公开(公告)号：CN103681904A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310430246.8

申请日：2013-09-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  平贺广贵 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明的实施方式的目的是提供高效率的光电转换元件以及太阳电池。实施方式的光电转换元件具备：由I－III－VI2族化合物或I2－II－IV－VI4族化合物的p型化合物半导体层和n型化合物半导体层进行同质接合而成的光电转换层、透明电极、形成于光电转换层和透明电极之间的n型层上的平均膜厚为1nm～10nm的中间层、以及形成于中间层和透明电极之间的窗层。

公开(公告)号：CN103503160A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280022016.1

申请日：2012-04-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  中川直之 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明实施方案的光电转换元件,其特征在于,该元件具有：p型光吸收层,该p型光吸收层含有Cu、选自由Al、In及Ga构成的组中的至少1种以上的IIIb族元素、与由O、S、Se及Te构成的组中的至少1种以上的元素;以及,上述p型光吸收层上形成的n型半导体层,该n型半导体层为Zn1-yMyO1-XSX、Zn1-y-zMgzMyO(M为选自由B、Al、In及Ga构成的组中的至少1种元素)与由控制载流子浓度的GaP表示的任何一种,在上述Zn1-yMyO1-XSX及Zn1-y-zMgzMy中，x、y、z满足0.55≤x≤1.0、0.001≤y≤0.05及0.002≤y+z≤1.0的关系。

公开(公告)号：CN102209796B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200980145661.0

申请日：2009-11-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀内阳介 ,  樱田新哉

IPC: C22C19/07 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  B22F9/04 ,  C22C1/04 ,  H01F1/053 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02 ,  H02K1/27

CPC classification number: H01F1/0557 ,  C22C19/07 ,  C22C33/0292 ,  C22C2202/02 ,  C22F1/10 ,  C22F1/16 ,  H01F41/0266 ,  H02K1/02 ,  H02K1/2766

Abstract: 本发明涉及一种永磁体及其制造方法、使用永磁体的电动机和发电机，所述永磁体具有以R(Fep(TisM1-s)qCur(Co1-tAt)1-p-q-r)z(R表示从稀土类元素中选出的至少一种元素，M表示从Zr和Hf中选出的至少一种元素，A表示从Ni、V、Cr、Mn、Al、Ga、Nb、Ta和W中选出的至少一种元素，p、q、r、s、t和z分别是在原子比上满足0.3≤p≤0.6、0.01≤q≤0.1、0.01≤r≤0.15、0.2≤s≤0.8、0≤t≤0.2、6≤z≤9的数)来表示的组成，具有主要包括Th2Zn17型结晶相和CaCu5型结晶相的组织。

公开(公告)号：CN103117323A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201210595830.4

申请日：2012-11-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  平贺广贵 ,  中川直之 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种包含第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件和太阳能电池。所述第1电极包含第1化合物且具有透光性，所述第1化合物包含(Zn1-xMgx)1-yMyO和Zn1-βMβO1-αSα(M是选自B、Al、Ga以及In组成的组中的至少一种元素，0.03≤x≤0.4，0.005≤y≤0.2，0.4≤α≤0.9，0.005≤β≤0.2)中的至少任一种。所述光吸收层设置在所述第1电极和所述第2电极之间。所述光吸收层含有具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构的化合物半导体。所述光吸收层包含p型部和设置在所述p型部与所述第1电极之间、与所述p型部同质接合的n型部。

公开(公告)号：CN102484164A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201180003677.5

申请日：2011-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中川直之 ,  樱田新哉 ,  西田靖孝 ,  伊藤聪 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的是提高化合物薄膜太阳能电池的转换效率或品质寿命，并提高化合物薄膜太阳能电池的性能。化合物薄膜太阳能电池(100)的特征在于：光吸收层和缓冲层形成接合界面，与所述光吸收层形成接合界面的缓冲层是含有选自Cd、Zn、In及Ga之中的至少1种元素以及选自S、Se及Te之中的至少1种元素、且具有闪锌矿型结构、纤锌矿结构或缺陷尖晶石型结构中的任一种晶体结构的化合物，闪锌结构的缓冲层的晶格常数a或者将纤锌矿结构或缺陷尖晶石型结构转换为闪锌矿型结构时的所述缓冲层的晶格常数a为0.59nm～0.62nm。

公开(公告)号：CN101043064A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710089486.0

申请日：2007-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 首藤直树 ,  竹田博光 ,  樱田新哉

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/32

Abstract: 本发明提供一种热电转换模块，包括：第一绝缘基板；多个柱状p型和n型半导体热电变换器，它们交替排列设置在所述第一绝缘基板上；第二绝缘基板，它与所述第一绝缘基板相向设置，两者中间插入所述半导体热电变换器；第一电极，设置在所述第一绝缘基板和各个半导体热电变换器之间，和第二电极，设置在所述第二绝缘基板和各个半导体热电变换器之间，所述第一和第二电极串联电连接所述p型和n型半导体热电变换器；和玻璃薄膜，其覆盖住在所述第一绝缘基板侧的每个第一电极的外露表面和所述p型和n型半导体热电变换器从所述第一电极指向所述第二电极的部分外露表面。

公开(公告)号：CN113053605A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110313906.9

申请日：2017-08-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 萩原将也 ,  山下知大 ,  真田直幸 ,  堀内阳介 ,  樱田新哉

IPC: H01F1/053 ,  H01F1/055 ,  H02K1/02

Abstract: 本发明提高磁铁材料的饱和磁化强度。磁铁材料是以组成式：(R1‑xYx)aMbTcAd表示的磁铁材料，具有由ThMn12型晶相构成的主相。组成式的M元素的30原子％以上是Fe。

公开(公告)号：CN107204222B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201710089947.8

申请日：2017-02-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀内阳介 ,  樱田新哉 ,  木内宏彰

IPC: H01F1/053 ,  H02K1/02

CPC classification number: H01F1/053 ,  C22C1/02 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/07 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0557 ,  H01F1/0596 ,  H02K1/02 ,  H02K1/06

Abstract: 本发明在进行从低速旋转到高速旋转的可变速驱动的旋转电机中抑制输出功率的降低。本发明的永久磁铁具有以组成式：RpFeqMrCutCo100‑p‑q‑r‑t表示的组成，具有包括主相和晶界相的金属组织，所述主相具有Th2Zn17型晶相，所述晶界相设置于构成主相的晶粒之间。主相包括具有Th2Zn17型晶相的胞相、含有比胞相更高浓度的Cu的富Cu相、在包括Th2Zn17型晶相的c轴的截面内沿着与c轴交叉的方向延伸且含有比胞相更高浓度的M元素的多个富M片状相。在截面内，胞相的直径在200nm以上，且多个富M片状相的间隔在80nm以下。

公开(公告)号：CN107077936B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201480002269.1

申请日：2014-11-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀内阳介 ,  樱田新哉 ,  萩原将也 ,  小林刚史 ,  小林忠彦

IPC: H01F1/055 ,  B22F3/00 ,  C22C1/04 ,  C22C19/07 ,  C22F1/10 ,  H01F1/08

Abstract: 本发明提供高性能的永磁体。具备：以组成式：RpFeqMrCutCo100‑p‑q‑r‑t(式中，R是从稀土类元素中选出的至少一种元素，M是从由Zr、Ti和Hf所构成的组中选出的至少一种元素，p是满足10.8≤p≤12.5原子％的数，q是满足25≤q≤40原子％的数，r是满足0.88≤r≤4.3原子％的数，t是满足3.5≤t≤13.5原子％的数)来表示的组成；以及包含具有Th2Zn17型晶相的主相的金属组织。构成主相的晶粒中，具有10μm以下粒径的晶粒的比例在5％以下，且具有在与易磁化轴偏移30度以上的方向上与Th2Zn17型晶相的(001)面垂直的结晶方位的晶粒的比例在40％以下。

公开(公告)号：CN107624212A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201680012726.4

申请日：2016-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀内阳介 ,  樱田新哉

IPC: H02K1/02 ,  H02P6/15 ,  H02P6/08 ,  B60L11/18

CPC classification number: B60L50/51 ,  B60L2210/42 ,  B60L2220/16 ,  H02K1/02 ,  H02P6/18 ,  H02P23/009 ,  Y02T10/641 ,  Y02T10/642 ,  Y02T10/7005 ,  Y02T10/7241

Abstract: 实施方式所涉及的系统中，旋转电机是使用永磁体形成转子的磁极的永磁体型旋转电机。逆变器通过开关生成交流电压，作为驱动电力输出至旋转电机。控制装置检测旋转电机中的励磁分量电流，根据该检测电流推断旋转电机的转子速度，基于该推断转子速度和目标速度之差，求出旋转电机中的励磁分量电压，并根据该励磁分量电压控制逆变器的开关，使转子速度跟随目标速度。永磁体为含有铁25至40原子％的R-Co类(R是选自稀土类元素中的至少1种元素)永磁体。此外，控制装置基于永磁体原材料的、与转子速度对应的负励磁分量电流特性，增减所述励磁分量电压，进行弱磁控制。