公开(公告)号：CN101985745B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201010238929.X

申请日：2010-07-28

申请人： 丽佳达普株式会社

发明人： 李在珷

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/44

摘要： 本发明提供一种化学气相沉积装置，其包括：腔室，构成用于在基板上形成薄膜的处理空间；喷淋头，向上述处理空间喷射工艺气体；腔室盖，开闭上述腔室；铰接部，用于将上述腔室盖的一侧结合在上述腔室上，使得上述腔室盖可转动；夹具部，对上述腔室盖的另一侧施加压力，使上述腔室盖接合在上述腔室上；以及倾斜调节部，在上述夹具部对上述腔室盖的另一侧施加压力的状态下，使上述腔室盖的一侧上升，以此调节上述腔室盖的倾斜。

公开(公告)号：CN102804413A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080063863.3

申请日：2010-07-16

申请人： 丽佳达普株式会社

发明人： 洪性在 ,  韩锡万 ,  陈周 ,  郑镇烈

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L21/67754 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67766

摘要： 在衬底上形成薄膜的过程中，需要一种衬底处理方法来提高过程效率并形成高质量的薄膜。为此，根据本发明的衬底处理方法包括：在第一腔中通过气相沉积过程在衬底上形成包括III族元素和V族元素的n型层；将所述衬底从所述第一腔取出到缓冲腔，然后将所述衬底送入不同于所述第一腔的第二腔；以及在所述第二腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的有源层。

公开(公告)号：CN102683254A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201110274943.X

申请日：2011-09-16

申请人： 丽佳达普株式会社

发明人： 黄载锡

IPC分类号： H01L21/683

摘要： 本发明涉及附着模块、附接基板的设备及制造附着衬垫的方法。该附着模块包括框架以及在框架的一侧上提供且能够通过分子之间的吸引力来附着基板的附着衬垫，该附着衬垫包括其中多个附着凸起被分组布置的多个附着部分。根据本发明的示例性实施方式，用于稳固地布置基板的额外动力和电力的附加使用被最小化，使得与常规静电卡盘相比，使用效率和安全性可以得到改善。而且，可以防止在使用静电卡盘的情况中由于残余静电产生的基板上的污染，与静电卡盘相比，制造成本低。

公开(公告)号：CN102640260A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN200980162740.2

申请日：2009-11-02

申请人： 丽佳达普株式会社

发明人： 洪性在

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/67248 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/68792

摘要： 一种不需要特定的复杂或昂贵装置也能够感测衬托器表面和晶片表面的温度差异的方法。为了实现此目标，本发明提供一种化学气相沉积设备，该设备包括：腔室；衬托器，可转动地布置在所述腔室中并且在该衬托器上侧上堆叠晶片；气体供应器，设置在所述腔室中并且向所述晶片喷射气体；加热器，设置在所述衬托器中并且加热所述晶片；温度传感器，设置在所述腔室中并且测量所述衬托器的温度；转动识别标志，装配在与所述衬托器一起一体转动的位置；转动识别传感器，设置在所述腔室中以便判断所述衬托器的转动状态，并且探测所述转动识别标志；以及控制器，利用转动识别传感器和温度传感器计算所述衬托器的上侧的温度分布，并且基于所述温度分布控制所述加热器。

公开(公告)号：CN102115879A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010612966.2

申请日：2010-12-30

申请人： 丽佳达普株式会社

发明人： 孙亨圭

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/505 ,  C23C16/513

摘要： 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置在腔室的外部(大气中)和内部(真空环境)分别具备天线，并且腔室外部的天线配置在中央部，腔室内部的天线配置成靠近腔室的墙面侧。因此，能够整体上均匀地形成等离子体，同时能够提高等离子体的密度，具有提高基板处理效率的效果。

公开(公告)号：CN102102196A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010502119.0

申请日：2010-09-30

申请人： 丽佳达普株式会社

发明人： 洪性在 ,  李弘源 ,  韩锡万 ,  陈周

IPC分类号： C23C16/52

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52

摘要： 本发明提供了化学气相沉积装置的温度控制方法。该方法可以准确地了解晶座的表面温度与基板的表面温度之间的差异而无需使用复杂并且昂贵的设备。该方法包括以下步骤：检测顶表面上装载有基板的晶座的旋转状态；测量所述晶座的顶表面的温度；基于检测到的旋转状态和测量出的温度来计算所述晶座的顶表面的温度分布；以及基于计算出的温度分布来控制所述晶座的顶表面的温度。

公开(公告)号：CN101985745A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN201010238929.X

申请日：2010-07-28

申请人： 丽佳达普株式会社

发明人： 李在珷

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/44

摘要： 本发明提供一种化学气相沉积装置，其包括：腔室，构成用于在基板上形成薄膜的处理空间；喷淋头，向上述处理空间喷射工艺气体；腔室盖，开闭上述腔室；铰接部，用于将上述腔室盖的一侧结合在上述腔室上，使得上述腔室盖可转动；夹具部，对上述腔室盖的另一侧施加压力，使上述腔室盖接合在上述腔室上；以及倾斜调节部，在上述夹具部对上述腔室盖的另一侧施加压力的状态下，使上述腔室盖的一侧上升，以此调节上述腔室盖的倾斜。

公开(公告)号：CN101985742A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN201010278401.5

申请日：2010-07-28

申请人： 丽佳达普株式会社

发明人： 李在珷

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574

摘要： 本发明涉及一种用于化学气相沉积设备的气体喷射单元，该气体喷射单元通过使冷却剂流畅流动可以进行均匀地冷却，并且易于制造。该用于化学气相沉积设备的气体喷射单元尤其包括：气体分配壳体；冷却壳体，该冷却壳体位于所述气体分配壳体和执行沉积处理的处理室之间，并形成有用于引入冷却剂的冷却剂入口和用于排放冷却剂的冷却剂出口；处理气体管，该处理气体管的一端通向所述气体分配壳体，该处理气体管的另一端通向所述处理室，该处理气体管贯穿所述冷却壳体；以及第一壁部，该第一壁部位于所述冷却壳体内，并将所述冷却壳体的内部分隔为中央通路和外围通路，该第一壁部形成有使所述中央通路与所述外围通路连通的通孔。

公开(公告)号：CN102386118B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201110255380.X

申请日：2011-08-10

申请人： 丽佳达普株式会社

发明人： 黄载锡

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

摘要： 一种基板粘合装置以及基板粘合方法，该基板粘合装置包括：腔体；上表面板，其被布置在腔体内部，并且上表面板包括用于粘结上基板的粘结部件、和进行膨胀以使上基板与粘结部件分离的隔膜；下表面板，其被布置在腔体内部，下表面板与上表面板相对，并且下表面板支撑要被粘合到上基板的下基板；升降驱动器，其驱动下表面板上、下移动；以及控制器，控制升降驱动器朝着上表面板移动以对上基板和下基板进行粘合，并且当隔膜膨胀时控制升降驱动器，以使得下表面板的向下移动速度能够逐步变化。因此，当使粘结到粘结卡盘的基板与粘结卡盘分离时，对粘结到粘结卡盘上的上基板的分离速度进行控制以稳定地保持上基板的粘合位置，从而提高了基板的粘合效率。

公开(公告)号：CN104746048A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310751630.8

申请日：2013-12-31

申请人： 丽佳达普株式会社

发明人： 吴基荣

IPC分类号： C23C16/455

摘要： 本发明所公开的是一种原子层沉积装置。所述装置包括反应室、承受器、气体喷射器和排气单元。所述承受器设置在所述反应室中，基板位于所述承受器上。所述气体喷射器设置在所述承受器上方，并且将所述承受器上方限定的空间分隔成多个预定的空间。所述气体喷射器供应来源气、反应气和吹扫气到所分隔的空间中分别布置的基板上。所述排气单元设置在所述承受器上方并且设置成与所述气体喷射器相邻。所述排气单元向上引导来源气、反应气和吹扫气的排气流。