公开(公告)号：CN111816655B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202010274127.8

申请日：2020-04-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴国晖 ,  王柏钧 ,  庄惠中 ,  陈志良 ,  田丽钧

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 一种集成电路包括第一晶体管、第二晶体管和第一绝缘层。第一晶体管设置在第一层中并且包括第一栅极。第二晶体管设置在第一层上方的第二层中，并且包括第二栅极。第一栅极和第二栅极在第一方向上彼此分离。第一绝缘层设置在第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二栅极之间。第一绝缘层配置为将第一晶体管的第一栅极与第二晶体管的第二栅极电绝缘。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。

公开(公告)号：CN115863417A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202210963996.0

申请日：2022-08-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈家忠 ,  刘思麟 ,  洪照俊 ,  庄惠中 ,  陈志良 ,  刘雅芸

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L27/102 ,  H01L27/02 ,  G01K13/00 ,  H10B10/10 ,  H10B12/10 ,  H10B20/10

摘要： 本申请的实施例公开了半导体器件、半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体器件包括双极结型晶体管(BJT)结构，该BJT结构包括：位于具有第一导电类型的第一阱中的发射极、位于各自的第二阱中的集电极，第二阱具有与第一导电类型不同的第二导电类型并且彼此间隔开且第一阱位于其间，并且基极位于第一阱中并且位于发射极和集电极之间。BJT结构包括有源区，有源区具有形成发射极、集电极和基极的不同宽度。

公开(公告)号：CN115602681A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202111005963.7

申请日：2021-08-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司(TW) ,  台积电(中国)有限公司(CN)

发明人： 余和哲 ,  张丰愿 ,  王新泳 ,  陈志良 ,  张子恒

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/66 ,  H01L21/768

摘要： 本申请涉及集成有硅穿孔的静电放电保护单元和天线。一种半导体器件，包括：硅穿孔(TSV)，在衬底中的TSV区域中，并且TSV延伸穿过衬底；ESD单元，靠近TSV的第一端并与TSV区域接触，ESD单元包括彼此并联电连接的一组二极管；天线焊盘，电连接到TSV的第二端；以及天线，电连接到天线焊盘并在第一方向中延伸，第一方向平行于TSV的长轴。半导体器件包括：导电柱，在衬底的与天线焊盘相同的一侧平行于TSV延伸，其中，导电柱的第一端电连接到天线焊盘，并且导电柱的第二端电连接到ESD单元的该组二极管。

公开(公告)号：CN115528029A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210783453.0

申请日：2022-06-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赖知佑 ,  庄惠中 ,  陈志良 ,  田丽钧

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 一种电路结构及其形成方法，电路结构包含一基板，此基板包含位于基板上方的第一晶体管堆叠，其包含第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管为第一导电类型。第二晶体管位于第一晶体管上方，且具有异于第一导电类型的第二导电类型。结构还包含在第一晶体管堆叠上方的第一金属层中的多条第一导线，这些第一导线电性连接到第一晶体管堆叠。结构还包含在基板下方以及第一晶体管堆叠下方的第二金属层中的多条第二导线，该多条第二导线电性连接到第一晶体管堆叠。多条第一导线相对于多条第二导线以不对称的方式配置。

公开(公告)号：CN115394747A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210877879.2

申请日：2022-07-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡维欣 ,  庄惠中 ,  陈志良 ,  田丽钧

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L27/02

摘要： 一种半导体装置及其制造方法及系统，半导体装置包括第一金属层、第二金属层、及至少一导电通孔。第一金属层具有沿第一方向延伸的第一导体及沿第一方向延伸的第二导体，其中第二导体直接相邻于第一导体。第二金属层具有沿第二方向延伸的第三导体，其中第二方向相交于第一方向。该至少一导电通孔经由第三导体连接第一导体与第二导体。

公开(公告)号：CN108122839B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201710695218.7

申请日：2017-08-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈志良 ,  赖志明 ,  杨超源 ,  曾健庭 ,  萧锦涛 ,  刘如淦 ,  吴伟豪 ,  周雷峻

IPC分类号： H01L21/8232 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

摘要： 一种制造半导体装置的方法包括在衬底上方提供材料并在所述材料的两个相对的侧壁上分别形成单独的栅极电极线。因此，可使所述栅极电极线之间的切口的宽度最小化。这会缩短所述半导体装置的单元的高度，从而增加所述半导体装置的单元密度。

公开(公告)号：CN115116951A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210569872.4

申请日：2022-05-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴国晖 ,  王柏钧 ,  陈志良 ,  田丽钧

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088

摘要： 一种半导体结构及集成电路，半导体结构包括形成于基板上的隔离结构、形成于隔离结构上的环绕式栅极晶体管结构、电性耦接至环绕式栅极晶体管结构栅极的通孔，以及在隔离结构内并电性耦接至通孔的埋入式导电垫，上述埋入式导电垫可以在两个维度上(例如在垂直维度与水平维度上)延伸通过隔离结构，上述半导体结构具有其他可能的优势，其中之一是可以在布线灵活性的方面提供优势。

公开(公告)号：CN113299648A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202010504218.6

申请日：2020-06-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  台积电(南京)有限公司 ,  台积电(中国)有限公司

发明人： 王新泳 ,  韩刘 ,  田丽钧 ,  陈志良

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种器件包括晶体管、绝缘结构、掩埋导电线和掩埋通孔。该晶体管在衬底上方，并且包括源极/漏极区域和在源极/漏极区域上方的源极/漏极接触件。绝缘结构在衬底上方并横向围绕晶体管。掩埋导电线在绝缘结构中并且与晶体管间隔开。掩埋通孔在绝缘结构中，并且将晶体管和掩埋导电线互连。掩埋导电线的高度大于源极/漏极接触件的高度。

公开(公告)号：CN113299609A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110502362.0

申请日：2021-05-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈志良 ,  吴国晖 ,  田丽钧

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  G06F30/392

摘要： 一种半导体器件包括具有有源区的半导体衬底和设置在半导体衬底下方的第一掩埋金属层。该第一掩埋金属层包括第一掩埋导电轨、从第一掩埋导电轨延伸的第一组掩埋导电指和与第一组掩埋导电指交错的第二组掩埋导电指。第一组和第二组掩埋导电指在有源区中的多于一个下方延伸。以这种方式，第一组和第二组掩埋导电指可用于在具有减小的电阻的首标电路中分配不同电压，诸如非门控参考电压TVDD和门控参考电压VVDD。本发明的实施例还公开了制造半导体器件的方法以及用于生成布局图的系统。

公开(公告)号：CN110676304A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910439996.9

申请日：2019-05-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 江宏礼 ,  陈奕升 ,  周雷峻 ,  陈志良 ,  陈自强

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 一种制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍结构。每个鳍结构包括靠近半导体衬底的第一区域和远离半导体衬底的第二区域。在第一相邻鳍结构对的第一区域之间形成导电层。在鳍结构的第二区域上方形成沿与第一方向基本垂直的第二方向延伸的栅电极结构，并且在栅电极结构上形成包括至少一条导线的金属化层。本发明的实施例还涉及半导体器件。