公开(公告)号：CN106249270B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201610798761.5

申请日：2016-08-31

申请人： 同方威视技术股份有限公司

发明人： 张岚 ,  杜迎帅 ,  李波 ,  吴宗桂 ,  李军 ,  曹雪朋 ,  胡海帆 ,  顾建平 ,  徐光明 ,  刘必成

IPC分类号： G01T1/00

摘要： 公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面；设置于第一侧面上的阴极；以及设置于第二侧面上的阳极，其中，阳极包括限定半导体探测器的探测像素的像素阳极阵列以及设置于相邻的像素阳极之间的中间阳极。根据本公开的实施例，可以实现信号修正，提高探测器的能量分辨率和信噪比。

公开(公告)号：CN106847958B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201611143007.4

申请日：2016-12-07

申请人： 同方威视技术股份有限公司

发明人： 张岚 ,  胡海帆 ,  曹雪朋 ,  李军

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/109

摘要： 公开了光电二极管器件及光电二极管探测器。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：第一类型轻掺杂的半导体基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；设于半导体基板的第一表面上的第一类型重掺杂的第一电极区域；以及设于半导体基板的第二表面上的第二类型重掺杂的第二电极区域，其中，第一表面为光入射面。

公开(公告)号：CN105448945A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201511010038.8

申请日：2015-12-29

申请人： 同方威视技术股份有限公司

发明人： 张岚 ,  李元景 ,  刘以农 ,  胡海帆 ,  李军

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 公开了一种同面电极光电二极管阵列及其制作方法。在低电阻率衬底，高电阻率外延类型的外延硅片的顶侧，形成第一导电类型重掺杂区域和第二导电类型掺杂区域，分别为光电二极管的阴极和阳极。该结构包括在阳极和阴极之间形成的沟槽结构，该沟槽结构可由空隙、绝缘材料、传导结构、反射材料和离子注入构成；也可以包括在阳极和阴极下方形成第一导电类型重掺杂区域、绝缘隔离层或带绝缘层的传导结构等。

公开(公告)号：CN203204163U

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201320218487.1

申请日：2013-04-26

申请人： 清华大学 ,  同方威视技术股份有限公司

发明人： 李元景 ,  张岚 ,  李玉兰 ,  刘以农 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  邓智 ,  薛涛 ,  张韡 ,  李军

IPC分类号： G01T1/36

摘要： 本实用新型提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。

公开(公告)号：CN203071113U

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201320055928.0

申请日：2013-01-31

申请人： 同方威视技术股份有限公司 ,  清华大学

发明人： 张岚 ,  李玉兰 ,  李元景 ,  刘以农 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  张韡 ,  刘延青 ,  李军

IPC分类号： H01L31/115 ,  H01L31/0224

摘要： 公开了一种辐射探测器，该辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。

公开(公告)号：CN203037860U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201320005909.7

申请日：2013-01-07

申请人： 同方威视技术股份有限公司 ,  清华大学

发明人： 李玉兰 ,  张岚 ,  李元景 ,  刘以农 ,  牛莉博 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  张韡 ,  刘延青 ,  李军

IPC分类号： G01T1/36

摘要： 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。

公开(公告)号：CN206387912U

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201621033858.9

申请日：2016-08-31

申请人： 同方威视技术股份有限公司

发明人： 张岚 ,  杜迎帅 ,  李波 ,  吴宗桂 ,  李军 ,  曹雪朋 ,  胡海帆 ,  顾建平 ,  徐光明 ,  刘必成

IPC分类号： G01T1/00

摘要： 本实用新型提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括：探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极；场增强电极，用于向探测器晶体施加电压；绝缘材料，设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。所述半导体探测器还包括场增强电极电路板，所述增强电极电路板具有与探测器晶体表面接触的底部连接层和与所述底部连接层相对的顶层，其中所述顶层连接半导体探测器的高压输入，所述底部连接层与所述探测器晶体的探测器表面之间存在绝缘材料。本实用新型能够进一步提高场增强线电极探测器的能量分辨率，减少暗电流的影响。

公开(公告)号：CN206147105U

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201621033789.1

申请日：2016-08-31

申请人： 同方威视技术股份有限公司

发明人： 张岚 ,  杜迎帅 ,  李波 ,  吴宗桂 ,  李军 ,  曹雪朋 ,  胡海帆 ,  顾建平 ,  徐光明 ,  刘必成

IPC分类号： G01T1/00

摘要： 本实用新型提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括：阳极电路板，包括读出芯片；阴极电路板，所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质，所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接；探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极，所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连，其中所述阴极电路板高压端顶层用于连接半导体探测器的输入，所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板。

公开(公告)号：CN206057219U

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201621032835.6

申请日：2016-08-31

申请人： 同方威视技术股份有限公司

发明人： 张岚 ,  杜迎帅 ,  李波 ,  吴宗桂 ,  李军 ,  曹雪朋 ,  胡海帆 ,  顾建平 ,  徐光明 ,  刘必成

IPC分类号： G01N23/04

摘要： 本实用新型提供一种探测器以及用于智能划分能区的探测系统，其中所述探测器的每一像素列包括一个A类电极和多个B类电极，其中沿探测对象的移动方向依次布置所述A类电极和所述B类电极，使得从探测对象透射的射线先进入A类电极，随后进入B类电极。

公开(公告)号：CN205319156U

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201521117539.1

申请日：2015-12-29

申请人： 同方威视技术股份有限公司

发明人： 张岚 ,  李元景 ,  刘以农 ,  胡海帆 ,  李军

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 公开了一种同面电极光电二极管阵列。在低电阻率衬底，高电阻率外延类型的外延硅片的顶侧，形成第一导电类型重掺杂区域和第二导电类型掺杂区域，分别为光电二极管的阴极和阳极。该结构包括在阳极和阴极之间形成的沟槽结构，该沟槽结构可由空隙、绝缘材料、传导结构、反射材料和离子注入构成；也可以包括在阳极和阴极下方形成第一导电类型重掺杂区域、绝缘隔离层或带绝缘层的传导结构等。