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公开(公告)号：CN110224034A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910411818.5
申请日：2019-05-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L27/144
摘要： 本发明公开了一种具有谐振选频功能的金属微腔红外探测器。探测器通过探测材料的红外吸收特性与微腔结构的谐振选频特性的有机结合，可以实现红外波段的窄带探测以及光谱成像探测。具体来说，通过将红外探测材料置于微腔结构内部，基于微腔结构的共振模式，入射红外光耦合进入微腔后，只有特定波长的光能够在微腔内部形成稳定的谐振模式，进而被探测材料吸收探测，从而实现免滤光或分光的选频窄带探测。器件的探测波长可以随微腔结构尺寸的调整而调整，因此，这种集成了微腔结构的红外探测器同时具有在像元级尺寸上实现波长选择探测的能力。通过不同像元的组合，可以方便地实现具有光谱探测识别能力的焦平面探测器芯片。
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公开(公告)号：CN104183658A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410403444.X
申请日：2014-08-15
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/101
CPC分类号： H01L31/101 , H01L31/035236
摘要： 本发明公开了一种势垒级联量子阱红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长七个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱组成。由于本发明采用了级联隧穿结构，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子阱红外探测器更强的光电信号，从而更加适用于量子阱红外焦平面器件用。
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公开(公告)号：CN103107230A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201110358927.9
申请日：2011-11-14
申请人： 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0248 , G01J1/42
摘要： 本发明公开了一种量子阱太赫兹探测器，该探测器由多量子阱芯片和超导磁体系统组成。通过施加外加磁场，对多量子阱芯片势垒层中施主能级与势阱层中子带能级间相互作用进行有效调控，导致电子从势阱层中基态子带能级向势垒层中施主能级转移，并利用势垒层中施主能级间的电子跃迁来探测入射THz辐射。本发明在外加磁场增加到临界磁场Bc以后，由于利用了施主能级间的电子跃迁来进行THz探测，本发明的量子阱太赫兹探测器不需要光栅耦合或45度磨角耦合，能在正入射条件下吸收响应THz辐射，克服了传统量子阱结构探测器原理上导致的缺点，大幅度提高了响应度。
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公开(公告)号：CN102185025A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110082811.7
申请日：2011-04-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海中科高等研究院 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程，可以使得光电功能器件的光耦合效率大大提升。本金属波导微腔工艺制程的要点是利用过渡基底材料实现功能器件薄膜的上、下表面金属结构的制备；利用两层石蜡工艺使得功能器件薄膜的制备以及在不同基底材料之间的转移成为可能。本工艺制程具有广泛的通用性，功能器件薄膜的厚度可以从百纳米到百微米，金属光耦合结构的特征尺寸可以从纳米尺度(电子束光刻)到微米尺度(紫外光刻)，响应的入射光可以从可见到太赫兹波段。长波量子阱红外探测器的实施实例表明本工艺制程可以优化器件的光谱响应和大大提高器件的红外响应率。
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公开(公告)号：CN101551294B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200910050313.7
申请日：2009-04-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，该方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号，判断由光照引起的表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据，通过相应的数值模拟，得出测量区域具体漏电通道的大小。利用本方法可以直接、明确地得出器件具体的表面漏电特性，从而为器件漏电的抑制提供有针对性的参数。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN100580959C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810035501.8
申请日：2008-04-02
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/052 , H01L31/0376 , H01L31/075
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种可见—红外波段吸收的非晶薄膜太阳能电池，该电池包括：衬底，在衬底上通过磁控溅射方法生成的二个串联的薄膜太阳能子电池。所说的二个串联的薄膜太阳能子电池是由依次排列生成在衬底上的吸收红外波段的非晶碲镉汞薄膜子电池和吸收可见光波段的非晶硅薄膜子电池组成。在非晶硅薄膜子电池的顶层上生成有透明导电的ITO防反射层。本发明的最大优点是：拓宽了太阳光谱从可见—红外波段的吸收；其次，薄膜电池采用非晶材料，制备工艺简单，造价低廉，同时不受衬底生长条件的限制，可以选择价格低廉的衬底，能够降低电池的制造成本。
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公开(公告)号：CN100580923C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710171905.5
申请日：2007-12-07
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/488
摘要： 本发明公开了一种多重光散射耦合的量子阱红外探测器，该探测器由衬底层，依次逐层生长的下电极层、50个周期的多量子阱层、上电极层，在上电极层上有一浸没在有机粘胶剂中的金属小球或表面镀有金属的小球所形成的列阵层，列阵层上有一金属接触层，金属接触层上有一通过倒装焊接互连的读出电路，实现探测信号的读出。本发明的优点是：1.金属小球列阵取代了传统的光栅，通过金属小球之间的多重光散射产生能够被量子阱子带跃迁吸收的电矢量，该电矢量平行于量子阱层的分量，完成正入射光对量子阱的耦合。2.由金属小球列阵替代了传统的倒焊互连的铟柱，形成各向异性导电层，完成导电功能。由于以上特点，一方面能够提高正入射光的耦合效率，另一方面省去了铟柱的生长，简化了倒焊工艺。
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公开(公告)号：CN100559168C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200810035500.3
申请日：2008-04-02
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种利用荧光光谱测量半导体量子点尺寸分布的方法。该方法通过实测半导体多量子点体系的PL谱；从有效质量近似下的含时微扰的薛定谔方程出发，计算半导体多量子点的PL谱；而后通过理论和实验PL谱对照获得量子点的尺寸分布，其中，PL谱的中心波长对应占比率最大的量子点的复合发光，而PL谱的形状对应尺寸的分布规律。本发明操作简便，耗时短；可以明确获得半导体多量子点体系的尺寸分布。
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公开(公告)号：CN100541832C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710171387.7
申请日：2007-11-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/111
摘要： 本发明公开了一种光伏型多量子阱红外探测器，该探测器由SOI晶片，键合在SOI晶片上的光导型多量子阱红外探测器组成。所说的SOI晶片是一种通过高能粒子辐照处理后，在埋氧层中产生固定电荷的晶片。所说的光导型多量子阱红外探测器为GaAs/AlGaAs、GaAs/InGaAs或Si/GeSi多量子阱红外探测器。本发明的优点在于：该探测器不仅具备了光导型多量子阱红外探测器的基本优越性能，同时也解决了光导探测器暗电流较大的缺陷，从而进一步提高了器件的性能。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN101335309A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810041158.8
申请日：2008-07-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种提高量子点共振隧穿二极管光探测器动态范围的方法。其结构核心部分包括GaAs或InGaAs入射光子吸收层、1010cm－2～1011cm－2量级的高密度InAs自组装量子点及AlGaAs/GaAs双势垒结构层。其工艺核心改进为延长交叉桥共振隧穿二极管器件工艺的退火时间，使得欧姆接触扩散到双势垒结构层。其核心探测途径发明点为在保持原有隧穿二极管对少光子敏感的纵向电流支路的同时，从量子阱引出了另一路横向电流，该横向电流由二维电子气组成，受量子点电场的强烈调制，可反映入射光强的连续变化。本发明器件优点是器件结构和工艺的改进均兼容原有设备，但多光子探测灵敏度相比原有器件有了大幅度提升。
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