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公开(公告)号：CN116417359A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111677912.9
申请日：2021-12-31
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/67
摘要： 本发明公开一种DFN集成电路器件的键合方法，基于一键合装置，其一用于拾取待加工芯片的吸盘安装于电缸的输出端上并可随电缸自置物板上方移动至安装座上方，一滑动板的一侧滑动设置于条形槽内，滑动板的另一侧下表面上安装有电缸，水平设置的滑动板下表面两端各连接有一竖直设置的第一安装板，对称设置于电缸两侧的2块第一安装板之间转动连接有一双向螺杆，双向螺杆的一端穿过一个第一安装板并与安装于该第一安装板上的电机输出轴连接，双向螺杆上并位于电缸两侧各套装有一第二安装板，该第二安装板的底部安装有挡板。本发明有效避免芯片掉落在工作台上导致芯片损坏的情况，从而保证了芯片在拾取转移过程中的安全性。
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公开(公告)号：CN113451227B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110620909.7
申请日：2019-03-06
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/367 , H01L23/488
摘要： 本发明公开了一种高可靠性QFN封装器件结构，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述分隔槽槽壁上开有若干个延伸至散热焊盘内的T形槽，所述导热绝缘条上设有填充于T形槽中的T形部；所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明高可靠性QFN封装器件结构增强了环氧绝缘体的整体力学性能，兼具有优秀的耐热性能。
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公开(公告)号：CN112420532B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202011403562.2
申请日：2019-02-22
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/29 , C08L63/00 , H01B3/40 , C08G59/62 , C08G59/42 , C08G59/50
摘要： 本发明公开了一种集成电路器件的封装工艺，所述器件包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上；包括以下步骤：S1.先将硅微粉80份和阻燃剂10份与3‑氨基丙基三乙氧基硅烷2份混合均匀，进行表面处理；S2.再加入环氧树脂80份、线型酚醛树脂55份、液体丁腈橡胶16份、焦碳酸二乙酯8份、聚乙二醇单辛基苯基醚0.1份、醋酸丁酸纤维素5份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚5份和脱模剂3份，混合均匀。本发明方法制备得到的器件有效避免了气孔导致的导热性能降低进而引起电性方面的失效的问题，内部气孔的发生率低。
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公开(公告)号：CN113451228A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110621536.5
申请日：2019-03-06
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/367 , H01L23/488
摘要： 本发明公开一种高强度QFN封装结构，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上，且所述芯片与散热焊盘之间设有银浆层，位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，所述导电焊盘和芯片通过一引线连接；所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明QFN封装半导体器增强了环氧绝缘体的整体力学性能，也可满足大功率高发热芯片封装的要求。
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公开(公告)号：CN112701054A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011426172.7
申请日：2019-02-22
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/31
摘要： 本发明公开了一种电子产品用半导体器件的制造方法，其半导体器件包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述散热焊盘的中央区开有一供芯片嵌入的沉槽，从而在散热焊盘的边缘区形成一围堰部；包括以下步骤：先将硅微粉和阻燃剂与3‑氨基丙基三乙氧基硅烷混合均匀；再加入环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、焦碳酸二乙酯、聚乙二醇单辛基苯基醚、醋酸丁酸纤维素、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚和脱模剂。该方法制备得到的半导体器件内部气孔的发生率低，且改善半导体器件的散热效果。
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公开(公告)号：CN109904124B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910166939.8
申请日：2019-03-06
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/367 , H01L23/488
摘要： 本发明公开了一种具有防短路功能的QFN封装结构，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上，且所述芯片与散热焊盘之间设有银浆层，位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘；其环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂80~100份、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明QFN封装结构具有良好的防短路功能，且整体力学性能好结构稳定，具有很高的可靠性。
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公开(公告)号：CN109904131B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910131735.0
申请日：2019-02-22
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/29
摘要： 本发明公开了一种高稳定性DFN封装器件，其环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂80~100份、线型酚醛树脂50~70份、液体丁腈橡胶12~18份、焦碳酸二乙酯3~8份、硅微粉65~90份、聚乙二醇单辛基苯基醚0.1~1.5份、3‑氨基丙基三乙氧基硅烷2~5份、醋酸丁酸纤维素2~6份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺0.3~2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚0.5~5份、脱模剂1~5份、阻燃剂10~25份；该高稳定性DFN封装器件散热效果、力学性能优异，封装结构稳定可靠，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109904124A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910166939.8
申请日：2019-03-06
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/367 , H01L23/488
摘要： 本发明公开了一种具有防短路功能的QFN封装结构，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上，且所述芯片与散热焊盘之间设有银浆层，位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘；其环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂80~100份、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5-氟-2-甲氧基苯胺、2,4,6-三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明QFN封装结构具有良好的防短路功能，且整体力学性能好结构稳定，具有很高的可靠性。
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公开(公告)号：CN211045380U
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201922076053.2
申请日：2019-11-27
申请人： 西安航思半导体有限公司
摘要： 本实用新型公开一种基于QFN的芯片封装结构的加工装置，包括支撑板、第一框架、第三框架和打磨机构，所述第一框架、第三框架依次连接设置于支撑板的同一侧，所述打磨机构安装于第三框架上方；所述第一框架、第三框架各自相对的两个内壁上均安装有一电磁滑轨，位于第一框架、第三框架同一侧内壁上的电磁滑轨连通，相对设置的电磁滑轨之间连接有一移动块；所述顶板一侧与支撑板固定连接，所述挡板上开有一风嘴，所述第三框架下方设置有一吸尘仓，所述吸尘仓内设置有一负压风机。本实用新型实现了对移动至第三框架上的半导体器件的打磨，丰富了装置的内涵、提高了对半导体器件加工的自动化程度，还可以避免打磨过程中产生的碎屑飞溅。
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公开(公告)号：CN208923107U
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201821959434.4
申请日：2018-11-27
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/367
摘要： 本实用新型公开一种DFN集成电路封装器件，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上，位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，所述导电焊盘和芯片通过一引线连接，所述散热焊盘的中央区开有一供芯片嵌入的沉槽，从而在散热焊盘的边缘区形成一围堰部，所述沉槽的底部和围堰部与芯片的下表面和侧壁之间均设置有银浆层，所述沉槽的底部开有若干个延伸至散热焊盘内的换热盲孔，所述换热盲孔中具有银浆填充部。本实用新型通过沉槽和换热盲孔的设置，增加了芯片和银浆、银浆和散热焊盘的接触面积，从而增大了单位时间内的散热量，进而改善了封装结构的散热效果。
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