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公开(公告)号：CN111043992B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910977442.4
申请日：2019-10-15
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明涉及石英坩埚内周面的评价方法和石英坩埚内周面的评价装置。提供能够简便且短时间地对石英坩埚内周面进行评价的石英坩埚内周面的评价方法。根据本发明的石英坩埚内周面的评价方法包括：第1工序，进行石英坩埚的所述内周面的拍摄来取得所述内周面的图像，所述石英坩埚进行了硅单晶锭的提拉；第2工序，对所述图像施行图像处理来得到划定方石英与玻璃的边界后的边缘图像；第3工序，提取所述边缘图像中的所述边界所包围的闭区域；第4工序，针对所述提取出的所述闭区域中的所述边界的坐标信息进行基于所述方石英的轮形形状的运算来求取运算值；第5工序，基于所述运算值来判定所述边界所包围的闭区域是所述方石英和所述玻璃哪一个；以及第6工序，合成将判定为所述方石英的闭区域重合后的整体图像。
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公开(公告)号：CN112672848A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980049132.4
申请日：2019-06-05
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/08 , B24B49/04 , B24B49/12 , H01L21/304
摘要： 本发明提供一种能够在双面抛光中，在工件的形状成为目标形状的时机结束双面抛光的工件双面抛光装置及双面抛光方法。演算部（13），进行如下工序：第1工序，按每一个工件对由工件厚度测量器（11）测量的工件厚度数据进行分类；第2工序，按每一个工件，从厚度数据中提取工件的形状成分；第3工序，针对提取出的各形状成分，确定测量出的工件上的工件径向位置；第4工序，根据所确定的工件径向位置及工件的形状成分，计算工件的形状分布；第5工序，根据计算出的形状分布，求出工件形状指标；以及第6工序，将所求出的每一个工件形状指标成为根据前一批次中的工件形状指标的目标值与实绩值之差决定的工件形状指标的设定值的时机，决定为结束工件双面抛光的时机，并在所决定的时机结束双面抛光。
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公开(公告)号：CN107130290B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201710111932.7
申请日：2017-02-28
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： [课题]正确地在单晶的提拉工序中测量晶体直径而不受来自加热器的辐射光强弱的影响。[解決手段]根据本发明所述的单晶的制造方法，基于Czochralski法的单晶的提拉工序中，用照相机拍摄前述单晶与融液面的分界部的图像，将在前述分界部出现的熔融环的圆周方向的最高亮度分布101中至少小于最大值的值设定为阈值H，将前述最高亮度分布101中最高亮度达到前述阈值H以下的区域指定为直径测量区域，进行直径测量处理。
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公开(公告)号：CN107436306A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710390218.6
申请日：2017-05-27
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明提供：可以抑制测定者间的评价结果的偏差的晶体缺陷的评价方法、硅片的制造方法和晶体缺陷的评价装置。所述晶体缺陷的评价方法的特征在于：对硅片施行使该硅片中的晶体缺陷显现化的处理(步骤S1)，其次拍摄硅片的表面以获取图像(步骤S2)，然后对上述图像依次施行微分处理和二值化处理(步骤S3)，根据施行了二值化处理的图像来评价硅片中的晶体缺陷(步骤S4)。
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公开(公告)号：CN101377008A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810171401.8
申请日：2008-08-29
申请人： 胜高股份有限公司
发明人： 高梨启一
CPC分类号： C30B15/26
摘要： 本发明提供一种硅单晶提拉方法，通过正确地控制硅单晶的直径，能够得到结晶缺陷少的高质量的硅单晶。本发明的硅单晶提拉方法在提拉工序中，使用摄像装置对上述硅单晶进行摄像，测定按各图像扫描线测定由摄像装置所摄像的图像中的上述硅熔液和上述硅单晶的固液界面附近产生的高亮度带的亮度分布。并且，分别检测硅熔液的液面位置和固液界面位置，基于液面位置和固液界面位置的差值即弯液面高度，控制提拉时的硅单晶的直径。
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