公开(公告)号：CN108602680A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780008867.3

申请日：2017-01-27

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 立花正满 ,  多多见笃 ,  村上睦明

IPC: C01B32/205

Abstract: 提供一种石墨膜，其面积为1×1cm2以上，厚度为10nm～10μm，膜面方向的电导率为400S/cm以上，表面的算术平均粗糙度Ra相对于厚度的比率为1.0～600或为0.3以下。

公开(公告)号：CN1993498A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580026538.9

申请日：2005-08-04

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 下大迫宽司 ,  伊藤卓 ,  西中贤 ,  田中滋 ,  村上睦明

IPC: C23C18/16 ,  C09J179/08 ,  B32B15/08 ,  H05K1/03 ,  B32B27/34 ,  H05K3/46 ,  C09J7/02 ,  H01B3/30

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种镀覆用材料和溶液，其可以优选使用在印刷布线板的制造等中，当该材料表面的表面粗糙度小时，与形成在该表面上的非电解镀覆被膜的粘接性也优异，并提供使用它而形成的印刷布线板，可以解决上述课题的镀覆用材料是至少具有用于实施非电解镀覆的表面a的非电解镀覆用材料，其特征在于，表面a的表面粗糙度在截止波长为0.002mm下测定的算术平均粗糙度计为0.5μm以下，并且表面a含有具有硅氧烷结构的聚酰亚胺树脂。

公开(公告)号：CN1826288A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN03827015.3

申请日：2003-09-02

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 西川泰司 ,  村上睦明 ,  赤堀廉一

IPC: C01B31/04 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08

CPC classification number: C01B31/04 ,  C01B32/20 ,  C04B35/522 ,  C04B35/524 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C08G73/1053 ,  Y10T428/31721

Abstract: 薄膜状石墨的制造方法，其特征在于包括制造双折射为0.12或更大的聚酰亚胺薄膜的工序和在2400℃或更高的温度下对前述聚酰亚胺薄膜进行热处理的工序。

公开(公告)号：CN1726259A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200380105743.5

申请日：2003-12-12

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 田中滋 ,  伊藤卓 ,  西中贤 ,  下大迫宽司 ,  村上睦明

IPC: C08L79/08 ,  B32B27/34 ,  C23C18/22 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供了通过(1)在非热塑性聚酰亚胺薄膜的单面或两面形成了热塑性聚酰亚胺层而形成2层或3层结构，然后通过对它的单面或两面的热塑性聚酰亚胺层表面金星表面处理而得到的叠层体；(2)设置高分子薄膜和在高分子薄膜的单面或者两面设置含有特定结构的聚酰亚胺树脂和热固化成分的聚酰亚胺树脂组合物层而得到的叠层体；(3)至少一个面具有算术平均粗糙度的临界值0.002mm下测定的Ra1为0.05～1μm，并且与在临界值0.1mm下测定的Ra2的比Ra1/Ra2为0.4～1的表面形状的树脂薄膜以及含有它的叠层体，可以形成微细的布线电路，而且具有优异的粘接性的电路布线板。

公开(公告)号：CN115427351B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202180024708.9

申请日：2021-03-04

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村岛健介 ,  村上睦明

IPC: C01B32/205

Abstract: 本发明的课题在于，提供能够简便地制造表面粗糙度更小的石墨薄膜的方法。本发明涉及一种石墨薄膜的制造方法，其包括下述工序：将碳化温度为Ta的碳化框与芳香族聚酰亚胺膜或前述芳香族聚酰亚胺膜在碳化温度Tb下进行处理而得到的碳化膜一体化，在温度Td下进行碳化，接着进行石墨化，Ta>Tb并且Tb

公开(公告)号：CN109874344B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201680021888.4

申请日：2016-04-14

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  立花正满 ,  多多见笃

IPC: G21K1/14 ,  G21K1/00 ,  H05H7/08 ,  H05H13/04

Abstract: 本发明目的在于提供离子束用的电荷转换膜，所述离子束用的电荷转换膜在大强度射束使用下也不易受到损伤、放射性活化，具有高耐久性，容易控制小于10μm的膜厚。本发明为一种离子束用的电荷转换膜，其为碳成分为96原子％以上、25℃下的膜面方向的热导率为800W/mK以上的离子束用的电荷转换膜的单层体或前述离子束用的电荷转换膜的层叠体，其厚度小于10μm且为100nm以上。

公开(公告)号：CN109564789A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780048733.4

申请日：2017-07-27

Applicant: 株式会社钟化 ,  国立研究开发法人理化学研究所

Inventor： 村上睦明 ,  立花正满 ,  多多见笃 ,  长谷部裕雄

IPC: G21K1/14 ,  C01B32/182 ,  G21K1/00 ,  G21K5/08

Abstract: 本发明目的在于，提供耐热性高、无毒性、无需担心放射性活化、并且即使膜厚较薄也能使离子束多价化、且能够长期耐受高能量的射束照射的离子束电荷转换装置的电荷转换膜。一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由25℃下的膜面方向的热导率为20W/mK以上的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低于10μm。另外，一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由利用高分子烧成法制造的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低于10μm。

公开(公告)号：CN109074890A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780024720.3

申请日：2017-04-20

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  多多见笃 ,  立花正满

IPC: G21K5/08 ,  G21G4/02 ,  H05H3/06 ,  H05H6/00

Abstract: 本发明实现一种在用作加速器的靶时具备充分的耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的靶。本发明的靶(A)具备金属膜(3)及由石墨膜(4)构成的基板，石墨膜(4)在其面方向上的热导率为1600W/(m·K)以上，且其膜面方向上的热导率为其膜厚方向上的热导率的100倍以上，石墨膜(4)的厚度为1μm以上且100μm以下。

公开(公告)号：CN108780670A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780014702.7

申请日：2017-04-20

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  多多见笃 ,  立花正满

IPC: G21K3/00

Abstract: 本发明实现一种具备充分的屏蔽性、耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的束流强度转换膜。衰减器(1)由石墨膜构成，该石墨膜以其膜面与荷电粒子束(X)的束轴相交的方式配置，石墨膜的厚度为1μm以上，石墨膜在其膜面方向上的热导率是在其膜厚方向上的热导率的20倍以上。

公开(公告)号：CN105579393A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480053178.0

申请日：2014-08-07

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 多多见笃 ,  村上睦明 ,  立花正满

IPC: C01B31/04

CPC classification number: H05K1/09 ,  B32B9/007 ,  B32B9/045 ,  B32B27/20 ,  B32B27/281 ,  B32B27/34 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/206 ,  B32B2307/302 ,  B32B2457/00 ,  C01B32/20 ,  C01B2204/04 ,  C01B2204/24 ,  C01B2204/32 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0353 ,  H05K3/027 ,  H05K3/4611

Abstract: 本发明的第一方案为石墨片，其特征在于，其厚度为超过50nm且9.6μm以下，在25℃下的a-b面方向的导热系数为1950W/mK以上。另外，本发明的第二方案为石墨片，其特征在于，其厚度为20nm以上且低于9.6μm的范围，面积为9mm2以上，在25℃下的a-b面方向的载流子迁移率为8000cm2/V·秒以上。