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公开(公告)号：CN118734656A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410967739.3
申请日：2024-07-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/17 , G06F17/11 , G06F17/16 , G06F111/06 , G06F119/08 , G06F113/08
Abstract: 本发明公开了一种结合相变悬浮液的换热器变截面扭曲通道优化方法，包括确定换热器结构和冷却工质进出口位置；冷却工质相变悬浮液及换热器的物性参数，采用等效比热容模型表征相变悬浮液恒定压容随温度的变化形态；建立变截面扭曲通道的初始基本框架，构建变截面扭曲通道有限元模型；确定变截面扭曲通道的边界条件和控制方程；进行网格独立性检验；对变截面扭曲通道内相变悬浮液的流动传热特性进行有限元分析；设定并优化优化准则、优化框架和目标函数，获得优化后的换热器冷板和功率器件的温度分布；使用折中妥协法选择最佳的优化结构。本发明能够实现复合强化传热设计，提高换热器的换热能力，为电子设备冷却设计提供更加高效的热管理方案。
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公开(公告)号：CN112001137B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010900850.2
申请日：2020-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/33 , G06F113/18 , G06F115/04 , G06F119/20
Abstract: 本发明公开了一种面向微波电路互联信号传输的最佳带键构形确定方法，包括确定单根高斯、双根高斯、单根圆弧、双根圆弧四类金带键合互联几何、物性、电磁传输参数，分别建立四类金带键合互联构形参数化表征模型，空间几何特征对比分别建立四类金带键合互联结构电磁模型；建立四类金带键合互联构形与信号传输性能预测模型；单根与双根金带互联信号传输电性能、高斯构形与圆弧构形金带互联信号传输电性能对比；确定面向微波电路信号传输的金带互联最佳构形。本发明可实现不同类型的金带互联结构形态参数到信号传输性能的精准预测，对比确定出面向微波电路信号传输的金带互联最佳构形，指导微波电路互联构形选择与优化，有效提升微波产品研制品质。
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公开(公告)号：CN110096778A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910323981.6
申请日：2019-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于传输性能测试数据的引线搭焊互联点缺陷确定方法，包括：实测引线搭焊互联点传输性能；确定缺陷分辨率并确定缺陷矩阵；确定所测引线搭焊互联点基本参数；基于存在缺陷的互联点性能预测公式生成面向缺陷的性能误差矩阵；确定各个性能指标权重并生成多目标筛选方程；基于性能误差矩阵根据多目标筛选方程计算得到多目标筛选矩阵；提取多目标筛选矩阵中误差最小的值，判断此时性能误差是否可接受，确定缺陷参数及位置。本发明方法可以通过实测引线搭焊互联点性能指标，实现对引线搭焊互联点缺陷参数及位置的快速确定。
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公开(公告)号：CN103116677B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310057042.4
申请日：2013-02-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种面向有源相控阵天线的微通道冷板设计方法，该方法包括：1）确定有源相控阵天线的几何模型；2）确定有源相控阵天线微通道冷板的外形尺寸；3）计算有源相控阵天线阵面的温度分布；4）判断是否满足设计要求。本方法提供了一种利用微通道冷板对天线散热方案，以保证天线能够有效工作并保持高性能。通过考虑高宽比α、宽度W、流体入口速度v和流体入口温度T，利用建模得到不同参数下的温度分布，最终确定参数，与只能凭借经验设计的传统方法相比，本发明可给出最佳设计方案，保证一次满足要求，缩短了设计周期。通过计算阵面温度分布，可判断设计是否满足温度要求，根据温度分布修改参数和流道布局以达到要求，具有工程意义。
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公开(公告)号：CN104038295A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410249973.9
申请日：2014-06-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B17/00
Abstract: 本发明公开了一种基于机电耦合的变形阵列天线散射性能分析方法，包括：确定阵列天线的几何模型参数、材料属性和电磁工作参数；建立天线有限元模型；确定有限元模型的约束条件与随机振动载荷、重力载荷和热载荷环境，计算在约束和载荷环境下阵列天线的阵面变形，提取该条件下天线有限元模型天线中心节点的位置偏移量；累加得到天线总的位置偏移量；计算阵面内相邻两天线单元散射场空间相位差，得到口面相位差；计算天线单元散射方向图；计算阵列天线散射场方向图；分析载荷环境下的阵列结构变形对天线散射性能的影响。方法用于定量评价载荷环境下阵面结构变形对阵列天线散射性能的影响，指导阵列天线结构设计、散热设计和散射性能仿真分析和评估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102590656B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210009491.7
申请日：2012-01-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种基于远场的天线罩电性能预测方法。主要解决现有技术的计算量大、建模不准确的问题。其技术方案是：在电磁分析软件中建立天线模型、馈源模型或以文件形式给出的馈源远场；求解该馈源激励下的天线二维远场场值，绘制方向图并提取电性能指标；建立螺栓模型，求解螺栓影响下的三维远场；建立天线罩模型，求解三维远场激励下的二维远场场值，绘制方向图并提取电性能指标；对比加罩前后的二维方向图和电性能指标；若结果满足要求，输出加罩前后的二维方向图、电性能变化值和结构参数；否则，修改天线罩模型，并重复上述分析过程，直至结果满足要求。本发明能在合理控制计算量的同时，比较准确地预测出电大尺寸天线罩的电性能。
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公开(公告)号：CN102708257B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210162446.5
申请日：2012-05-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于雷达天线技术领域，具体涉及一种有源相控阵天线结构公差的快速确定方法，其步骤是：步骤1，确定天线阵面辐射单元信息；步骤2，获取阵面辐射单元的高度误差；步骤3，获取阵面辐射单元的位置安装误差；步骤4，计算天线口面相位误差；步骤5，计算天线远区电场分布；步骤6，计算天线相关的电性能参数；步骤7，依据战术技术指标要求，判断计算出当前结构公差条件下的天线电性能是否满足要求，若不满足要求，则进行步骤8和步骤9；若满足要求，则直接转到步骤10；当前的辐射单元的位置与高度公差就是所快速确定的天线结构公差。它有效解决在难以快速确定与分配天线结构公差的问题。
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公开(公告)号：CN102708257A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210162446.5
申请日：2012-05-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于雷达天线技术领域，具体涉及一种有源相控阵天线结构公差的快速确定方法，其步骤是：步骤1，确定天线阵面辐射单元信息；步骤2，获取阵面辐射单元的高度误差；步骤3，获取阵面辐射单元的位置安装误差；步骤4，计算天线口面相位误差；步骤5，计算天线远区电场分布；步骤6，计算天线相关的电性能参数；步骤7，依据战术技术指标要求，判断计算出当前结构公差条件下的天线电性能是否满足要求，若不满足要求，则进行步骤8和步骤9；若满足要求，则直接转到步骤10；当前的辐射单元的位置与高度公差就是所快速确定的天线结构公差。它有效解决在难以快速确定与分配天线结构公差的问题。
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公开(公告)号：CN118016704A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410147363.1
申请日：2024-02-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种具有SiC/Si异质结的双栅低功耗LIGBT器件，包括P型衬底、N型漂移区、集电极结构、栅极结构、发射极结构和氧化层，N型漂移区设置在P型衬底上，发射极结构包括嵌入N型漂移区上表面的N+发射极区、P+发射极区、第一P阱区和第二P阱区以及设置在N+发射极区和P+发射极区上表面的发射极；氧化层包括第一氧化层和第二氧化层；栅极结构包括彼此连接的沟槽栅极和平面栅极；集电极结构包括嵌入第一N+缓冲层上表面第一N+缓冲层、第二N+缓冲层和P+集电极区以及覆盖P+集电极区的集电极。本发明能够提高器件的动态可靠性，拓展安全工作区，还可提高器件的纵向耐压以及导通损耗和开关损耗的折中性能。
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公开(公告)号：CN117995897A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410108809.X
申请日：2024-01-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/165 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种具有SiC/Si异质结的沟槽栅低功耗LIGBT器件，包括自下而上依次层叠设置的P型衬底、N型漂移区和顶部半导体层，顶部半导体层沿器件横向方向依次包括发射极结构、沟槽栅极和集电极结构，沟槽栅极从N型漂移区的上表面伸入N型漂移区内部；发射极结构包括N+发射极区、发射极、P+发射极区、第一P阱区和第二P阱区，其中，N+发射极区、P+发射极区、第一P阱区和第二P阱区均嵌入在N型漂移区的上表面，第二P阱区与第一P阱区之间形成第一异质结；集电极结构包括第一N+缓冲层、第二N+缓冲层、P+集电极区和集电极，第一N+缓冲层与第二N+缓冲层之间形成第二异质结。本发明能够提高器件动态可靠性，拓展安全工作区，还可提高器件的纵向耐压。
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