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公开(公告)号：CN107305852B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201610262775.5
申请日：2016-04-25
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆盘形金属电极，及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台，凸台上放置IGBT模块；圆盘形金属电极布置在下端盖上，其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比，本发明提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，可以在主回路参数一致的条件下，测量多个并联的IGBT芯片的开关波形，从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。
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公开(公告)号：CN114927428A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210568697.7
申请日：2022-05-24
摘要： 本发明涉及一种高致密硅凝胶灌封方法，属于弹性压接型功率器件领域，通过逐层灌封与分阶段脱气相结合的方法，减小每层要脱气的硅凝胶厚度，降低狭小缝隙处硅凝胶的压强，使气泡更容易膨大，进而使其容易脱离缝隙，减少器件封装用硅凝胶中残存气泡，提高封装材料的绝缘能力，进而提升器件的整体耐压能力。
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公开(公告)号：CN114545184A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210159329.7
申请日：2022-02-22
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法，属于压接型IGBT器件领域，罗氏线圈阵列板获取压接型IGBT器件内部各芯片的电流微分信号，模拟多路复用器在主控机的控制下接收被测芯片的电流微分信号，通过积分器还原为被测芯片的电流比例信号，模数转换器将被测芯片的电流比例信号转换为被测芯片的数字电流比例信号，从而主控机获得被测芯片的电流数据。本发明只需要1个积分器和1个模数转换器即可实现多芯片电流的测量，减少硬件资源占用，降低系统复杂度。且本发明充分利用电流周期性和电流波形跨周期基本不变的特性，实现了多芯片电流的跨周期分时测量，同时在电流稳态阶段将模数转换器休眠，降低了系统运行成本。
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公开(公告)号：CN112561577A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011465709.0
申请日：2020-12-14
申请人： 国网新疆电力有限公司经济技术研究院 , 华北电力大学
摘要： 本申请公开了一种配电网工程分项报价标准测定方法，包括：采取问卷调研与现场访谈结合的方式得到配电网工程分项费用调研数据，并对数据进行统计归类、分析处理；确定配电网工程分项内容及工艺工序分析；构建影响要素及影响机理分析体系，明确影响工程建设费用的核心因素中，影响人工、材料、机械资源消耗量水平的最直接因素，使用灰色关联分析法得到在不同的影响因素对造价的影响程度，结合统计分析法和回归分析法对消耗量水平进行测定；明确费用计列标准、设置原则、计算过程，通过费用标准的计算分析，最终得出适用于配电网工程的分项报价标准。
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公开(公告)号：CN110780185B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911050874.7
申请日：2019-10-31
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明公开一种并联均流测试平台及方法和一种金属电极组件。该平台用于IGBT芯片和二极管芯片的并联均流测试；该平台包括现场主控机、高压直流电源、防爆电容器、反向恢复二极管、电抗器、IGBT驱动器、光波信号发生器、罗果夫斯基电流测量线圈组、压接型IGBT器件、示波器组和金属电极组件；IGBT驱动器、反向恢复二极管、压接型IGBT器件和待测芯片按需求连接成被动注入模式或主动开关模式下的测试电路。金属电极组件包括带孔电极板和带插针的电极凸台；通过将插针插入插孔中实现电极凸台与带孔电极板的连接，电极凸台与待测芯片连接。本发明能够根据待测芯片的布局调整电极的布局，适应在不同布局情况下的并联均流测试。
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公开(公告)号：CN109406961B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201811255092.2
申请日：2018-10-26
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明公开一种电力电子器件绝缘试验装置，所述电力电子器件包括单芯片、子模组和集成模块，所述试验装置包括：腔体密封外壳、控制器底座和内部夹具；所述腔体密封外壳为所述电力电子器件提供一个密封的工作环境；所述内部夹具夹置所述电力电子器件，所述内部夹具设置在所述腔体密封外壳内部，所述内部夹具用于为所述电力电子器件提供电压、温度、压力；所述控制器底座分别与所述腔体密封外壳和所述内部夹具连接，所述控制器底座用于控制所述腔体密封外壳内的工作环境和所述内部夹具为所述电力电子器件提供的电压、温度、压力。能够测量在高温高压的工作环境下的电力电子器件的光信号、电信号。
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公开(公告)号：CN107369666B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710671883.2
申请日：2017-08-08
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H01L23/492 , H01L25/07 , H01L21/60
摘要： 本发明公开一种半桥模块和封装方法。所述半桥模块是以两个芯片为子单元的并联分组布设，所述半桥模块包括上半桥模块和下半桥模块；上半桥模块包括多个两芯片直接并联的上半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率端子和一个源极功率端子，下半桥模块包括多个两芯片直接并联的下半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率信号端子和一个源极功率信号端子，下半桥的漏极功率端子与上半桥的源极功率端子电气上是互连的。功率信号端子以及驱动信号端子的结构均为二叉树状结构。采用本发明的半桥模块或封装方法，可以降低电路杂散电感的分布差异，实现较好的碳化硅芯片的均流特性。
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公开(公告)号：CN109827693A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910220725.4
申请日：2019-03-22
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01L5/00
摘要： 本发明公开了一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统，包括集电极、发射极和子模组；集电极、子模组和发射极依次接触连接；子模组设置在集电极和发射极之间；其中，子模组包括半导体芯片、热流及电流传导结构和压力传感器，集电极、半导体芯片、热流及电流传导结构及发射极依次接触连接；压力传感器分别与热流及电流传导结构内壁底面和端面接触连接。本发明提供的压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统能够降低对压力传感器的要求，实现对任意工况下芯片压力分布情况准确测量，突破现有测量方法在正常工况条件下测量的局限性。
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公开(公告)号：CN109541408A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811451468.7
申请日：2018-11-30
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明公开了一种低沸点绝缘液体绝缘特性测试腔，包括腔体、绝缘套管法兰、电极、盲板法兰、横向加热法兰机构和纵向加热法兰机构，腔体包括腔主体和观察窗，腔主体为内部中空的壳体结构，观察窗固定于腔主体首端和尾端，腔主体的侧壁上设置有多个法兰安装孔；绝缘套管法兰、盲板法兰、横向加热法兰机构和纵向加热法兰机构与法兰安装孔配合设置，使测试腔具有横向测试和纵向测试两种结构，且两种测试方案可以灵活调整；电极一端伸入腔主体的内部，另一端穿过套管法兰由密封压帽锁紧固定，在外部旋松密封压帽后抽送电极杆即可完成电极的在线调节，甚至可以通过旋转、更换腔体顶部法兰等方式，在不取出液体的情况下改变腔体内液体的测试方案。
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公开(公告)号：CN108828318A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810160014.8
申请日：2018-02-26
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R27/26
摘要： 本发明属于高频变压器建模技术领域，尤其涉及一种提取级联型隔离变压器寄生电容的方法，包括：基于隔离变压器低频磁效应与高频电容效应来构建单个隔离变压器等效电路模型；将n个隔离变压器级联的模型等效为链式电路计算级联隔离变压器端口阻抗函数；根据零极点分析构建级联隔离变压器端口阻抗谐振频率与电路参数的关系式；用阻抗分析仪测试得到级联隔离变压器的端口开路阻抗谐振频率、级联隔离变压器在低频时输出端开路和短路的情况下的输入端阻抗，并分别计算励磁电感和漏磁电感，并计算隔离变压器的寄生电容。本发明无需内部结构数据即可方便有效地提取出变压器内部的寄生电容，有助于研究级联变压器二端口网络的宽频特性和寄生参数效应。
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