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公开(公告)号：CN100511707C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN01145787.2
申请日：2001-12-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L29/7816 , B41J2/14072 , B41J2202/13 , H01L21/26586 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/66674 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件，包括，集成在第1导电类型的半导体衬底上的多个电热转换元件和使电流流过电热转换元件的多个转换器件，转换器件是绝缘栅型FET，每个晶体管包括：在半导体衬底的一主表面形成的第2导电类型的第1半导体区；与第1半导体区相邻形成的提供沟道的第1导电类型的第2半导体区；在第2半导体区表面侧形成的第2导电类型源区；在第1半导体区表面侧形成的第2导电类型漏区；和在沟道区上形成的多个栅电极，之间设有栅绝缘膜；第2半导体区的杂质浓度高于第1半导体区；并列设置的两个漏区之间设置的第2半导体区将漏区横向隔离。
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公开(公告)号：CN101452883A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810175002.9
申请日：2001-12-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L27/088 , H01L29/78 , B41J2/14
Abstract: 半导体器件，包括，集成在第1导电类型的半导体衬底上的多个电热转换元件和使电流流过电热转换元件的多个转换器件，转换器件是绝缘栅型FET，每个晶体管包括：在半导体衬底的一主表面形成的第2导电类型的第1半导体区；与第1半导体区相邻形成的提供沟道的第1导电类型的第2半导体区；在第2半导体区表面侧形成的第2导电类型源区；在第1半导体区表面侧形成的第2导电类型漏区；和在沟道区上形成的多个栅电极，之间设有栅绝缘膜；第2半导体区的杂质浓度高于第1半导体区；并列设置的两个漏区之间设置的第2半导体区将漏区横向隔离。
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公开(公告)号：CN1825611A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510125188.3
申请日：2001-12-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/16 , H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/265 , B41J2/14
Abstract: 半导体器件，包括，集成在第1导电类型的半导体衬底上的多个电热转换元件和使电流流过电热转换元件的多个转换器件，转换器件是绝缘栅型FET，每个晶体管包括：在半导体衬底的一主表面形成的第2导电类型的第1半导体区；与第1半导体区相邻形成的提供沟道的第1导电类型的第2半导体区；在第2半导体区表面侧形成的第2导电类型源区；在第1半导体区表面侧形成的第2导电类型漏区；和在沟道区上形成的多个栅电极，之间设有栅绝缘膜；第2半导体区的杂质浓度高于第1半导体区；并列设置的两个漏区之间设置的第2半导体区将漏区横向隔离。
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公开(公告)号：CN1371134A
公开(公告)日：2002-09-25
申请号：CN01145787.2
申请日：2001-12-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L29/7816 , B41J2/14072 , B41J2202/13 , H01L21/26586 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/66674 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件,包括,集成在第1导电类型的半导体衬底上的多个电热转换元件和使电流流过电热转换元件的多个转换器件,转换器件是绝缘栅型FET,每个晶体管包括:在半导体衬底的一主表面形成的第2导电类型的第1半导体区;与第1半导体区相邻形成的提供沟道的第1导电类型的第2半导体区;在第2半导体区表面侧形成的第2导电类型源区;在第1半导体区表面侧形成的第2导电类型漏区;和在沟道区上形成的多个栅电极,之间设有栅绝缘膜;第2半导体区的杂质浓度高于第1半导体区;并列设置的两个漏区之间设置的第2半导体区将漏区横向隔离。
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