，光线于第一界面所产生的全反射角大于光线于第二界面所产生的全反射角；及其中，反射结构与第一型半导体层于第一界面形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN107425099A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710505692.9
申请日：2012-04-27
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 一种发光元件，包括：一发光叠层，包括：一第一电性半导体层；一活性层位于第一电性半导体层之上；以及一第二电性半导体层位于活性层之上；一导电层位于第一电性半导体层之下，具有一宽度大于第一电性半导体层的宽度，包括与第一电性半导体层重叠的一第一重叠部及未与该第一电性半导体层重叠的一第一延伸部；一透明导电层位于第二电性半导体层之上，具有一宽度大于第二电性半导体层的宽度，包括与第二电性半导体层重叠的一第二重叠部及未与第二电性半导体层重叠的一第二延伸部；一第一电极大致只与第一延伸部或第一延伸部的一部份相接；以及一第二电极大致只与第二延伸部或第二延伸部的一部份相接。本发明的发光元件具有可增加光取出的优点。
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