一类基于S,S-二氧-二苯并噻吩和菲并咪唑的小分子及其在电致发光器件中的应用

    公开(公告)号:CN111320615A

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN201911424936.6

    申请日:2019-12-31

    摘要: 本发明公开了一种基于S,S-二氧-二苯并噻吩和菲并咪唑的小分子及其在电致发光器件中的应用。本发明以菲并咪唑为给体单元,S,S-二氧-二苯并噻吩为受体单元,构筑新型的给受体型蓝色荧光分子。这种分子具有兼具S,S-二氧-二苯并噻吩单元宽带隙、高荧光量子产率、强电子亲和势、高电子迁移率和菲并咪唑大共轭刚性结构、双极性传输的特点。这类分子具有不对称结构,可以抑制分子聚集,减少激子淬灭。此外,可以通过改变两种单元的连接位点,调节其发射光谱。可用于制备不同发射波长的高效率蓝光有机电致发光器件。

    一种低成本电致变色器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN109581776B

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN201910002034.7

    申请日:2019-01-02

    IPC分类号: C03C17/34

    摘要: 本发明属于光电器件领域,公开了一种低成本电致变色器件及其制备方法。将氯化钨溶于无水乙醇中得到前驱体溶液,然后旋涂在带有透明导电电极的玻璃衬底上,静置30~60min后在100~300℃的温度下退火处理,得到WO3电致变色薄膜,然后加入到锂离子电解液中,在外加电场条件下着色,取出后干燥,得到锂化的电致变色层,然后旋涂加热熔化后的PEO,盖上另一层带有透明导电电极的玻璃衬底进行封装,得到低成本电致变色器件。本发明通过的溶液法得到氧化钨电致变色薄膜,并通过锂化法省去电解质层这一部分,简化了电致变色器件的结构,降低了加工难度,同时也能节约生产成本,有利于大规模的工业生产。

    一种低功耗的D触发器
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111224644A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201911132074.X

    申请日:2019-11-19

    IPC分类号: H03K3/027

    摘要: 本发明公开了一种低功耗的D触发器,包括:用于产生D触发器的真输入信号和互补输入信号的两个非门;用于实现逻辑门上拉网络和下拉网络互补工作的六个或非门;D触发器的信号包括时钟信号端、数据信号端、电源端、接地端及输出端。本发明实现逻辑门上拉网络和下拉网络的互补工作,极大地减小了单极型电路的功耗,并实现了满摆幅的输出电压。

    一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法

    公开(公告)号:CN107805787B

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201710785172.8

    申请日:2017-09-04

    IPC分类号: C23C14/34 C23C14/08 H01L21/02

    摘要: 本发明属于半导体材料技术领域,公开了一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法。所述方法为:将基板清洗和烘干,然后送入磁控溅射设备真空仓中,进行抽气,使本底真空度达到目标值;设置溅射参数,调控脉冲波形的频率和占空比,在室温下对IGZO靶材进行脉冲直流溅射,得到所述IGZO半导体薄膜。本发明的方法不需要热处理等额外工艺,只需通过调制脉冲波形,在室温下对同一块IGZO靶材进行脉冲直流溅射,具有工艺简单、耗时短、节约能源和适用于工业生产的发展潜力,以及能够实现人为调控半导体薄膜特性以应用于不同领域的技术优势。

    一种韧性可调的柔性基板结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN111128023A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911351905.2

    申请日:2019-12-23

    IPC分类号: G09F9/30

    摘要: 本发明属于柔性显示的技术领域,公开了一种韧性可调的柔性基板结构及其制备方法。所述柔性基板结构由下至上依次包括第二柔性基板、第二导电薄膜、第二绝缘层、电流变液填充体、第一绝缘层、第一导电薄膜、第一柔性基板。本发明还公开了柔性基板结构的制备方法。本发明采用的绝缘层结构,有效减小漏电流,防止通电情况下第一导电层和第二导电层因接触而短路,同时避免电流对电流变液的损伤,有效阻断电流变液对导电层的侵蚀;经过等离子体表面处理,绝缘层的表面浸润特性进行了改善,有利于电流变液填充体粘附于绝缘层。

    一种WO3电致变色薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111039573A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201911352145.7

    申请日:2019-12-23

    IPC分类号: C03C17/34

    摘要: 本发明属于电致变色薄膜的技术领域,公开了一种WO3电致变色薄膜及其制备方法。所述方法:1)采用浓氨水将纳米氧化钨配成前驱体溶液;2)将前驱体溶液滴加至转动的衬底上,滴加完后,加大衬底的转速继续旋转,获得薄膜;3)将薄膜进行预退火;4)将预退火后的薄膜在空气氛围中进行快速退火,获得WO3电致变色薄膜。本发明的方法简单,原料成本低,溶液稳定性高,制备的薄膜均匀平滑,而且薄膜电致变色性能好。

    一种倒装全溶液量子点电致发光器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110783497A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201911041738.1

    申请日:2019-10-30

    IPC分类号: H01L51/56 H01L51/50

    摘要: 本发明公开了一种倒装全溶液量子点电致发光器件及其制备方法,包括以下步骤:在阴极上依次形成电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极,其中在制备空穴注入层时,先将表面活性剂Zonyl加入PEDOT:PSS溶液,充分混合后,在加入极性溶剂得到改性PEDOT:PSS溶液,将所述改性PEDOT:PSS溶液通过旋涂法制备空穴注入层。所述方法解决了溶液加工过程常见的空穴传输材料PEDOT:PSS在疏水性HTL上极难形成均匀的膜,造成器件制备失败的问题。在解决成膜问题的同时,改变了PEDOT:PSS功函数,减小了空穴注入势垒,平衡了空穴电子流,提高了器件性能。