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公开(公告)号：CN114551358A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210090222.1
申请日：2022-01-25
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/8258 , H01L23/373 , H01L27/088
摘要： 本发明公开了一种顶层p型金刚石MOSFET与GaN HEMT单片异质集成结构及其制备方法，该方法包括：提供外延产品，在AlGaN势垒层远离衬底一侧的表面依次生长SiN介质层和p型金刚石层；刻蚀去除部分p型金刚石层后，在SiN介质层刻蚀源电极槽和漏电极槽，并制作HMET器件的第一源、漏电极；在p型金刚石层的表面上制作MOSFET器件的第二源、漏电极；在p型金刚石层表面沉积Al2O3，形成栅介质层；在栅介质层表面制作第二栅电极，形成顶层p型金刚石MOSFET与GaN HEMT的单片异质集成结构。本发明有利于减小器件体积，提高器件集成度；同时也调制了GaN HEMTs的热产生分布，提升器件的散热能力。
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公开(公告)号：CN111092156B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201911294407.9
申请日：2019-12-16
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层上淀积Λ‑型有机空穴传输材料以形成空穴传输层；(e)在所述空穴传输层上制作阳极以完成所述钙钛矿太阳能电池的制备。本发明公开的太阳能电池工艺简单，成本较低；同时，制备的太阳能电池具有较高的转化率和稳定性。
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公开(公告)号：CN111092156A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911294407.9
申请日：2019-12-16
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层上淀积Λ-型有机空穴传输材料以形成空穴传输层；(e)在所述空穴传输层上制作阳极以完成所述钙钛矿太阳能电池的制备。本发明公开的太阳能电池工艺简单，成本较低；同时，制备的太阳能电池具有较高的转化率和稳定性。
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公开(公告)号：CN106684515B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201611185444.2
申请日：2016-12-20
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种硅基倒置微带线结构及其制作方法，主要解决标准微带线和传统倒置微带线在传输毫米波亚毫米波是损耗大以及加工精度低的问题。该硅基倒置微带线结构包括微带线，悬置层，硅基片，腔体，金属接地层，其中硅基片层包括上硅基片和下硅基片；倒置层位于上硅基片的上表面；微带线包括下金属层和上金属层，上金属层固定在倒置层中，下金属层制备在上金属层的下表面，并暴露在腔体中；腔体刻蚀在上硅基片之内，位于微带线正下方，并将微带线悬空；金属接地层位于腔体的下方，并嵌入在上硅基片和下硅基片之间。本发明制作方法的加工精度高，实现了一种低损耗，加工简单的毫米波传输线结构。
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公开(公告)号：CN107394022A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710610925.1
申请日：2017-09-05
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L33/20 , B82Y40/00 , H01L33/007
摘要： 本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法，主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱(4)、p型GaN层(5)和电极(6)，其中多量子阱包括五个周期，Al含量x和y由镓源和铝源的流量控制，以获得不同波长的LED，之后利用金属在高温下的蠕变现象形成金属球作为阻挡层，在量子阱上以均匀间隔刻蚀纳米槽，使p型GaN层镶嵌生长在纳米槽内，以提高p型GaN和量子阱的接触面积，有利于空穴的注入，本发明提高了发光效率，可用于紫外及深紫外发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN105244441A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510644931.X
申请日：2015-10-08
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4226 , H01L51/0003 , H01L51/004
摘要： 本发明公开了一种基于四苯乙烯聚合物空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法，主要解决现有空穴传输材料成本高、载流子迁移率低和性质不稳定的问题。其自下而上包括：衬底(1)、阴极(2)、电子传输层(3)、光活性层(4)、空穴传输层(5)、阳极(6)，其中空穴传输层(5)采用厚度为80～200nm的四苯乙烯-三苯胺聚合物TPE-TPA，并通过旋涂TPE-TPA前驱体溶液的方法来制备空穴传输层。本发明的空穴传输层能有效抑制光活性层与空穴传输层间的紧密接触，减少界面处的载流子复合几率，改善界面特性，有效提高了钙钛矿太阳能电池的性能，可用于光电转化。
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公开(公告)号：CN104051627A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410276254.6
申请日：2014-06-19
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L51/48
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/0024 , H01L51/4246
摘要： 本发明公开了一种改进的并联叠层有机太阳能电池的制备方法，本发明通过层压技术巧妙地去掉了传统叠层结构中的中间连接层，使两种给体材料分别与一种受体材料形成了体异质结结构的子节电池，使两个有效层直接相连接,使叠层电池的效率能得到进一步的提高。由于中间连接层的消失，避免了光通过此层时的附带吸收，有利于器件对光的有效吸收；避免了它的存在而引入的电阻，有利于器件电学性能的提高；使叠层电池总的材料层数大大减少，结构大大简化，这使得制造工艺更简单，工艺流程更易控制，器件成本也因此大大降低。
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公开(公告)号：CN118431260A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410540813.3
申请日：2024-04-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及一种改善电场特性的增强型氮化镓器件结构及其制备方法，氮化镓器件结构包括：缓冲层、势垒层、P型GaN层、N型AlGaN层、源极、漏极和栅极，其中，缓冲层和势垒层层叠，且缓冲层和势垒层之间形成二维电子气沟道；P型GaN层和N型AlGaN层均位于二维电子气沟道靠近势垒层的一侧，P型GaN层的侧面与N型AlGaN层的侧面相接触；源极和漏极分布在二维电子气沟道靠近势垒层的一侧；栅极覆盖P型GaN层和N型AlGaN层，与势垒层相接触，且位于源极和漏极之间。本发明的器件实现了高跨导、高输出电流、高功率密度、高阈值电压等优良电学特性，并且具有较好的耐高温特性，在极端环境下也具备较好的稳定性。
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公开(公告)号：CN112466769B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202011311567.2
申请日：2020-11-20
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/66 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种HEMT器件沟道区电场分布测试图形及其制备方法、测试方法，应用于圆形电容结构的HEMT器件，主要解决现有技术不能对HEMT器件沟道电场强度分布进行测量的的问题。其实现方案是：在待测HEMT器件上制作辅助测试结构，即位于栅极和漏极之间势垒层中的一系列欧姆接触电极，然后将被测HEMT器件加上关态偏置，依次测量辅助测试结构中每个欧姆电极到地的电压，最后将相邻电极的电压差值除以待测欧姆电极与栅极距离的差值，即得到沟道电场强度分布。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析器件耐压特性与提高器件可靠性提供重要依据。
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公开(公告)号：CN115863472A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211460588.X
申请日：2022-11-17
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/107 , H01L31/0304
摘要： 本发明涉及一种片上可集成的氮化镓基雪崩光电探测器及其制备方法，包括：制备P型掺杂的氮化镓层；在P型掺杂的氮化镓层上制备第一N型掺杂的氮化镓层；在第一N型掺杂的氮化镓层上制备第二N型掺杂的氮化镓层；在第二N型掺杂的氮化镓层上沉积阴极材料形成阴极；通过有机键合方法将外延片的阴极键合在SOI衬底上；在P型掺杂的氮化镓层上沉积阳极材料形成阳极；在P型掺杂的氮化镓层两端内制备硅局部氧化隔离层，且硅局部氧化隔离层的底端位于第一N型掺杂的氮化镓层内。本发明利用半导体键合技术及使用Ⅲ‑Ⅴ族材料与SOI衬底设计，提高了器件的集成度和性能，解决了衬底外延晶体质量差的问题，器件具有深紫外波段探测能力和更强抗辐射特性。
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