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公开(公告)号：CN1841864B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610066495.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/30 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在能够减小阈值电流的同时还能够提高发光效率的半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：具有主表面的半导体基板；以及形成在半导体基板的主表面上，并具有相对于半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时，包括发光层的半导体元件层。
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公开(公告)号：CN102384617A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110250073.2
申请日：2011-08-29
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种容量控制型螺旋式冷冻装置的运转控制方法。即便高压侧压力异常上升，也不使冷冻装置停止而尽可能地防止冷冻装置停止。该容量控制型螺旋式冷冻装置具有螺旋式压缩机，并具有：对该螺旋式压缩机的制冷剂吸入侧即低压侧压力进行检测的低压侧压力传感器和对制冷剂排出侧即高压侧压力进行检测的高压侧压力传感器，作为所述容量控制型螺旋式冷冻装置的运转模式，能够选择满载运转、相对于该满载运转使冷冻能力降低的卸载运转、以及停止。若所述高压侧压力传感器检测的高压侧压力值(PH)超过规定值(P1)且持续第一规定时间(t1)，则进行控制以使卸载运转强制地在第二规定时间(t2)进行。
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公开(公告)号：CN102384616A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110197936.4
申请日：2011-07-15
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种冷冻装置。冷冻冷藏柜等所使用的两级螺旋式压缩机根据压力开关的压力检测结果进行容量控制。由于冷冻冷藏柜等的柜内温度的控制状态因压力开关的工作设定值而异，因此，该工作设定值变得重要，对该条件的把握变得重要。本发明能够对两级螺旋式压缩机的运转选择采取容量控制模式或采取单纯的开/关控制模式。作为使压力开关进行接通/断开操作的设定值，具备进行两级螺旋式压缩机的容量控制的第一控制值和进行单纯的开/关运转控制而不进行容量控制的第二控制值。具备对第一控制值和第二控制值中的任一值进行选择的选择机构。当选择第一控制值时，成为容量控制模式；当选择第二控制值时，成为单纯的开/关运转控制模式。
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公开(公告)号：CN101114549A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710110128.3
申请日：2003-12-16
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种一面充实电子式数字压力开关的功能并改善便利性，一面防止扩大尺寸的电子式数字压力开关。在检测压力并产生输出信号的数字压力开关(1)中，备有根据检测压力而进行接通和断开并且可以设定该接通值和断开值的接点输出端、以数字显示检测压力并且通过切换以数字显示接点输出端的接通值和断开值的显示装置、用于将外部配线连接在接点输出端的端子板(10)、以及与检测压力相应地改变输出值的模拟输出线(7)，并从基板(14)直接引出模拟输出线(7)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1447485A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03108827.9
申请日：2003-03-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。该方法具有浸蚀由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面的工序和在该浸蚀过的第1半导体层背面上形成n侧电极的工序。
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公开(公告)号：CN1281204A
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN99118954.X
申请日：1999-09-01
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G09F9/33
Abstract: 本发明提供的数字式显示装置是通过并排设置多个位的、由显示8字用的七个分段的发光二极管构成的发光二极管显示部分而构成的。其具有对数字式显示部分的周围边缘进行修整而设的面板,在与数字式显示部分的最上端位的发光二极管显示部分的左下端相对应位置的所述面板上设有小数点显示,因此,即使因显示单位变更而造成必须显示至低一位数值的情况下,也可利用小数点显示来显示小数点,达到与要求的数值相对应的结果。
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公开(公告)号：CN102384616B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201110197936.4
申请日：2011-07-15
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种冷冻装置。冷冻冷藏柜等所使用的两级螺旋式压缩机根据压力开关的压力检测结果进行容量控制。由于冷冻冷藏柜等的柜内温度的控制状态因压力开关的工作设定值而异，因此，该工作设定值变得重要，对该条件的把握变得重要。本发明能够对两级螺旋式压缩机的运转选择采取容量控制模式或采取单纯的开/关控制模式。作为使压力开关进行接通/断开操作的设定值，具备进行两级螺旋式压缩机的容量控制的第一控制值和进行单纯的开/关运转控制而不进行容量控制的第二控制值。具备对第一控制值和第二控制值中的任一值进行选择的选择机构。当选择第一控制值时，成为容量控制模式；当选择第二控制值时，成为单纯的开/关运转控制模式。
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公开(公告)号：CN101459318B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910000559.3
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/0243 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/0075 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。
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公开(公告)号：CN101329130B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200810125669.8
申请日：2008-06-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: F25B49/02
Abstract: 本发明提供一种冷冻机的控制装置，能以低成本高精度地控制至少一台以上的压缩机，特别对于其他种类的冷冻机也能高精度地进行容量控制。本发明的冷冻机控制装置根据至少一台以上压缩机的低压侧压力来控制压缩机的运转，包括：用于设定压缩机低压侧压力设定值的低压侧压力设定操作机构、检测压缩机低压侧压力的低压压力传感器(低压侧压力检测机构)、根据该低压压力传感器检测的压缩机低压侧压力和低压侧压力设定操作机构设定的设定值来按规定的控制方式实行压缩机运转控制的控制机构、用于切换设定冷冻机冷冻循环所使用的制冷剂种类的切换操作机构，控制机构根据切换操作机构所设定的制冷剂种类来变更低压侧压力设定操作机构所能设定的压力范围。
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