有机发光显示设备
    433.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101877357A

    公开(公告)日:2010-11-03

    申请号:CN200910179445.X

    申请日:2009-10-13

    Inventor: 高政佑

    CPC classification number: H01L27/3211 Y10S428/917

    Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示设备,该有机发光显示设备包括多个像素,其中,每个像素包括第一电极、面对第一电极的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的中间层,所述中间层包括多种层,所述多种层包括发光层,沿第一方向相邻的至少两个像素形成像素组,合并像素组中所述相邻的至少两个像素的中间层的层中的至少一种层,像素组中的相邻像素之间的距离比相邻的像素组之间的距离小。

    有机发光二极管显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN101859793A

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN201010105379.4

    申请日:2010-01-28

    CPC classification number: H01L27/3276 H01L2227/323

    Abstract: 本申请涉及有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括:基板;形成在所述基板上的半导体层,所述半导体层具有沟道区、源极区和漏极区;覆盖所述半导体层的栅极绝缘层;形成在所述沟道区上的栅极电极;和覆盖所述栅极电极的层间绝缘层。源极电极和漏极电极形成在所述层间绝缘层上,分别连接至所述源极区和漏极区。像素电极在与所述源极电极和漏极电极相同的平面上从所述漏极电极延伸。所述源极电极和漏极电极各具有由透明的导电材料形成的第一导电层和形成在所述第一导电层上的金属的第二导电层。所述像素电极由所述第一导电层形成。

    制造有源矩阵基底和有机发光显示装置的方法

    公开(公告)号:CN101859732A

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN201010001459.5

    申请日:2010-01-08

    Inventor: 崔雄植

    Abstract: 本发明提供了一种制造有源矩阵基底和有机发光显示装置的方法。由于在图案化工艺期间图案化工艺的道数减少和颗粒产生减少,所以制造有源矩阵基底的方法能够提高产率。该方法包括:在基底上形成图案化的电极,并利用绝缘膜覆盖第一电极。然后,通过将形成在半导体晶片的表面上的第一层附着到第一绝缘膜,在绝缘膜上形成单晶半导体层;然后,通过利用图案化的电极作为光掩模而从基底的下侧照射光,以将半导体层图案化,并部分地进行掺杂。这样部分地得到形成用于薄膜晶体管的单晶有源层,然后将其构造为形成用于有源矩阵基底的像素。

    掩模检查装置和方法以及虚拟图产生装置和方法

    公开(公告)号:CN101826475A

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN201010107033.8

    申请日:2010-01-29

    Inventor: 赵赞衡 闵卿旭

    CPC classification number: G03F1/84 H01L51/0011

    Abstract: 本发明涉及一种掩模检查装置和方法以及虚拟图产生装置和方法。掩模检查装置用于检查以期望图案进行沉积中所用到的具有多个开口的掩模,能够通过掩模的开口检查掩模的缺陷。掩模检查装置包括:检测单元,检测掩模的开口中的每一个的边界线;存储单元,存储待被利用掩模执行沉积的部件的信息;设置单元,利用所存储的待被执行沉积的部件的信息为开口中的每一个设置第一边界线、第二边界线和安全区域,其中第一边界线形成沉积区域的轮廓,第二边界线包围第一边界线,安全区域插入在第一边界线与第二边界线之间;以及控制单元,确定被检测单元检测的掩模的边界线是否不接触第一边界线和第二边界线以及边界线是否在安全区域中。

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