公开(公告)号：CN113707520A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110984165.7

申请日：2021-08-25

申请人： 北京中科科仪股份有限公司

发明人： 田贵宾

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28

摘要： 本申请提供了一种固定装置、监测探头组件以及电子显微镜系统。所述固定装置包括：固定装置用于对电子显微镜的样品室的监测探头进行固定，其特征在于，固定装置包括：连接部，适于与样品室的外壁连接，且连接部的中部设置有观察窗，观察窗与连接部之间通过密封部真空密封；固定部，位于连接部的一侧，固定部用于将监测探头固定在与观察窗对应的位置，且固定部围绕监测探头设置，以阻挡样品室外的光线通过观察窗进入样品室。本申请通过设置连接部以及固定部，可以将监测探头固定在样品室外部，并且可以避免外界光线进入样品室内部，还可以使样品室具有良好的密闭性。

公开(公告)号：CN113410111A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110800950.2

申请日：2021-07-15

申请人： 上海诺硕电子科技有限公司

发明人： 孙虎

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种半导体刻蚀设备，包括：电子吸附盘，用于吸附晶圆；内上电极，设置在电子吸附盘正上方，与电子吸附盘形成电场；环状组件，安装在电子吸附盘一侧；其中，环状组件包括上下依次设置的边缘环、连接环、绝缘环和第二连接件，电子吸附盘上设置有第二连接槽，绝缘环通过设置在第二连接槽内部的第二连接件与电子吸附盘固定连接，第二连接件上设置有第二绝缘件，第二绝缘件包括第二绝缘盖，第二绝缘盖表面一侧设置有连接孔，第二连接件顶端通过连接孔与第二绝缘盖连接，第二绝缘盖侧壁和第二连接槽的内壁螺纹连接，有效减少在绝缘环和电子吸附盘之间的电弧放电现象，对半导体设备起到保护作用。

公开(公告)号：CN113363126A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110237457.4

申请日：2021-03-03

申请人： 卡尔蔡司显微镜有限责任公司

发明人： A.施曼兹

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/30

摘要： 本发明涉及允许借助于气体(45)处理低温样本(5)的粒子束系统(1)和用于操作粒子束系统(1)的方法。根据本发明，气体以局部受限的方式释放在粒子束系统(1)的真空腔室(29)中的样本(5)的表面附近。气体(45)的温度适于样本(5)的温度。如果合适的话，气体(45)例如通过热交换器(51)冷却，该热交换器布置在粒子束系统(1)的真空腔室29)中并且借助于冷却介质或借助于冷却元件来对气体(45)进行冷却。

公开(公告)号：CN113272932A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201980087228.X

申请日：2019-12-19

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： J-G·C·范德托恩 ,  陈仲玮

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/28 ,  G01N21/95

摘要： 带电粒子检查系统可以包括具有孔径或一个以上孔径的屏蔽板，例如，以允许通过附加仪器进行附加检查，该附加仪器需要到感兴趣区域的视线。诸如窗口元件或凸起边缘的场成形元件被放置在孔径处以防止或减少电场的分量。

公开(公告)号：CN112992631A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911294435.0

申请日：2019-12-16

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 赵函一 ,  黄国民 ,  倪图强

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305

摘要： 本发明提供了一种下电极组件，其安装方法及所处的等离子体处理装置，通过在聚焦环和介电环与基座之间设置一介电套筒，以及在介电套筒与基座之间的缝隙内设置弹性材料层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄露到基座与边缘环组件之间的缝隙内，降低了下电极组件可能出现的电弧放电的可能性。受限于基座及各边缘环的尺寸限制，本发明通过先安装该介电套筒，使得在基座与边缘环组件之间的缝隙内设置弹性材料层的安装难度大大降低，有效的保证了下电极组件的使用安全。

公开(公告)号：CN111048382B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201811190769.9

申请日：2018-10-12

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

发明人： 王学慧 ,  王俊听 ,  胡贤斌 ,  陈迪志 ,  唐广 ,  刘华荣 ,  郑磊 ,  钱庆 ,  郑春宁 ,  王国超

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/065 ,  H01J37/073

摘要： 本公开提供了一种电子源制造方法，该方法包括：在至少一个针尖上形成一个或多个固定的发射点，所述发射点包括针尖表面的金属原子与气体分子形成的反应产物。

公开(公告)号：CN112074925A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201980029660.3

申请日：2019-05-26

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： C·西尔斯 ,  L·葛瑞拉

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/14

摘要： 本发明揭示聚焦及对准多重电子束的系统及方法。相机产生投射在具有多个目标的光纤阵列处的来自电子束的光的图像数据。图像处理模块基于所述图像数据确定对施加到中继透镜、场透镜或多极阵列的电压的调整。所述调整最小化所述电子束中的一者的位移、散焦或像差中的至少一者。使用控制模块，将所述电压施加到所述中继透镜、所述场透镜或所述多极阵列。

公开(公告)号：CN111816538A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010690473.4

申请日：2020-07-17

申请人： 兰州大学

发明人： 刘德全 ,  李一丁 ,  刘建德 ,  刘艳杰 ,  孙楷 ,  焦朝晖 ,  谢志超 ,  常英凡 ,  贺德衍

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/26 ,  H01J9/00

摘要： 一种基于重离子辐照的透射电镜微栅，该透射电镜微栅由高能重离子辐照后用氢氧化钠的溶液进行蚀刻后得到微孔的聚对苯二甲酸乙二醇酯PET薄膜和通过磁控溅射或热蒸发或电子束蒸发等方式镀在其上的金属薄膜构成，所述聚对苯二甲酸乙二醇酯PET薄膜的厚度为5-30μm，所述金属膜的厚度为5-30 nm。本发明是基于用经过重离子辐照的聚对苯二甲酸乙二醇酯PET薄膜后，再经过蚀刻形成具有孔径均一且可调的微孔，磁控溅射、热蒸发或电子束蒸发镀膜得到较高孔隙率和电导率的透射电镜微栅，相较于现有技术，制备的透射电镜微栅以重离子径迹膜为模板，在模板上覆盖一层厚度、种类可调的金属膜。该透射电镜用微栅由许多孔径均一、尺寸可调的微孔结构组成，该微孔结构较为纯净，可以有效消除传统微栅中金属网格对被测样品成分分析时的干扰，从而有利于提升测试时的精确度。

公开(公告)号：CN108369886B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201680073627.7

申请日：2016-12-23

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： S·E·毕晓普

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/02

摘要： 本发明描述一种用于将气体输送到等离子体浸没枪的气体供应组合件。所述气体供应组合件包含：流体供应包装，其经配置以将惰性气体输送到等离子体浸没枪以用于产生惰性气体等离子体，所述惰性气体等离子体包含在离子布植操作中用于调制衬底的表面电荷的电子；及清洁气体，其在所述惰性气体流体供应包装中与所述惰性气体混合，或在经配置以相对于输送惰性气体到所述等离子体浸没枪而将清洁气体同时或依序输送到所述等离子体浸没枪的单独清洁气体供应包装中。本发明还描述一种操作等离子体浸没枪的方法，其中相对于惰性气体流动到所述等离子体浸没枪而将清洁气体间歇地、连续地或依序引进到所述等离子体浸没枪。所述清洁气体自所述等离子体浸没枪中的材料沉积物有效地产生挥发性反应产物气体，且实现所述等离子体浸没枪中的等离子体产生细丝的再金属化。

公开(公告)号：CN111508802A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010322113.9

申请日：2020-04-22

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 简师节

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32

摘要： 本发明提供了一种反应腔室，包括：腔体；主筒和主线圈，主筒位于腔体顶部，主线圈环绕主筒设置；副筒和副线圈，副筒位于腔体与主筒之间，副线圈环绕副筒设置；至少一个升降结构，升降结构与主线圈或副线圈连接，用于随工艺步骤的变化驱动主线圈或副线圈升降。本发明通过升降结构可以随工艺步骤的变化驱动主线圈或副线圈升降，有利于调整待加工工件表面的等离子体分布，从而提高刻蚀的均匀性。并且，在沉积步骤和刻蚀步骤之间，本发明实施例的反应腔室还可以利用升降结构驱动副线圈处于阻抗稳定的区域，避免引发等离子体的灭辉现象，改善刻蚀效果。本发明还提供一种应用于该反应腔室的刻蚀方法，同样可以改善刻蚀效果。