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公开(公告)号：CN109072427B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201780019944.5
申请日：2017-02-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 于此公开的实施例一般相关于用于在处理腔室中高温处理基板的腔室衬垫。处理腔室利用惰性底部净化流来屏蔽基板支撑件以免于卤素反应物的影响，使得基板支撑件可被加热至高于约摄氏650度的温度。腔室衬垫控制流轮廓，使得沉积期间，底部净化流限制反应物及副产物在基板支撑件下方沉积。在清洁处理期间，底部净化流限制卤素反应物接触基板支撑件。因而，腔室衬垫包含锥状内表面，该锥状内表面具有向内的角度以引导净化气体环绕基板支撑件的边缘并减少在基板支撑件下方及边缘上的沉积。
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公开(公告)号：CN111218666A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010128359.2
申请日：2015-12-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文公开了一种用于处理腔室的内部容积中的C形通道。在一个实施例中，所述C形通道包括：顶部环形部，所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口，所述多个开口将所述顶部环形部的顶表面与所述顶部环形部的底表面连接；底部环形部，所述底部环形部面向所述顶部环形部；中间环形部，所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体，其中所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定泵送区域，所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积；以及排气口，所述排气口形成在所述底部环形部的底表面中。
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公开(公告)号：CN110494950A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880024110.8
申请日：2018-03-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开的实现方式涉及一种处理系统。在一个实现方式中，所述处理系统包括：盖；气体分配板，所述气体分配板设置在所述盖下方，所述气体分配板具有跨所述气体分配板的直径布置的通孔；基座，所述基座设置在所述气体分配板下方，所述基座和所述气体分配板在所述基座和所述气体分配板之间限定了等离子体激发区域；第一RPS单元，所述第一RPS单元具有耦接到设置在所述盖处的第一气体入口的第一气体出口，所述第一气体出口与所述等离子体激发区域流体连通；以及第二RPS单元，所述第二RPS单元具有耦接到设置在所述盖处的第二气体入口的第二气体出口，其中所述第二气体出口与所述等离子体激发区域流体连通，并且所述第二RPS单元具有设置在所述第二气体出口与所述第二气体入口之间的离子过滤器。
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公开(公告)号：CN107359105B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710624010.6
申请日：2016-09-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·K·班塞尔 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹 , S·巴录佳 , S·H·金 , T·A·恩古耶
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 本公开涉及了一种处理腔室和控制朝向基板支撑组件引导的气体的量的方法。喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述面板与所述底板之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述工艺气体混合。
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公开(公告)号：CN105940480B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201580006249.6
申请日：2015-01-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·坎古德 , S·巴录佳 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , D·拉杰
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/4405 , C23C16/4408
Abstract: 本文所述的实施例总体上涉及防止半导体处理腔室内的污染物沉积以及从半导体处理腔室移除污染物。底部净化与泵送分别防止基座加热器下方的污染物沉积或从基座下方排出污染物。底部净化防止污染物沉积在基座下方，并且提供从定位成与被处理的基板基本上共面的处理腔室排气。底部泵送从处理腔室移除存在于基座下方的污染物。具体地，本文所述的实施例涉及经由基座波纹管和/或均衡端口的净化与泵送。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109716497A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057399.9
申请日：2017-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；以及导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。
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公开(公告)号：CN109072427A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780019944.5
申请日：2017-02-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 于此公开的实施例一般相关于用于在处理腔室中高温处理基板的腔室衬垫。处理腔室利用惰性底部净化流来屏蔽基板支撑件以免于卤素反应物的影响，使得基板支撑件可被加热至高于约摄氏650度的温度。腔室衬垫控制流轮廓，使得沉积期间，底部净化流限制反应物及副产物在基板支撑件下方沉积。在清洁处理期间，底部净化流限制卤素反应物接触基板支撑件。因而，腔室衬垫包含锥状内表面，该锥状内表面具有向内的角度以引导净化气体环绕基板支撑件的边缘并减少在基板支撑件下方及边缘上的沉积。
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公开(公告)号：CN104995726B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201480008665.5
申请日：2014-02-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67248 , G01K1/08 , G01K1/14 , G01K7/02 , G01K7/16 , G01K13/00 , H01L21/68742 , H01L21/68792
Abstract: 本公开的实施例大体上提供用于监测各个位置处的个或更多个制程参数(诸如基板支撑件的温度)的设备及方法。本公开的个实施例提供种用于测量处理腔室中的或更多个参数的传感器柱。传感器柱包括:用于接触正经测量的腔室部件的尖端;具有自第端及第二端延伸的内容积的保护管,其中该尖端附接于保护管的第端并在第端处密封保护管;及安置于尖端附近的传感器。在保护管的内容积中安放传感器的连接器,及在操作期间经由处理腔室的开口将尖端安置于处理腔室中。
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公开(公告)号：CN105940480A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006249.6
申请日：2015-01-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·坎古德 , S·巴录佳 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , D·拉杰
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/4405 , C23C16/4408
Abstract: 本文所述的实施例总体上涉及防止半导体处理腔室内的污染物沉积以及从半导体处理腔室移除污染物。底部净化与泵送分别防止基座加热器下方的污染物沉积或从基座下方排出污染物。底部净化防止污染物沉积在基座下方，并且提供从定位成与被处理的基板基本上共面的处理腔室排气。底部泵送从处理腔室移除存在于基座下方的污染物。具体地，本文所述的实施例涉及经由基座波纹管和/或均衡端口的净化与泵送。
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公开(公告)号：CN105714269A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510964982.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文公开了一种用于处理基板的处理腔室。在一个实施例中，所述处理腔室包括：衬层组件，所述衬层组件设置在所述处理腔室的内部容积内；以及C形通道，所述C形通道设置在所述腔室的内部容积内，并且包围所述衬层组件。在另一实施例中，本文公开了一种工艺套件，所述工艺套件设置在所述处理腔室的所述内部容积内。所述工艺套件包括设置在所述内部容积内的衬层组件、C形通道和隔离器。所述C形通道和所述隔离器包围所述衬层组件。本文还描述了一种用于通过使前体气体流入处理腔室中以将硅基材料沉积在基板上的方法。
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