IGBT模块的测试方法、装置及电子设备

    公开(公告)号:CN111487520A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010345768.8

    申请日:2020-04-27

    IPC分类号: G01R31/28

    摘要: 本发明涉及电力电子器件技术领域,具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中,方法包括:获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值;调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数,每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系;利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值,按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流,解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。

    一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质

    公开(公告)号:CN113092863B

    公开(公告)日:2023-02-10

    申请号:CN202110391454.6

    申请日:2021-04-09

    IPC分类号: G01R27/02

    摘要: 本发明公开了一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质,方法包括:构建双脉冲测试电路;根据驱动电源的驱动电压值、驱动外电阻的第一预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第一变化率建立关于栅极内阻的第一计算关系式;改变驱动外电阻为第二预设电阻值,根据驱动电源的驱动电压值、第二预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第二变化率建立关于待测功率器件第一端电压和栅极内阻的第二计算关系式;根据第一计算关系式和第二计算关系式计算得到栅极内阻的电阻值。通过实施本发明,采用简单的测试方法和常用的测试仪器即可计算得到功率器件的栅极内阻,具有较高的实用价值。

    一种功率器件均流特性评估实验装置

    公开(公告)号:CN113030608B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202110207863.6

    申请日:2021-02-24

    IPC分类号: G01R31/00 G01R1/04

    摘要: 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置,所述实验装置包括:PCB板和功率器件测试电路;PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座;功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局;本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座,使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局,进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。

    一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质

    公开(公告)号:CN113092863A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110391454.6

    申请日:2021-04-09

    IPC分类号: G01R27/02

    摘要: 本发明公开了一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质,方法包括:构建双脉冲测试电路;根据驱动电源的驱动电压值、驱动外电阻的第一预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第一变化率建立关于栅极内阻的第一计算关系式;改变驱动外电阻为第二预设电阻值,根据驱动电源的驱动电压值、第二预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第二变化率建立关于待测功率器件第一端电压和栅极内阻的第二计算关系式;根据第一计算关系式和第二计算关系式计算得到栅极内阻的电阻值。通过实施本发明,采用简单的测试方法和常用的测试仪器即可计算得到功率器件的栅极内阻,具有较高的实用价值。

    IGBT模块的测试方法、装置及电子设备

    公开(公告)号:CN111487520B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202010345768.8

    申请日:2020-04-27

    IPC分类号: G01R31/28

    摘要: 本发明涉及电力电子器件技术领域,具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中,方法包括:获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值;调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数,每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系;利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值,按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流,解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。

    一种功率器件均流特性评估实验装置

    公开(公告)号:CN113030608A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110207863.6

    申请日:2021-02-24

    IPC分类号: G01R31/00 G01R1/04

    摘要: 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置,所述实验装置包括:PCB板和功率器件测试电路;PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座;功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局;本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座,使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局,进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。

    一种多仿真器协同的仿真方法、仿真主控平台和仿真系统

    公开(公告)号:CN108664751B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN201810498282.0

    申请日:2018-05-23

    IPC分类号: G06F30/20

    摘要: 本发明提供了一种多仿真器协同的仿真方法、仿真主控平台和仿真系统,包括:确定协同仿真步长;预测仿真步长比协同仿真步长长的仿真器的仿真数值,作为仿真器在协同仿真步长对应时间的仿真数值;各仿真器将自身的仿真数值发送给其他仿真器,并接收其他仿真器发送的各仿真器对应的仿真数值,每个仿真器根据所有仿真器的仿真数值,进行协同仿真计算。与最接近的现有技术相比,本发明提供的协同仿真技术,能够针对相同或不同仿真器的不同步长,采取协同仿真步长,以实现协同验证的效率最优;在仿真器需要而协同仿真数据总线无法提供数据的时刻,动态预测并插入信号数据值,有效提高协同验证效率,确保协同验证协同的精度和稳定性。

    一种评估柔性直流输电MMC换流阀可靠性的方法及系统

    公开(公告)号:CN110137996B

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN201810107497.5

    申请日:2018-02-02

    IPC分类号: H02J3/36

    摘要: 本发明涉及一种评估柔性直流输电MMC换流阀可靠性的方法及系统,包括:基于柔性直流输电MMC换流阀的拓扑结构,建立MMC换流阀故障树;基于MMC换流阀故障树,确定MMC换流阀故障树的最小割集;基于MMC换流阀故障树的最小割集,确定MMC换流阀的可靠性评估指标。本发明通过建立MMC换流阀故障树及对故障树的定性分析得到MMC换流阀可靠性评估指标表达式,更加清晰明确的展现了各部件的可靠性关系,有利于进一步研究换流阀的薄弱环节。

    一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置

    公开(公告)号:CN110673010B

    公开(公告)日:2022-01-21

    申请号:CN201911037731.2

    申请日:2019-10-29

    IPC分类号: G01R31/26 G01R27/02

    摘要: 本发明实施例提供一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置,其中,方法通过构建等效电路模型,设置驱动电阻对应的第一预设电阻值和第二预设电阻值,获取驱动电源对应的驱动电压值、充电电容对应的输入电容值、第一预设电阻值对应的第一开通延时值和第二预设电阻值对应的第二开通延时值,利用差值法联立关于栅极电阻对应的阈值电压的方程表达式,把阈值电压作为一个中间量消去,进而不再需要测量阈值电压参量,只需要两次动态测试即可求解栅极内电阻,避免了阈值电压测量不准确引起的误差,因此,提高了栅极内电阻的测算精度。

    功率模块及其制造方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110391215B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201910502083.7

    申请日:2019-06-11

    摘要: 本申请公开了一种功率模块及其制造方法,属于半导体封装技术领域。所述功率模块包括:基板;位于基板上方的至少两个芯片;位于芯片上方的连接组件,该连接组件包括金属柱和位于金属柱上方的复合母排,至少两个芯片通过金属柱和复合母排电气连接。本申请通过在功率模块的基板上方设置至少两个芯片,在芯片上方设置连接组件连接至少两个芯片,连接组件包括金属柱和复合母排,由于芯片之间通过金属柱和复合母排进行连接,从而较大程度降低了相关技术中通过铝线键合的方式连接芯片产生的寄生参数,提高了模块的可靠性。