公开(公告)号：CN105441906A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510615968.X

申请日：2015-09-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本间学

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板载置单元的制造方法。该基板处理装置包括：处理室；基座；固定轴，其贯穿该基座；第1固定构件，其供该固定轴插入嵌合，用于自上表面侧固定基座；第2固定构件，其供固定轴插入嵌合，用于自下表面侧固定基座；施力部件，其设置在比基座靠下方的区域，对固定轴朝下施力并对第2固定构件朝上施力，该施力部件借助第2固定构件自下表面侧固定基座；以及卡定构件，其设置在比基座靠上方的区域，该卡定构件与固定轴相卡合并与施力部件协同动作而按压第1固定构件，从而借助第1固定构件自上表面侧固定基座，基座、第1固定构件以及卡定构件由对腐蚀性气体的耐腐蚀性高于施力部件的材料构成。

公开(公告)号：CN102965643B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210315948.7

申请日：2012-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 榎本忠 ,  大泉行雄 ,  本间学

IPC: C23C16/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和成膜装置。基板处理装置包括：处理容器；旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部以热容量小于其他区域的热容量的方式构成；加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。

公开(公告)号：CN102134709B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201010621810.0

申请日：2010-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学 ,  竹内靖

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68764 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置在真空容器内使载置有多个晶圆的旋转台旋转，晶圆依次与供给到第1和第2处理区域中的第1和第2反应气体接触，在晶圆的表面形成薄膜，设有进行使第1反应气体吸附于晶圆表面的处理的第1处理区域、及面积大于该第1处理区域的面积的、进行使第2反应气体与吸附在晶圆表面的第1反应气体发生化学反应的处理的第2处理区域，与吸附相比，能够将化学反应的处理时间确保得较长，即使提高旋转台的转速，也能够充分地进行与金属吸附相比需要更长时间的化学反应而进行良好的成膜处理。

公开(公告)号：CN102888595A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210251657.6

申请日：2012-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本间学

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45548

Abstract: 本发明提供成膜装置及基板处理装置。成膜装置包括：多个处理区域，在旋转台的旋转方向上相互分开地设置；多个反应气体供给部件，向多个处理区域分别供给种类互不相同的反应气体；分离区域，在旋转方向上位于处理区域之间，将多个处理区域的气氛气体相互分离，设有用于供给分离气体的分离气体供给部件；多个排气口，设在处理容器上，分别排出多个处理区域的气氛气体；排气路径形成构件，针对每个处理区域独立地形成开口部和排气路径，使得所排出的各个处理区域的气氛气体彼此不会混合，开口部分别开设于多个处理区域，排气路径将处理区域的气氛气体从各个开口部向所对应的排气口引导，能利用排气路径形成构件来改变开口部在旋转方向上的位置。

公开(公告)号：CN101665927B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200910172127.0

申请日：2009-09-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法。在真空容器内供给至少两种反应气体而在基板上形成薄膜的成膜装置包括：旋转台；上述旋转台上的基板载置部；相互分离地设置，在上述旋转台上分别将第1、第2反应气体供给到第1、第2处理区域的第1、第2反应气体供给部件；位于上述第1、第2处理区域之间，具有供给第1分离气体的第1分离气体供给部件和顶面的分离区域；位于上述真空容器内部，形成有喷出第2分离气体的喷出孔的中心部区域；排气口；使上述旋转台以上述基板通过上述第1处理区域时的上述旋转台的角速度与上述基板通过上述第2处理区域时的旋转台的角速度为不同的角速度的方式旋转。

公开(公告)号：CN102108502A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010621798.3

申请日：2010-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大泉行雄 ,  本间学

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供成膜装置及成膜方法。将沿基板的周向呈环状形成在基板载置区域的周缘的环构件固定于贯穿旋转台地升降自如的升降销。在将基板输送至凹部内后，使升降销下降而将环构件放置到与基板的表面周缘部接触的位置或该位置的稍微上方，在基板要浮起时将其卡定而防止其飞出。

公开(公告)号：CN101859694A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010145553.8

申请日：2010-04-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学 ,  菊地宏之

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/46 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/482 ,  C23C16/54 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。通过使载置有晶圆的旋转台绕铅垂轴线旋转，向晶圆的表面供给第一反应气体而使该反应气体吸附在晶圆的表面上，接下来，按照与该第一反应气体发生反应而生成具有流动性的中间产物的辅助气体以及与该中间产物发生反应而生成反应生成物的第二气体这样的顺序向晶圆的表面供给，然后，通过加热灯加热晶圆而使反应生成物致密化。

公开(公告)号：CN101826447A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010122656.2

申请日：2010-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  G01B11/0683 ,  G01N21/211 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该公开的成膜装置在真空容器的顶板上具有透射窗，利用透过该透射窗向基座上的晶圆照射光来测量所形成的膜的膜厚。具体地讲，膜厚测量系统包括：配置在透射窗的上表面上的3个光学单元；利用光学方式分别与各个光学单元相连接的光纤线；利用光学方式与这些光纤线相连接的测量单元；以及为了对测量单元进行控制而与测量单元电连接的控制单元。

公开(公告)号：CN101748389A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910207483.1

申请日：2009-11-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本间学

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68707 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供一种成膜装置、成膜方法、半导体制造装置及其所用的基座。所公开的半导体制造装置包括：对基板进行规定处理的容器；基板输送臂，包括支承基板(W)的背面周缘部的爪部，能进入容器内或从容器内退出；基座，包括台阶部和用于载置基板的载置区域，该台阶部被设置成使爪部能移动到比载置区域的上表面低的位置。

公开(公告)号：CN101736320A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910223097.1

申请日：2009-11-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  B08B7/00 ,  B08B5/00

CPC classification number: B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜装置的清洁方法。所公开的成膜装置包括：基座，其能旋转地设置在容器内，在一个面上具有用于载置基板的基板载置部；气体供给系统，其对上述基座的上述一个面供给原料气体；清洁用构造体，其具有：配置在基座的上方，朝着基座的上表面开口，并划分出倒凹状空间的第1凹状构件；在第1凹状构件的上方，朝着第1凹状构件开口并与第1凹状构件间划分出气体流路的第2凹状构件；向倒凹状空间供给清洁气体的气体供给部；以及与气体流路连通并向容器的外部延伸的排气管；以及排气口，其形成在容器上，用于对原料气体进行排气。