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公开(公告)号：CN116668923A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310921580.7
申请日：2023-07-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种振动传感器、电子设备及制作方法，所述振动传感器包括：基础部件，其包括基板和封装外壳；功能部件，其包括MEMS组件和振动组件，MEMS组件和振动组件位于由基板和封装外壳形成的内部空间；MEMS组件包括衬底、第一振膜以及背极板，基板、衬底以及第一振膜合围以形成一背腔；振动组件包括振膜单元，振膜单元和背极板合围以形成一振动腔，振膜单元包括第二振膜和用于支撑所述第二振膜的多个支撑柱，支撑柱的底部固定在背极板的外周。本发明可以减少对振膜组件的单独封装，提高产品一致性并降低封装成本。
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公开(公告)号：CN116659711A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310938869.X
申请日：2023-07-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS压力传感器及电子设备。所述MEMS压力传感器包括以层叠的方式依次设置的基底、振膜以及背极板，所述背极板包括绝缘层和与所述绝缘层固定连接的导电层，所述导电层包括相互隔离的第一电极区域和第二电极区域，所述第一电极区域和所述第二电极区域分别与所述振膜构成第一电容和第二电容，在所述MEMS压力传感器处于工作状态下时，所述第一电容和所述第二电容的差值被配置为与施加在所述MEMS压力传感器上的压力呈线性关系。本申请所公开的技术方案有利于提高MEMS压力传感器的压力检测的准确性和线性度。
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公开(公告)号：CN107892268B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201711113454.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，所述压力传感器包括：衬底；收容腔，位于所述衬底内，包括底壁和侧壁；感应本体，悬浮于所述收容腔内，所述感应本体与所述收容腔侧壁之间具有深槽，所述感应本体与收容腔底壁之间具有与所述深槽连通的第一腔体，且所述感应本体与收容腔侧壁之间通过位于所述深槽内的悬梁固定连接；所述感应本体包括：半导体层、位于所述半导体层表面的介质层、贯穿所述介质层至半导体层内的密闭的第二腔体、覆盖所述介质层和第二腔体的器件层，所述器件层表面具有压阻条。上述压力传感器具有应力释放结构，可靠性高。
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公开(公告)号：CN114094975A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111452381.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种体声波谐振器，包括：衬底，其中所述衬底包括空腔，所述空腔开口位于所述衬底上表面，所述空腔底部被所述衬底封闭；位于所述衬。底和所述空腔上方的压电薄膜；以及位于所述压电薄膜上表面的两组相互交错的叉指电极。本申请还涉及一种体声波谐振器的制备方法。
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公开(公告)号：CN108362408B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201810190163.9
申请日：2018-03-08
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，所述压力传感器包括：基底；位于所述基底表面的钝化层；位于所述钝化层表面的第一下电极、第二下电极和连接电极，所述连接电极连接所述第一下电极和第二下电极；支撑于所述第一下电极上方的第一上电极，第一上电极与第一下电极构成感应电容；支撑于第二下电极上方的第二上电极，所述第一上电极与第一下电极之间具有支撑部，第二上电极与第二下电极构成参考电容；覆盖所述第一上电极、第二上电极的绝缘层。上述方法制作步骤简单，提高了工艺可制造性。
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公开(公告)号：CN113023664A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110227413.3
申请日：2021-03-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种微机电光电探测芯片以及制备方法。该微机电光电探测芯片包括：衬底；空气腔体，空气腔体位于衬底的第一表面，其中，空气腔体包括网状结构薄膜和腔体，网状结构薄膜覆盖腔体，且网状结构薄膜设置有至少一个释放孔，腔体用于连通不同的释放孔；悬浮结构，悬浮结构位于衬底的第一表面，悬浮结构覆盖空气腔体，其中，在远离空气腔体的方向上，悬浮结构依次包括支撑层和光电转换器件。本发明实施例提供的技术方案，降低了微机电光电探测芯片的工艺难度。
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公开(公告)号：CN112492490A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011527322.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS器件与MEMS麦克风的制造方法。该MEMS器件的制造方法包括：基于同一衬底形成多个微机电结构，每个微机电结构包括衬底的一部分、位于衬底上的振动膜和位于振动膜上的具有至少一个通孔的背极板；以及切割衬底以将每个微机电结构分离，在切割衬底的步骤之前，制造方法还包括在至少一个微机电结构上形成连接部与防护层，连接部固接在防护层与背极板之间，以使防护层与背极板分隔，其中，振动膜与背极板构成可变电容，防护层与振动膜分别位于背极板的两侧，防护层用于阻挡异物经通孔进入背极板与振动膜之间的间隙。该制造方法通过在微机电结构上设置防护层，从而改善了异物导致微机电结构中背极板与振动膜短路的问题。
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公开(公告)号：CN110127597A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910515256.9
申请日：2019-06-14
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种背孔引线式压力传感器及其制备方法，其使用通孔引线技术制备压力传感器，实现无打线贴片封装，减小了压力传感器的封装尺寸；同时压力传感器的压阻位于密封腔内，导电垫也通过通孔与外部结构电连接，受外界环境影响较小，器件稳定性好，可用于液体或恶劣环境中压力的监测。
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公开(公告)号：CN109831172A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201811564949.9
申请日：2018-12-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明提供了一种体声波谐振器的制备方法，解决了现有技术中通过刻蚀硅衬底形成空气隔离带导致器件结构稳定性差的问题。该制备方法包括提供第一硅片，在第一硅片上制备顶部开口的腔体；提供第二硅片，在第二硅片上表面制备绝缘层，在绝缘层上表面制备谐振压电堆，谐振压电堆包括压电薄膜和分别与压电薄膜接触并且彼此独立的第一电极和第二电极；在谐振压电堆的上表面制备第一二氧化硅层，谐振压电堆的上表面包括压电薄膜的表面、第一电极的表面、第二电极的表面中的一个或多个；将腔体的开口所在表面和第一二氧化硅层的上表面键合；制备第一电极和第二电极的引出焊盘。
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公开(公告)号：CN109809355A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910166629.6
申请日：2019-03-06
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，该方法包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成若干间隔排列的第一孔；进行第一热处理，使得若干所述第一孔合并成悬空的第一真空腔；形成与所述第一真空腔连通的沟槽以及由所述沟槽环绕的感应本体。该方法简化了感压薄膜的制造工艺。同时，通过这种热处理工艺形成的感压薄膜平整度高、厚度较薄，可以薄至1微米。
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