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公开(公告)号:CN107285624A
公开(公告)日:2017-10-24
申请号:CN201710691512.0
申请日:2010-07-23
申请人: 考斯曼技术有限公司
IPC分类号: C03C3/091 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/093 , C03C17/09 , C03C17/36 , H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/04 , H01L31/042 , H01L31/06 , H01L31/073 , H01L31/0749
CPC分类号: H01L31/0352 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/091 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , C03C3/093 , C03C17/09 , C03C17/36 , H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/0296 , H01L31/0392 , H01L31/04 , H01L31/042 , H01L31/06 , H01L31/073 , H01L31/0749
摘要: 本文描述了含钠的铝硅酸盐和硼铝硅酸盐玻璃。所述玻璃可用作光伏器件的基板或覆板,例如薄膜光伏器件,如CIGS光伏器件的基板或覆板。这些玻璃的特征是其应变点≥535℃,例如≥570℃,热膨胀系数为8-9ppm/℃,液相线粘度超过50000泊。因此,它们理想地适合通过熔合法成形为板材。
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公开(公告)号:CN105580142B
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201480053613.X
申请日:2014-09-23
申请人: LG伊诺特有限公司
发明人: 沈洺奭
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/0749 , H01L31/046
CPC分类号: H01L31/02366 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0236 , H01L31/03923 , H01L31/046 , H01L31/0749 , Y02E10/541
摘要: 根据本发明的太阳能电池包括:支撑基板;形成在所述支撑基板上的背电极层;形成在所述背电极层上的第一通槽;形成在所述背电极层上的光吸收层;以及形成在所述光吸收层上的前电极层,其中,通过所述第一通槽暴露的所述支撑基板的平均表面粗糙度(Ra1)在28nm至100nm的范围内。
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公开(公告)号:CN105164820B
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201480024133.0
申请日:2014-05-07
申请人: SK新技术株式会社
IPC分类号: H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要: 本发明可以提供通过使用溅射法沉积并退火多层结构的前体而制造CIGS光吸收层的方法,其中使用了InxGaySez(IGS)和CuxSey的化合物靶,该方法具有提高的材料使用率、提高的生产率,并且即使在大的面积下也具有优异的薄膜均匀性。
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公开(公告)号:CN104603957B
公开(公告)日:2017-09-15
申请号:CN201380043997.2
申请日:2013-06-18
申请人: 日东电工株式会社
IPC分类号: H01L31/032 , H01L31/0749
CPC分类号: H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要: 为了提供转换效率高的化合物太阳能电池以及能够以低成本制造其的方法,提供在基板1上具备CIGS光吸收层3、缓冲层5和表面电极层6的化合物太阳能电池,在CIGS光吸收层3与缓冲层5之间,设置有由下述通式(1)所示组成的混晶形成的界面层4。Zn(OX,S1‑X)···(1)(其中,X为0.9
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公开(公告)号:CN107078181A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201580053269.9
申请日:2015-10-27
申请人: 东京应化工业株式会社
IPC分类号: H01L31/0749 , H01L31/18 , C01G15/00
CPC分类号: C09D5/32 , C01B19/007 , C01G15/006 , C09D1/00 , C09D5/24 , C09D7/20 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/022425 , H01L31/0322 , H01L31/0326 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/1864 , Y02E10/541
摘要: 本发明涉及均匀系涂布液,其为用于形成太阳能电池的光吸收层的均匀系涂布液,所述均匀系涂布液含有选自由第11族金属、第13族金属、第11族金属化合物及第13族金属化合物组成的组中的至少1种金属或金属化合物、路易斯碱溶剂及路易斯酸。
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公开(公告)号:CN104303266B
公开(公告)日:2017-07-18
申请号:CN201380025411.X
申请日:2013-05-09
申请人: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 , 国立大学法人宫崎大学
IPC分类号: H01L21/02 , H01L31/0749
CPC分类号: H01L31/0749 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01L21/02568 , H01L21/02573 , H01L21/0259 , H01L21/02614 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要: 本发明提供能够高精度地控制Na向作为太阳能电池的光吸收层的CIGS膜或CIGSS膜的扩散,太阳能电池的制造也简单的CIGS4元系合金或CIGSS5元系合金及其制造方法。添加有Na的CIGS4元系合金的制造方法具备下述工序:将包含铜、铟、镓的混合物真空封入到安瓿中,使其在高温结晶化而制造CIG3元系合金的第1工序,将CIG3元系合金粉碎而制造CIG3元系合金粉末的第2工序,以及在粉碎后的CIG3元系合金中混合硒和硒化钠并真空封入到安瓿中,使其在高温结晶化而制造CIGS4元系合金的第3工序。CIGSS5元系合金进一步包含硫,在第3工序中添加硫。
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公开(公告)号:CN103597606B
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201280027444.3
申请日:2012-04-04
申请人: LG伊诺特有限公司
发明人: 李真宇
IPC分类号: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/02327 , H01L31/0322 , H01L31/035281 , H01L31/03923 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要: 提供了一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括:衬底;所述衬底上的背电极层;所述背电极层上的吸光层;所述吸光层上的窗口层;所述吸光层中的多个微珠;以及各所述多个微珠的表面上的陷阱层。
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公开(公告)号:CN104115283B
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201280069497.1
申请日:2012-12-10
申请人: LG伊诺特有限公司
发明人: 池奭宰
IPC分类号: H01L31/05 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/0504 , H01L31/02008 , H01L31/0749 , Y02E10/541
摘要: 本发明公开了一种太阳能电池模块及其制造方法。根据实施例的太阳能电池模块包括:多个第一太阳能电池,包括依次设置在支撑基板上的第一P型半导体层、第一缓冲层和第一N型半导体层;多个第二太阳能电池,包括依次设置在所述支撑基板上的第二P型半导体层、第二缓冲层和第二N型半导体层;以及连接所述多个第一太阳能电池和所述多个第二太阳能电池的连接电极。
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公开(公告)号:CN105244393B
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201410247125.4
申请日:2014-06-05
申请人: 中物院成都科学技术发展中心
IPC分类号: H01L31/0392 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号: Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要: 本发明涉及太阳电池领域,具体公开了一种聚酰亚胺太阳能电池,包括聚酰亚胺基底和在聚酰亚胺基底上依次形成的扩散阻挡层、第一电极层、吸收层、缓冲层、第二电极层、减反层和表面电极层,扩散阻挡层为三层或三层以上结构,扩散阻挡层的每一层任选由以下组制成:铝、钼、钛、镍、铜、锆、铌、铬、钌、铑、钯、钽、钨、铱、锇、铂、金或银,或它们的合金;硅的氮化物、氧化物或碳化物;氮化钛、氮化钽、氮化钨或氮化锆。本发明的聚酰亚胺太阳能电池,扩散阻挡层能有效阻挡基底杂质元素进入吸收层,显著增加扩散阻挡层与基底、第一电极层的结合力。本发明同时提供了前述聚酰亚胺太阳能电池的制备方法,以及聚酰亚胺太阳能电池扩散阻挡层。
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公开(公告)号:CN104576821B
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201310756346.X
申请日:2013-12-30
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/0749
CPC分类号: H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/0322 , H01L31/0392 , H01L31/0749 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要: 本发明提供了太阳能电池的背面接触设计及其制造方法。本发明公开了一种方法,该方法包括在位于太阳能电池衬底上方的背面接触层上的多个位置处直接沉积间隔件。在背面接触层和间隔件的上方形成吸收层。吸收层部分与间隔件接触同时部分与背面接触层直接接触。加热太阳能衬底,以在介于吸收层和背面接触层之间的间隔件的位置处形成空隙。
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