公开(公告)号：CN101740648A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910244847.3

申请日：2009-12-17

申请人： 南开大学

发明人： 张建军 ,  尚泽仁 ,  倪牮 ,  曹宇 ,  王先宝 ,  赵颖 ,  耿新华

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 一种窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、窗口层、本征层、N+层和金属背电极，窗口层为p型微晶硅锗薄膜；该p型微晶硅锗薄膜的制备方法，步骤为：1)将带有透明导电膜的玻璃衬底放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷、氟化锗、硼烷和氢气的条件下，沉积p型微晶硅锗薄膜。本发明的优点是：该硅锗薄膜太阳电池结构新颖；制备的p型微晶硅锗薄膜材料具有带隙和晶化率可调、电导率高的优点且制备工艺简单、容易操作、制造成本低；采用该材料的硅锗薄膜太阳电池优化了电池p/i的界面匹配，改善了界面特性，有利于提高电池效率。

公开(公告)号：CN101572279A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910069202.0

申请日：2009-06-10

申请人： 南开大学

发明人： 陈新亮 ,  耿新华 ,  薛俊明 ,  张建军 ,  赵颖

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 一种磁控溅射技术生长新型高迁移率绒面结构IMO/ZnO透明导电薄膜及太阳电池应用的方法。此种技术生长IMO/ZnO薄膜分两个阶段进行。首先，利用溅射技术玻璃衬底上生长高迁移率IMO(即Mo掺杂In2O3)透明导电薄膜，薄膜厚度50－150nm；其次，利用溅射技术生长Al或者Ga低掺杂ZnO薄膜，薄膜厚度500－1200nm，而后借助湿法刻蚀技术创造出绒面结构特征。新型复合TCO薄膜的结构特征是glass/高迁移率IMO薄膜/绒面结构ZnO。典型薄膜电阻率～2－8×10－4Ωcm，方块电阻～5－15Ω，载流子浓度～3－10×1020Ωcm，电子迁移率～30－90cm2V－1s－1，可见光和近红外区域平均透过率～80％。高迁移率绒面结构IMO/ZnO薄膜提高了近红外区域光谱透过(λ＝800－1500nm)，并增强了对入射光的散射，可应用于pin型Si基薄膜太阳电池，尤其是a－Si/μc－Si叠层薄膜太阳电池。

公开(公告)号：CN101562216A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910069035.X

申请日：2009-05-27

申请人： 南开大学

发明人： 张晓丹 ,  赵颖 ,  焦宝臣 ,  魏长春 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  C23C18/02

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 一种具有类金字塔结构的绒面ZnO薄膜的制备方法。本发明以醋酸锌作为Zn源，硝酸铟或醋酸铟作为掺杂铟源，硝酸铝或醋酸铝作为掺杂铝源，硝酸镓或醋酸镓作为掺杂镓源，以无水乙醇和/或水作为溶剂，分别配置成一定浓度的锌源溶液和掺杂源溶液，并混合，再向其中加入冰乙酸；用高纯N2或空气作为载气，把上述反应液输送至薄膜沉积室内进行生长。衬底可为玻璃或不锈钢等，生长温度为300℃－550℃。本发明在不需要B2H6掺杂的情况下，采用廉价无毒的化学药品，利用低成本的超声雾化设备直接获得具有光散射特征的绒面结构的ZnO薄膜；因此本发明对环境不会造成污染，属于“绿色”环保型技术，该方法可适合大面积(例如S＝1.2m×0.6m)ZnO透明导电薄膜的制备。

公开(公告)号：CN101560642A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910068968.7

申请日：2009-05-22

申请人： 南开大学

发明人： 陈新亮 ,  耿新华 ,  张建军 ,  赵颖

IPC分类号： C23C14/30 ,  C23C14/06 ,  H01L31/0224

摘要： 一种利用电子束蒸发技术制备高迁移率Mo掺杂In2O3(即In2O3:Mo－IMO)透明导电薄膜的方法。此种技术生长IMO薄膜分两个阶段进行。高纯度陶瓷靶In2O3:MoO3和O2作为源材料，基片衬底温度～330－400℃，O2分压～5.0－9.0×10－2Pa。首先，利用此种技术低速率～0.1－0.2?/s生长一层缓冲层(buffer layer)IMO薄膜，薄膜厚度30－40nm；其次，提高生长速度至～0.4－1.0?/s，高速率生长IMO薄膜，薄膜厚度50－80nm。典型薄膜电阻率～2.5×10－4Ωcm，方块电阻～22.5Ω，载流子浓度～5.8×1020Ωcm，电子迁移率～47.1cm2V－1s－1，可见光和近红外区域平均透过率～80％。此种工艺技术获得的IMO薄膜光电性能和直接利用低速率生长的薄膜特性相当或更好，并且极大地降低了薄膜生长时间。

公开(公告)号：CN101315958A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810053846.6

申请日：2008-07-15

申请人： 南开大学

发明人： 耿新华 ,  韩晓艳 ,  侯国付 ,  张晓丹 ,  张德坤 ,  魏长春 ,  孙建 ,  赵颖 ,  薛俊明 ,  张建军

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/205

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种高速沉积优质本征微晶硅薄膜的制备方法，利用超高频等离子体增强化学气相沉积技术，其中，将高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程划分为至少两个时间段，每个时间段对应一个输入功率，在所述高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程中，所述输入功率以功率降低梯度呈递减的规则变化。本发明采用逐渐降低输入功率的方法沉积本征微晶硅薄膜，达到控制本征微晶硅薄膜纵向微结构演变和提高微结构致密性，从而提高高速沉积微晶硅太阳电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN101257056A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810052621.9

申请日：2008-04-07

申请人： 南开大学

发明人： 张晓丹 ,  赵颖 ,  魏长春 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/045

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜、I型硅基薄膜和N型硅基薄膜皆采用微晶硅基或纳米硅基薄膜，其中，P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧、非晶硅、非晶硅碳或非晶硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。

公开(公告)号：CN101159297A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710150231.0

申请日：2007-11-19

申请人： 南开大学

发明人： 张晓丹 ,  赵颖 ,  熊绍珍 ,  耿新华

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种SnO2为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述透明导电薄膜为非晶硅碳、非晶硅氧，所述在SnO2衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法为等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化学气相沉积。本发明采用与制备微晶硅太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备微晶硅太阳电池制备同时，原位沉积具有高光透过、种子层和保护层功能的微晶硅太阳电池用透明导电薄膜，不需要更换沉积系统，工艺简单且有利于降低成本。

公开(公告)号：CN101159295A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710150221.7

申请日：2007-11-19

申请人： 南开大学

发明人： 耿新华 ,  韩晓艳 ,  张晓丹 ,  赵颖 ,  侯国付 ,  魏长春 ,  孙健 ,  张德坤

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法，首先利用超高频等离子体增强化学气相沉积方法，控制辉光功率和硅烷浓度，采用第一沉积速率在P层上沉积第一本征微晶硅薄膜层；然后在等离子体辉光不灭的情况下，调节辉光功率和硅烷浓度，采用第二沉积速率在第一本征本征微晶硅薄膜上生长形成第二本征微晶硅薄膜层，所述的第一沉积速率小于所述的第二沉积速率。本发明首先通过采用较低的辉光功率和较小的硅烷浓度，达到用较低沉积速率在P层上沉积，以获得低缺陷态高晶化的本征微晶硅薄膜层，进而提高电池效率。

公开(公告)号：CN1697201A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510013862.9

申请日：2005-06-20

申请人： 南开大学

发明人： 赵颖 ,  张晓丹 ,  耿新华 ,  魏长春 ,  薛俊明 ,  侯国付 ,  仁慧志 ,  张德坤 ,  孙建 ,  张建军 ,  熊绍珍

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及硅薄膜太阳电池的窗口层，特别是p型窗口层的结构和制备技术，属于新能源中薄膜太阳电池的技术领域。硅薄膜太阳电池用p型窗口层，由透明衬底、透明导电薄膜、p型窗口层等组成，其特点在于：P层分为P1和P2两层，P1层是具有高晶化率宽带隙纳米硅的薄膜，厚度比P2层要薄一个数量级。在设计p型窗口层时，采用双层p型掺杂层结构。调控两层的晶化率、掺杂浓度与厚度，来达到晶化和掺杂效果分别完成、最终合成一致达到高电导、高晶化率同时得以满足的效果，为随后微晶硅有源层的生长提供良好晶化基础，并以高电导的p型掺杂提供高开路电压和低的串联电阻，从而在保证稳定性基础上提高电池效率，有利展示薄膜电池低成本的优势。

公开(公告)号：CN1432985A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03105079.4

申请日：2003-03-06

申请人： 南开大学

发明人： 熊绍珍 ,  吴春亚 ,  郭斌 ,  赵颖

IPC分类号： G09G3/32

摘要： 本发明是一种可应用于有机发光二极管(OLED)显示屏的电流分场显示驱动电路。它包括受子场变换信号控制的参考电流单元电路部分，电流输入电路部分和能产生多路相等电流输出的电流输出电路部分。通过将显示周期分为n个时间相等的子场，每个子场输出给OLED显示屏的电流分别为1，2，4，…，2n－1倍单位电流，利用OLED发光与电流的线性关系，实现总共达2n个灰度级的显示。本发明不需要附加电路就能达到精确而且较高的灰度级表示。本发明的电流分场显示驱动电路可以应用到信息显示领域中的各种形式和规模的无源或有源矩阵OLED显示器中，适应于产业化应用。