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公开(公告)号：CN106784044A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611223173.5
申请日：2016-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/1804
Abstract: 一种三维结构金刚石紫外探测器及其制备方法，涉及金刚石探测科学与技术领域，尤其涉及一种三维结构金刚石紫外探测器及其制备方法。本发明为解决现有金刚石紫外探测器，采用平面电极结构，会有紫外穿透深度范围以内金刚石纵向电场太弱不足以将光生载流子导出的问题，而采用石墨柱电极结构，会有晶界阻碍载流子的输运问题。一种三维结构金刚石紫外探测器，包含光感区和电极结构，光感区为蛇形折叠形状金刚石，电极结构为两组相互交叉的叉指结构凹槽组成，每组叉指结构含有n个电极。一种三维结构金刚石紫外探测器的制备方法：基底的选择；预处理；制备刻蚀掩膜；制备三维电极结构；沉积金属薄膜和后处理。本发明应用于紫外探测领域。
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公开(公告)号：CN106744931A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611130191.9
申请日：2016-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/61
Abstract: 一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，本发明涉及金刚石微粉生长技术领域。本发明要解决现有制备人造金刚石成本较高、质量较低、不易分散、工艺不可控、衬底选择受限的问题。方法：一、石墨片的表面处理；二、利用等离子体刻蚀法在石墨上制备金刚石；三、分散金刚石颗粒，即完成等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法。本发明用于一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法。
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公开(公告)号：CN104988578A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510443127.5
申请日：2015-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法，本发明涉及优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明要解决现有MWCVD生长系统中等离子体密度对籽晶生长质量的影响，等离子体形态与籽晶接触方式导致侧向生长区域质量较低，以及等离子体中碳源沉积污染舱体等问题。方法：一、清洗；二、焊接；三、放置样品；四、放置等离子体挡板；五、生长前准备工作；六、金刚石生长，即完成利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明用于一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。
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公开(公告)号：CN104972189A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510459097.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K1/008 , B23K1/0008 , B23K1/206
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，传统焊接介质熔点过低、与金刚石相容性差或反应严重损伤籽晶，无法满足金刚石优质生长的问题。方法：一、清洗；二、选择焊接介质；三、放置样品；四、真空钎焊，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。
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公开(公告)号：CN104878447A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510304886.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，使用真空钎焊造成籽晶表面质量下降且不易观察的问题。方法：一、清洗；二、选择金箔；三、放置样品；四、原位连接；五、金刚石生长，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119980462A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510121318.3
申请日：2025-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈工大郑州研究院 , 河南碳真芯材科技有限公司
Abstract: 一种硅空位色心含量可控的SiV色心纳米金刚石的制备方法，本发明为了解决现有方法制备的SiV色心纳米金刚石含有较多的晶格缺陷和金属杂质，并且SiV色心纳米金刚石的硅空位色心含量不可控以及形状不规则等问题，包括如下步骤：1、衬底与腔壁清洗；2、硅片掺杂；3、生长参数的调制；4、SiV色心纳米金刚石的生长与收集；5、SiV色心纳米金刚石的测试与表征。通过本发明方法制备得到的SiV色心纳米金刚石是CVD硅空位色心纳米金刚石，此种方法制备得到的SiV色心纳米金刚石无金属杂质和离子辐照造成的晶格缺陷，晶体的品质较高。本发明属于量子纳米材料制备技术领域。
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公开(公告)号：CN119736710A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411952927.5
申请日：2024-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈工大郑州研究院 , 河南碳真芯材科技有限公司
Abstract: 基于MPCVD法制备蓝色金刚石的方法，本发明是要解决金刚石生长过程中掺硼致色生长带有灰色调，而电子辐照法需要根据钻石的生长批次进行调整的问题。制备蓝色金刚石的方法：S1、对HPHT金刚石籽晶片预处理，超声清洗硅片和锗片；S2、在预处理籽晶的周围放置清洗后的硅片和锗片，然后进行刻蚀处理；S3、通入甲烷和氢气进行微波等离子体化学气相沉积生长；S4、取出钻石毛坯；S5、切除钻石毛坯表面的多晶；S6、高温高压处理。本发明通过晶体在生长过程中掺入Si和Ge元素，在钻石毛坯中形成SiV和GeV色心，SiV和GeV色心在近红外区的吸收使钻石呈现为蓝色，避免掺入硼元素导致的灰色调，适用于蓝色金刚石批量生产。
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公开(公告)号：CN114032526B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111328019.5
申请日：2021-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一体化无外接原料气体的高品质金刚石MPCVD生长设备及生长方法，它为了解决现有MPCVD生长设备需要以氢气、甲烷等作为原料气体，气体管路安装复杂的问题。本发明金刚石MPCVD生长设备中反应室内腔腔体套设在反应室外腔腔体内部，反应室内腔腔体的底部与竖直波导管相连通，水平波导管的一端与微波源相连，石墨碳源可控样品台设置在反应室内腔腔体内，石墨碳源可控样品台与竖直波导管同轴设置在石墨碳源可控样品台的上表面开有沟槽，沟槽内装填有石墨碳源，石墨碳源可控样品台的底部设置有升降装置。本发明碳源来自于固态碳源石墨粉末刻蚀，不需要气体碳源外接管路，提高了生长样品的纯度与生长过程的安全性。
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公开(公告)号：CN118448467A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410394378.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈工大机器人(中山)无人装备与人工智能研究院
IPC: H01L29/812 , H01L29/47 , H01L21/338
Abstract: 本发明提供一种增强型金刚石基场效应晶体管，包括金刚石衬底、源极、漏极、栅极和低功函数金属耗尽层；金刚石衬底上形成有氢终端表面，氢终端表面为金刚石衬底氢化处理得到，氢终端表面接触空气形成导电沟道，源极和漏极设置于导电沟道的两端；低功函数金属耗尽层设置于导电沟道上，并位于源极和漏极之间；低功函数金属耗尽层的功函数小于4.9eV，厚度为5‑50nm，低功函数金属耗尽层与导电沟道形成肖特基接触；低功函数金属耗尽层材质为金、铝、钛、锆、铂、铪及钇中的至少一种；低功函数金属耗尽层上设置有栅电极，低功函数金属耗尽层通过介质层与栅电极导通。本发明的低功函数金属耗尽层与导电沟道形成肖特基接触，夹断沟道实现常关特性，阈值电压稳定。
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公开(公告)号：CN117245238B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311223856.0
申请日：2023-09-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K26/60 , B23K26/70 , B23K26/36 , B23K26/362 , B23K26/20 , B23K26/402 , B23K26/324 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06T17/00 , G06F119/08 , G06F119/06 , G06F113/10 , G06F113/26 , G06F113/22
Abstract: 金刚石微流道加工方法，涉及电子器件散热领域。解决了目前复杂形状金刚石微流道难以加工的问题。本发明方法先进行3维微流道模型建模，对其分割，形成衬底和微流道加工层，并对微流道加工层进行切换形成N个单层切片，并对切片格式转化及切片合并；形成单层的激光切割路径总矢量图；按激光切割路径总矢量图中的切割路径对N个金刚石片进行激光烧蚀加工；并对激光烧蚀加工后的金刚石片累加键合，完成对金刚石复杂结构微流道的加工。
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