公开(公告)号：CN1929088A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610114883.4

申请日：2006-08-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西浦隆幸 ,  目崎义雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L23/544 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L33/0095 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在该氮化物半导体基板的加工方法中，首先，准备圆盘状的氮化物半导体基板(20)，其具备多个条纹区域(12)，该多个条纹区域(12)由晶体缺陷密度高于周围的单晶体区域(14)的缺陷集中区域构成。接着，以条纹区域(12)延伸的方向(ST)为基准，在氮化物半导体基板(20)的缘的规定位置形成定向平面(OF)。

公开(公告)号：CN1906738A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001650.7

申请日：2005-04-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀江裕介 ,  西浦隆幸 ,  上村智喜

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板的洗涤方法。该洗涤方法由酸洗涤工序(S11)、纯水洗净工序(S12)和旋转干燥工序(S13)构成。首先，通过将表面被镜面研磨的GaAs基板浸渍到酸性洗涤液中来进行酸洗涤工序(S11)。在酸洗涤工序中，洗涤时间不足30秒。然后，进行用纯水将附着在被洗涤的GaAs基板上的洗涤液冲洗干净的纯水洗净工序(S12)。接着，进行使附着有纯水的GaAs基板干燥的旋转干燥工序(S13)。由此，可以提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板。

公开(公告)号：CN1905149A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610093021.8

申请日：2006-06-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 八乡昭广 ,  西浦隆幸 ,  石桥惠二

IPC: H01L21/66 ,  H01L33/00 ,  G01N21/88

CPC classification number: G01N21/211

Abstract: 本发明提供能够高精度地评价表面的损伤的程度的化合物半导体构件的损伤评价方法及化合物半导体构件的制造方法以及损伤的程度小的氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。进行化合物半导体基板(10)的表面(10a)的分光偏振光分析测定。在利用分光偏振光分析测定得到的光学常数的光谱中，使用包括与化合物半导体基板的能带间隙对应的波长的波长区域的光谱，来评价化合物半导体基板(10)的表面(10a)的损伤。

公开(公告)号：CN1877854A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610091740.6

申请日：2006-06-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西浦隆幸 ,  堀江裕介 ,  坪仓光隆 ,  大滨理

IPC: H01L29/12 ,  H01L31/0256 ,  H01L33/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明涉及化合物半导体衬底，其包括由p型化合物半导体构成的衬底；和包含p型杂质原子的物质，该物质结合在所述衬底的表面上。

公开(公告)号：CN1866476A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610081873.5

申请日：2006-05-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 八乡昭广 ,  西浦隆幸

IPC: H01L21/306 ,  H01L33/00

Abstract: 提供一种抑制杂质或微粒等异物附着在化合物半导体表面的清洗方法和制造方法。本发明的氮化物系化合物半导体的清洗方法，包括：准备氮化物系化合物半导体的工序(基板准备工序(S10))、和清洗工序(S20)。在清洗工序(S20)中，基于pH值为7.1以上的清洗液对氮化物系化合物半导体进行清洗。