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公开(公告)号：CN102843130A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210348185.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 北京大学
IPC: H03L7/085
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种基于CML逻辑的相位检测器，包括相互连接的采样模块和比较模块，所述采样模块包括由CML锁存器组成的多条采样支路，用于对输入的数据信号进行采样，所述比较模块用于比较所述多条采样支路的采样数据，得到相位比较结果。首先，本发明所采用的锁存器均为CML逻辑，处理差分信号，提高其高频下的抗干扰能力，其次，本发明通过拆分锁存器尾电流源，有效节约了电路在锁存状态时的功耗，从而有效降低了整个相位检测电路的功耗，基于以上两点，本发明实现了在保证相位误差满足系统抖动要求的前提下，降低了的功耗。
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公开(公告)号：CN102751867A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210239819.4
申请日：2012-07-10
Applicant: 北京大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种PMOS正高压电荷泵。本发明的电荷泵采用新型结构，保存原有PMOS开关电荷泵的同时，增加PMOS开关电荷泵栅极控制辅助支路，降低了传输辅助支路中PMOS开关管栅极电压，提高了传输辅助支路中PMOS管电荷导通能力，减小了电压损失，从而提高了输出电压，减小了电压上升时间，提高了电路整体电压上升阶段电压的斜率，同时很好地减小了由栅极控制辅助支路直接控制传输主支路中PMOS管栅极时存在的较大反向电流。
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公开(公告)号：CN102543146A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210018168.6
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京大学
IPC: G11C7/06
Abstract: 本发明公开了一种Flash灵敏放大器，包括：第一反相器和第二反相器；第一放大控制单元，用于控制第一反相器的输入端和第二反相器的输出端之间通断；第二放大控制单元，用于控制第一反相器的输出端和第二反相器的输入端之间的通断；单元阵列位线，用于提供单元位线电位；第一锁存控制单元，用于控制单元阵列位线与第一反相器的输入端之间的通断；参考阵列位线，用于提供参考位线电位；第二锁存控制单元，用于控制参考阵列位线与第二反相器的输入端之间的通断。本发明将放大器的输入和灵敏放大的分开，减少了位线寄生电容对放大器的影响。
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公开(公告)号：CN101236572A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710002980.9
申请日：2007-01-30
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种不依赖于具体的半导体器件模型的自适应参数提取方法，这种方法的输入文件中不仅包含器件测试数据和提取流程控制代码，而且将待提取的模型公式整理为C语言子函数代码，结合待提取的模型参数列表形成一个输入文件，然后按照输入文件中制定的提取流程，采用控制搜索类算法进行参数提取，同时进行进度监控，在整个提取流程结束后，输出模型参数，生成对应的器件模型文件。本发明实现了半导体器件模型自适应性参数提取，不需要对参数提取系统进行重新的组织就可以快速的应用到新的半导体器件解析模型和半解析模型中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115332275B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210867722.1
申请日：2022-07-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供一种像素结构、即时运动检测图像传感器及方法。其中，像素结构，包括：衬底；形成于所述衬底上的掺杂层；所述掺杂层包括一个P型掺杂阱，以及在所述P型掺杂阱中横向间隔形成的一个复位电极、一个N型背掺杂区和一个P型背掺杂区；所述N型背掺杂区和所述P型掺杂阱构成一个光电二极管，该光电二极管用于感光；形成于所述掺杂层上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区包括横向依次设置的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管。相较于现有技术，本申请能够在像素层面实现预处理，从源头精简图像信息的处理，大大减少数据的传输量与计算量，提高系统的运行效率。
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公开(公告)号：CN113329194B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110425927.X
申请日：2021-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: H04N5/378
Abstract: 本申请涉及传感器技术领域，具体而言，本申请涉及一种提取即时运动的图像传感器及其方法。所述传感器包括帧间差分像素，所述帧间差分像素包括感光差分单元、复位单元及输出单元，其中，感光差分单元包括光电二极管、电容和第一晶体管，光电二极管一端连接电源、另一端连接第一晶体管的栅端，该端定义为光生电荷存储节点，第一晶体管的源极连接电源、漏极连接所述电容的上极板，光电二极管用于接收像素上的入射光信号并将其转化为光生电荷存储在光生电荷存储节点。本申请的图像传感器，没在像素中增加复杂的功能模块，在像素阵列信号读出电路中对数据进行选择性输出，能有效减少图像数据传输量、图像处理延迟与资源消耗，进而提高图像处理效率。
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公开(公告)号：CN109859792B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811593345.7
申请日：2018-12-25
Applicant: 北京大学
IPC: G11C16/34
Abstract: 本发明公开一种阈值电压分布预测方法及装置，该方法包括：对固态硬盘进行递增阶跃脉冲编程，统计擦除单元数、每个编程态对应的初始单元数及初始阈值电压分布信息；为每个编程态分配感知电压；保持一定时长，根据擦除单元数、每个编程态对应的初始单元数及感知电压，分别获取每个编程态对应的感知单元数；根据保持噪声模型、每个编程态对应的感知单元数及初始阈值电压分布信息，分别确定每个编程态对应的保持阈值电压分布信息。本发明基于保持噪声模型，对于每个编程态，只需要一次电压感知操作即可还原每个编程态的阈值电压分布信息，实现阈值电压分布的精准快速预测，为读电压优化及ECC的设计提供指导。
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公开(公告)号：CN111044873B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201911349883.6
申请日：2019-12-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请公开了一种基于共享串联电阻的自热效应测试方法和电路结构，包括：将测试设备与电路结构相连，设置测试设备的温度；使用测试设备的输出控制电路结构中器件的工作状态；记录电路结构中待测器件在当前测试条件下的不同功率工作状态下输出的测试数据，确定当前温度下待测器件功率与串联电阻值数据集合；判断是否完成所有温度范围的测试，是则根据得到的不同温度下所有的待测器件功率与串联电阻值数据集合确定待测器件的热阻。通过控制电路结构中器件的工作状态，记录不同温度下所有的待测器件功率与串联电阻值数据集合，从而确定待测器件热阻，对设备要求低且测试方法简单，不依赖于待测器件与传感器件之间的空间位置距离、精度高。
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公开(公告)号：CN110581190A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910785417.6
申请日：2019-08-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种适应亚微米像素的UTBB光电探测器、阵列和方法，包括：硅膜层、埋氧层、掺杂层和衬底，所述衬底、掺杂层、埋氧层和硅膜层依次从下至上设置；所述硅膜层包括相邻的一个NMOS管和一个PMOS管；所述掺杂层包括多个交替排列的N型掺杂区和P型掺杂区。所述NMOS管为一个像素单元，所述PMOS管为一个像素单元。通过在掺杂层采用横向电场，主动使信号电荷向像素内聚集，抑制串扰的能力更强，而且无需浅槽隔离，可以使像素单元进一步缩小。采用横向PN结感光结构，PN结的横向自建电场与埋氧层下垂直方向电场共同作用，使得光生电子可以漂移并聚集在埋氧层下方。横向电场的存在提高了光电转化效率，抑制了像素间串扰，使其更适合于亚微米像素。
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