公开(公告)号：CN100377454C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200410004848.8

申请日：2004-02-06

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 畑雅幸 ,  户田忠夫 ,  冈本重之 ,  井上大二朗 ,  别所靖之 ,  野村康彦 ,  山口勤

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。

公开(公告)号：CN1182637C

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN00137722.1

申请日：2000-12-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井上大二朗 ,  广山良治 ,  竹内邦生 ,  野村康彦 ,  畑雅幸

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2227

Abstract: 在具有突出部分的p-涂层上依次形成在突出部分上具有带状开口的载流子积蓄防止层、低载流子浓度层及n-电流阻挡层。低载流子浓度层具有比n-电流阻挡层更低的载流子浓度。载流子积蓄防止层的禁带宽度设定为p-涂层的禁带宽度与低载流子浓度层的禁带宽度之间的值。或，在n-载流子积蓄防止层上形成低载流子浓度第1电流阻挡层及反向导电型第2电流阻挡层，在反向导电型第2电流阻挡层以及p-接触层上形成p-接触层。

公开(公告)号：CN1519998A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410004848.8

申请日：2004-02-06

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 畑雅幸 ,  户田忠夫 ,  冈本重之 ,  井上大二朗 ,  别所靖之 ,  野村康彦 ,  山口勤

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。

公开(公告)号：CN1489248A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03159420.4

申请日：2003-09-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野村康彦 ,  井上大二朗 ,  畑雅幸 ,  狩野隆司

IPC: H01S5/323 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0218 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供氮化物系半导体激光元件，能谋求激光的稳定化，同时抑制阈值电流和动作电流的增大。该氮化物系半导体激光元件包括由经掺杂的氮化物系半导体及硅化物系材料二者之一组成的基板，形成于基板上的n型包层，由形成于n型包层上的氮化物系半导体构成的活性层，形成于活性层上的p型包层，活性层，仅在n型包层及p型包层之间中的活性层与p型包层之间形成的光导层。