公开(公告)号：CN101826377B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010137147.7

申请日：2010-03-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李旭琼 ,  骆颖 ,  刘心宇 ,  周昌荣 ,  陈国华

IPC: H01B1/20 ,  H01B13/00 ,  H01C7/04

Abstract: 本发明涉及负温度系数热敏电阻材料技术领域，具体涉及以铋酸钡基材料为功能相的厚膜热敏电阻浆料、其制备方法以及用该厚膜热敏电阻浆料制备的厚膜热敏电阻。所述电阻浆料由功能相和有机载体溶剂组成，功能相和有机载体溶剂的重量比为60～80∶20～40，其中功能相是化学通式为(Ba1-xAx)BiO3的化合物，式中0≤x＜0.01，A为稀土金属元素，选自Y、La、Nd、Sm、Dy和Er元素中的一种。其制备方法为：1)制备功能相；2)制备有机载体；3)制备浆料。与现有技术相比，本发明所述厚膜热敏电阻浆料具有不需加入粘结剂，可实现低温烧结厚膜电阻，电阻性能优异，制备工艺简单的优点。

公开(公告)号：CN102020320A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010617093.4

申请日：2010-12-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  黄思玉

IPC: C01G51/00

Abstract: 本发明为一种二硫化钴的合成方法，步骤如下：取一定量的金属钴粉置于一个一端封闭、中部弯曲的石英管中；在石英管另一端装入一个事先压紧硫磺粉末的且一端封闭的小石英管，所述硫磺用量为理论用量的1-1.5倍；将上述石英管高温真空封闭，然后将该石英管置于管式扩散炉中，金属钴粉端在450~700℃，硫磺端在200~440℃条件下热处理5~50小时；冷却至室温后粉碎至200目，得钴硫化合物粗制品；将初步所得到的钴硫化物粗制品，置于一根新的一端封闭、中部弯曲的石英管中，重复上述步骤,冷却至室温，即得到二硫化钴。经过二次硫化处理得到的二硫化钴纯度大于99%。本发明方法相对于现有技术更安全、环保、快速，并可以较大量并安全地制备二硫化钴，降低生产成本。

公开(公告)号：CN100575302C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200710050304.9

申请日：2007-10-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  刘心宇

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/475 ,  H01L41/16

Abstract: 本发明公开了一种三元系钛酸铋钠基无铅压电陶瓷材料，所公开的无铅压陶瓷成分用通式(1-x-y)(Bi1/2Na1/2)TiO3-x(Bi1/2K1/2)TiO3-yBi(Me)O3和(1-x-y)(Bi1/2Na1/2)TiO3-x(Bi1/2K1/2)TiO3-yBi(Me)O3+zMaOb来表示，式中x、y和z表示摩尔分数，其中0≤x≤1.0，0≤y≤0.2，0≤z≤0.1，Me为三价金属元素，MaOb为一种或多种氧化物，其中M为+1～+6价且能与氧形成固态氧化物的元素。本发明无铅压电陶瓷，陶瓷致密度高，性能优良，其压电常数d33可达180pC/N以上，Kp可达0.36以上。该体系无铅压电陶瓷采用传统电子陶瓷制备工艺制备，烧结温度低，制备工艺简单、稳定，适宜产业化生产。

公开(公告)号：CN101280414A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810073409.0

申请日：2008-01-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  刘心宇

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01B5/14 ,  G02B1/10

Abstract: 本发明公开了一种ZnO:Bi光电薄膜及其制备方法，它以分析纯Bi2O3粉末作为掺杂原料，纯度为99.95％的纳米氧化锌为主体材料组成，Bi2O3的掺入量为总重量的1－5％，配料经360－720分钟球磨混合、在30－60MPa的压强下压制3－15分钟成型，在空气中1200－1400℃下常压、保温烧结60－360分钟，制备得ZnO:Bi陶瓷靶材，在本底真空度为8.0×10－5Pa、充纯氩后的气体压强为1－3Pa的条件下，经射频磁控溅射制膜，再在真空度≤0.1Pa的真空环境中退火热处理制成，表达式为ZnO:Bi，各组分原料用量重量比为ZnO 95－99％，Bi2O31－5％。这种光电薄膜具有良好的光电性能，电阻率达9.0×10－4Ω·cm，可见光透过率达85％以上，在波长小于370nm的紫外波段透过率表现为截止状态，具有良好的紫外隐身效果，同时所采用的原料纯度低，且工艺简单、成本较低。

公开(公告)号：CN101200369A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710049650.5

申请日：2007-07-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  刘心宇

IPC: C04B35/462 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明公开了钛铌锌酸铋钠系无铅压电陶瓷材料及其制备方法，它是在ABO3型钙钛矿结构的(Na1/2Bi1/2)TiO3中B位离子Ti4+被复合离子(Zn1/3Nb2/3)4+部分取代和A位离子(Na1/2Bi1/2)2+部分被Ba2+取代构成无铅压电陶瓷，可以用通式(Na1/2Bi1/2)Ti1－x(Zn1/3Nb2/3)xO3+zMaOb和(Na1/2Bi1/2)1－yBayTi1－x(Zn1/3Nb2/3)xO3+zMaOb来表示，其中MaOb为一种或多种氧化物。该体系压电陶瓷采用两步合成法，经烧结得到。本发明无铅压电陶瓷，陶瓷致密度高，性能优良，其压电常数d33可达150pC/N以上，Kt可达0.50以上，Kp在0.20以下，具有较强的各向异性，且制备工艺简单、稳定，适宜产业化生产。

公开(公告)号：CN106631016B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201611181176.7

申请日：2016-12-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  严亚飞 ,  郝崇琰 ,  李林 ,  饶光辉 ,  顾正飞 ,  成钢 ,  刘心宇

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠体系纳米线以Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Nb2O5、Bi2O3为原料，按照化学式99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3进行配料。其制备方法包括：（1）所有原料在称量配料前均置于烘箱中烘干；（2）准确称量后，以无水乙醇为介质球磨；（3）将球磨后产物取出，烘干，预烧；（4）以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯固相烧结，在烧结体中获得铌酸钾钠体系纳米线。本发明的优点是可采用传统陶固相烧结法获得铌酸钾钠基纳米线。

公开(公告)号：CN106521627A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610989699.8

申请日：2016-11-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  宋嘉庚 ,  郝崇琰 ,  严亚飞 ,  饶光辉 ,  成钢 ,  顾正飞 ,  刘心宇

IPC: C30B29/30 ,  C30B1/10

CPC classification number: C30B29/30 ,  C30B1/10

Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶，以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为：xCaZrO3-(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3-0.4LiBiO3)，式中x表示体系中摩尔含量，其中0﹤x≤0.005。其制备方法包括：（1）所用原料均置于烘箱中烘干；2）按化学式称量原料，球磨（；3）将产物烘干，预烧；（4）再以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得单晶。本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能，其压电常数d33最高达到488 pC/N。

公开(公告)号：CN103736810B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201310730794.2

申请日：2013-12-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘建伟 ,  杨连发 ,  刘心宇 ,  梁惠萍 ,  王宁华 ,  吴春蕾 ,  胡竹林

IPC: B21D26/033 ,  B21D26/047 ,  B21D26/041

Abstract: 本发明为金属薄壁管冲击液压胀形装置及其使用方法，供液螺栓两端的中心盲孔底端经径向孔与外壁连通。供液螺栓穿过金属薄壁管、两端均伸出，密封塞套于供液螺栓两端塞入金属薄壁管管口。定位盖中心阶梯孔的大孔套在金属薄壁管管口，供液螺栓从小孔伸出，螺母旋入供液螺栓两端，定位盖挤压密封塞贴合金属薄壁管和供液螺栓。供液螺栓一端经控制阀接L形管，另一端经另一控制阀密封连接液体容器。模架的上下模板各固定上下模具，金属薄壁管置于上下模具之间。使用方法为左右控制阀打开，液体容器中灌注、使金属薄壁管内充满液体，关闭控制阀，压力机冲压头下行，上下模具闭合，实现液压胀形。本发明简便易行，效率高；结构简单，成本低。

公开(公告)号：CN104164586A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410434116.6

申请日：2014-08-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  蔡定云 ,  袁昌来 ,  王炜 ,  高攀 ,  石康

IPC: C22C5/06 ,  C22C1/05 ,  C22C32/00 ,  H01H1/0237

Abstract: 本发明公开了一种银基导电陶瓷电触头材料及其制备方法，其成分（质量分数）为：Ag80%~90%,BaSn1-xsbxO36%~20%,添加物0.1%~2.0%。制备方法：先将一定比例的合金粉末混粉，在合金粉末经过高能球磨，然后冷等静压成型、二步烧结，复压、二步烧结得到成品。经高能球磨后，陶瓷颗粒均匀的弥散分布在Ag基体中，同时产生大量的组织缺陷，增加了粉末的活性，使其在烧结阶段致密化。由此法获得的电触头材料具有导电、导热性好、耐电蚀性能强、抗熔焊性能强及电导率高等特点。

公开(公告)号：CN101913868B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010247474.8

申请日：2010-08-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  邓满姣 ,  刘心宇 ,  陈国华 ,  徐华蕊 ,  刘超英

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明的目的是提供一种铌酸钾钠织构陶瓷与铌酸钾钠单晶的制备方法，它以K0.5Na0.5NbO3为主体材料，LiBiO3或BiNiO3作为掺杂原料组成；以无水乙醇为介质湿磨，烘干后合成瓷料；瓷料经二次球磨，烘干后加粘结剂造粒，在110MPa的压力下压制成素坯试样，将素坯试样水平放置于高温电炉中烧结，烧结后，随炉冷却至室温，即制得KNN基陶瓷，控制烧结温度和烧结时间，还可获得尺寸达到2mm以上的单晶。采用传统的陶瓷制备工艺，在常规条件制备出具有良好择优取向的KNN陶瓷，如果控制烧结温度和时间还可以获得尺寸达到2mm以上的单晶。