公开(公告)号：CN101467228A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021880.9

申请日：2007-06-12

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  日新离子机器株式会社

Inventor： 石川顺三 ,  丹·尼古拉斯库 ,  后藤康仁 ,  酒井滋树

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/026 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/31701

Abstract: 一种具有场发射电子源(10)的离子辐射装置，其中，所述场发射电子源(10)设置在离子束(2)的路径的附近并且发射电子(12)。场发射电子源(10)以一个方向设置，沿着该方向，由从电子源(10)发射的电子(12)与平行于离子束(2)的行进方向的方向所形成的入射角处于－15度至+45度的范围内(离子束(2)的内向方向是“+”，以及其外向方向是“－”)。

公开(公告)号：CN101162679A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710180290.2

申请日：2007-10-11

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 山下贵敏 ,  池尻忠司 ,  田中浩平 ,  赵维江 ,  田中秀之

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

Abstract: 一种构成离子注入机的分析电磁石，它具有第一内线圈、第二内线圈、三个第一外线圈、三个第二外线圈和轭。内线圈是马鞍形线圈，相互合作以产生在X方向上弯曲离子束的主磁场。每一个外线圈是马鞍形线圈，其产生校正主磁场的次磁场。每一个线圈具有凹槽部分位于扇形圆柱形叠层线圈中的结构，所述叠层线圈配置如下：在迭片绝缘体的外围表面上缠绕绝缘片和导体片的迭片多匝；以及在外围表面上形成迭片绝缘体。

公开(公告)号：CN119340266A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410824473.7

申请日：2024-06-25

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 村山乔之 ,  平井裕也 ,  赵维江

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶片固定方法和半导体制造装置，能够减少晶片脱离时产生的应力释放导致的不利情况的发生。利用具备机械夹具(M)和静电吸盘(E)并且在半导体制造装置中使用的晶片固定工具(F)，在晶片(W)的处理温度为比室温高的第一基准温度(T1)以上时，仅使用机械夹具(M)固定晶片(W)。另外，半导体制造装置(IM)具备：晶片固定工具(F)，并用机械夹具(M)和静电吸盘(E)固定晶片(W)；以及控制装置(C)，控制晶片(W)的固定，控制装置(C)在晶片(W)的处理温度为比室温高的第一基准温度(T1)以上时仅使用机械夹具(M)固定晶片(W)。

公开(公告)号：CN116705577A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202211453722.3

申请日：2022-11-21

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 平井裕也 ,  岩波悠太 ,  糸井骏 ,  足立昌和

IPC: H01J27/02 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明提供一种阴极支承件及离子源，改善进行灯丝与阴极之间的间隔调整时的作业性。阴极支承件具备：筒状或棒状的阴极支架(1)，在一端支承阴极(6)，在另一端具有凸缘部(2)；及夹持件(3、4、5)，支承阴极支架(1、61)，夹持件(3、4、5)在阴极支架(1、61)的轴向上具有第一调整面(31、41、51)和第二调整面(32、42、52)，通过使阴极支架(1、61)绕阴极支架(1、61)的轴旋转且在阴极支架(1、61)的轴向上移动，能够实现凸缘部(2)从第一调整面(31、41、51)向第二调整面(32、42、52)的配置。

公开(公告)号：CN111383973B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201910783397.9

申请日：2019-08-23

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 西村一平 ,  小野田正敏

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种基板保持装置，能够避免使装置整体大型化且高成本而将基板从基板保持架抬起。基板保持装置具备：保持基板(W)的基板保持架(3)；使基板保持架(3)旋转的旋转机构(10)；多个升降销(P)，在位于比基板保持架(3)的基板载置面(3a)靠下方处的退避位置(x)与从该基板载置面(3a)突出的突出位置(y)之间升降移动；及动力传递机构(20)，介于旋转机构(10)与升降销(P)之间设置，将旋转机构(10)的使基板保持架(3)旋转的动力变换为使升降销(P)在退避位置(x)与突出位置(y)之间移动的动力而向升降销(P)传递。

公开(公告)号：CN115241032A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210210121.3

申请日：2022-03-03

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 井内裕 ,  土肥正二郎

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供结构简单且即使大型化的情况下材料费用也较低的离子源。离子源(IS2)具有：等离子体容器(1)；多个平板状电极(2‑4)，排列在从等离子体容器(1)引出离子束的方向上；以及筒状部件(6)，位于抑制电极(4)的下游侧，平板状电极(2‑4)在离子束引出方向的最下游侧具有抑制电极(4)，所述抑制电极(4)被施加有用于排斥电子的负电压。

公开(公告)号：CN114695038A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110973725.9

申请日：2021-08-24

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 永尾友一 ,  宇井利昌 ,  安田圭佑

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种空心阴极及离子源，能够将成为在等离子体生成容器中生成的等离子体的原料的原料气体及电子通过空心阴极稳定地供给到等离子体生成容器。在安装于离子束照射装置的离子源所具有的等离子体生成容器的空心阴极及具备该空心阴极的离子源中，该空心阴极具备电子放出构件，该电子放出构件通过被加热而放出电子，并形成有内部流路。被设为向内部流路导入原料气体并将通过了内部流路的原料气体及在内部流路中生成的电子供给到等离子体生成容器的结构，而且，电子放出构件由单质金属形成。

公开(公告)号：CN110828269B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201910358773.X

申请日：2019-04-30

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 锹田雄介

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能节约用于抑制离子束膨胀的离子束中和用气体量的方法和离子注入装置。在从导入离子源的掺杂气体的等离子体通过引出电极引出的离子束中，当所述掺杂气体含卤时，不向离子束轨道供给中和用气体，当所述掺杂气体不含卤时，向离子束轨道供给中和用气体。

公开(公告)号：CN114188202A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110715711.7

申请日：2021-06-25

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 后藤亮介 ,  小野田正敏 ,  中泽喜之

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种基板保持装置以及离子注入装置，能够抑制保持基板的支架变形。所述基板保持装置具备：保持基板的支架；与支架接合并规定支架的旋转轴的轴部件；以及支承轴部件的支架支承部件，通过使支架绕规定的旋转轴进行旋转动作而能够在倒伏位置与立起位置之间移动，支架具备：彼此分离地配置在旋转轴上的多个基板支承部件；以及将多个基板支承部件的一端部连结的第一连结部件，轴部件沿着所述旋转轴与各基板支承部件接合。

公开(公告)号：CN107104030B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610838817.5

申请日：2016-09-21

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 高桥直也 ,  藤田秀树 ,  吉村洋祐 ,  酒井滋树

IPC: H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种离子束照射装置，与以往相比能够使包含在离子束中的不需要的离子减少。该离子束照射装置包括：离子源(2)；质量分离器(3)，从由离子源(2)引出的离子束(IB)中挑选并导出确定的质量和价数的掺杂离子；以及能量过滤器，形成离子束(IB)通过的束通过区域，并且通过被施加过滤器电压(VF)而成为规定的过滤器电位(Vfil)，利用离子的能量差，区分通过所述束通过区域的通过离子和不通过所述束通过区域的非通过离子，以使所述通过离子中包含所述掺杂离子并且使所述非通过离子中包含在质量分离器(3)中不能与所述掺杂离子区分的不需要的离子的至少一部分的方式设定过滤器电位(Vfil)。