一种暂态电击的模拟测量系统

    公开(公告)号:CN109557437A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201811529410.X

    申请日:2018-12-14

    IPC分类号: G01R31/12

    摘要: 本发明公开一种暂态电击的模拟测量系统,该系统包括:导体模型,配置有支架;电击受体模型,其底部设置有绝缘板;所述电击受体模型与所述导体模型发生暂态电击的触发电击部位设置有放电间隙测控系统,用于监测及控制所述触发电击部位与所述导体模型之间的放电间隙的距离变化;高速数据采集系统,用于控制并测量采样时间内的所述电击受体模型的瞬态电压和瞬态电流,获取暂态电击过程中所述电击受体模型的能量与电荷量的动态特性。通过实施本发明,可获取暂态电击过程中,移动速度对瞬态电流电压的影响,发生暂态电击的精确距离进而确定曝露限值。

    一种电力电子器件绝缘试验装置

    公开(公告)号:CN109406961A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811255092.2

    申请日:2018-10-26

    IPC分类号: G01R31/12 G01R1/04

    摘要: 本发明公开一种电力电子器件绝缘试验装置,所述电力电子器件包括单芯片、子模组和集成模块,所述试验装置包括:腔体密封外壳、控制器底座和内部夹具;所述腔体密封外壳为所述电力电子器件提供一个密封的工作环境;所述内部夹具夹置所述电力电子器件,所述内部夹具设置在所述腔体密封外壳内部,所述内部夹具用于为所述电力电子器件提供电压、温度、压力;所述控制器底座分别与所述腔体密封外壳和所述内部夹具连接,所述控制器底座用于控制所述腔体密封外壳内的工作环境和所述内部夹具为所述电力电子器件提供的电压、温度、压力。能够测量在高温高压的工作环境下的电力电子器件的光信号、电信号。

    场效应晶体管终端结构和二极管器件

    公开(公告)号:CN118969818A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411080728.X

    申请日:2024-08-08

    IPC分类号: H01L29/06 H01L29/861

    摘要: 本发明公开了一种场效应晶体管终端结构和二极管器件,涉及半导体技术领域,场效应晶体管终端结构包括设置于二极管器件漂移区上部的主结、场限环和沟槽结构,场限环为多个,主结设置于漂移区靠近二极管器件的有源器件的一端,沟槽结构设置于漂移区远离有源器件的一端,所有场限环均设置于主结与沟槽结构之间,沟槽结构内填充有绝缘介质。二极管器件包括相互连接的有源器件和场效应晶体管终端结构。本发明能够提高场效应晶体管终端结构的电场均匀性,进而能够提高二极管器件的耐压能力,且能够为二极管器件的绝缘设计提供较好的指导意义。

    一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质

    公开(公告)号:CN113092863B

    公开(公告)日:2023-02-10

    申请号:CN202110391454.6

    申请日:2021-04-09

    IPC分类号: G01R27/02

    摘要: 本发明公开了一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质,方法包括:构建双脉冲测试电路;根据驱动电源的驱动电压值、驱动外电阻的第一预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第一变化率建立关于栅极内阻的第一计算关系式;改变驱动外电阻为第二预设电阻值,根据驱动电源的驱动电压值、第二预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第二变化率建立关于待测功率器件第一端电压和栅极内阻的第二计算关系式;根据第一计算关系式和第二计算关系式计算得到栅极内阻的电阻值。通过实施本发明,采用简单的测试方法和常用的测试仪器即可计算得到功率器件的栅极内阻,具有较高的实用价值。

    一种功率器件均流特性评估实验装置

    公开(公告)号:CN113030608B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202110207863.6

    申请日:2021-02-24

    IPC分类号: G01R31/00 G01R1/04

    摘要: 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置,所述实验装置包括:PCB板和功率器件测试电路;PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座;功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局;本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座,使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局,进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。

    一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法

    公开(公告)号:CN112630615B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202011452092.9

    申请日:2020-12-10

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法,包括:压力夹具,施压装置,压力传感器,压力均衡装置,第一、第二环氧树脂板,压接型IGBT芯片,加热板,碟簧,叠层母排,母线电容,负载电感,续流二极管,直流电压源,驱动脉冲生成器,电流和电压测量装置;母线电容连直流电压源;叠层母排连直流电压源和续流二极管;续流二极管连压接型IGBT芯片;负载电感连续流二极管;驱动脉冲生成器连压接型IGBT芯片;压接型IGBT芯片连直流电压源;碟簧、第一环氧树脂板、加热板、压接型IGBT芯片、第二环氧树脂板、压力均衡装置、压力传感器、施压装置从下到上依次堆叠;压力夹具固定该叠层结构。本发明能测量压接型IGBT芯片在电‑热‑力综合影响下的动态特性。

    用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法

    公开(公告)号:CN112946451B

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110202180.1

    申请日:2021-02-23

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开了一种用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法。该装置包括:驱动脉冲生成器、两个试验电路、两个供能电路,每个试验电路中都有IGBT器件,两个电容的电压绝对值达到MMC中IGBT器件的工作电压后,通过电感和电容的谐振作用,使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点,在IGBT完成一个试验周期后,电容的极性发生改变,在IGBT关断后,只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压,满足IGBT进行下一试验周期的需求。采用本发明的试验装置、系统及方法,能够对IGBT器件进行可靠性评估,避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。

    一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质

    公开(公告)号:CN113092863A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110391454.6

    申请日:2021-04-09

    IPC分类号: G01R27/02

    摘要: 本发明公开了一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质,方法包括:构建双脉冲测试电路;根据驱动电源的驱动电压值、驱动外电阻的第一预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第一变化率建立关于栅极内阻的第一计算关系式;改变驱动外电阻为第二预设电阻值,根据驱动电源的驱动电压值、第二预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第二变化率建立关于待测功率器件第一端电压和栅极内阻的第二计算关系式;根据第一计算关系式和第二计算关系式计算得到栅极内阻的电阻值。通过实施本发明,采用简单的测试方法和常用的测试仪器即可计算得到功率器件的栅极内阻,具有较高的实用价值。