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公开(公告)号：CN114174554B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202080054583.X
申请日：2020-07-23
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01J37/32
摘要： 处理腔室可以包括气体分配构件、基板支撑件、以及泵送衬垫。气体分配构件与基板支撑件可以至少部分定义处理容积。泵送衬垫可以定义经由围绕处理容积周向设置的泵送衬垫的多个孔隙而与处理容积流体连通的内部容积。处理腔室可以进一步包括流量控制机构，流量控制机构可操作以在从气体分配构件进入处理容积的流体分配期间经由泵送衬垫的多个孔隙的子集将流体流从泵送衬垫的内部容积引导进入处理容积。
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公开(公告)号：CN113169101B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201980082733.5
申请日：2019-11-15
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本公开内容涉及用于基板处理腔室的泵送装置、泵送装置的部件以及与泵送装置相关联的方法。在一个示例中，一种用于基板处理腔室的泵送环包括主体。主体包括上壁、下壁、内径向壁和外径向壁。泵送环还包括由上壁、下壁、内径向壁和外径向壁限定的环状体。泵送环还包括在主体中的第一排气口和在主体中的第二排气口，第一排气口流体耦接至环状体，第二排气口流体耦接至环状体。泵送环还包括设置在环状体中与第一排气口相邻的第一挡板，以及设置在环状体中与第二排气口相邻的第二挡板。
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公开(公告)号：CN105714269B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201510964982.0
申请日：2015-12-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本文公开了一种用于处理基板的处理腔室。在一个实施例中，所述处理腔室包括：衬层组件，所述衬层组件设置在所述处理腔室的内部容积内；以及C形通道，所述C形通道设置在所述腔室的内部容积内，并且包围所述衬层组件。在另一实施例中，本文公开了一种工艺套件，所述工艺套件设置在所述处理腔室的所述内部容积内。所述工艺套件包括设置在所述内部容积内的衬层组件、C形通道和隔离器。所述C形通道和所述隔离器包围所述衬层组件。本文还描述了一种用于通过使前体气体流入处理腔室中以将硅基材料沉积在基板上的方法。
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公开(公告)号：CN113169101A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980082733.5
申请日：2019-11-15
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本公开内容涉及用于基板处理腔室的泵送装置、泵送装置的部件以及与泵送装置相关联的方法。在一个示例中，一种用于基板处理腔室的泵送环包括主体。主体包括上壁、下壁、内径向壁和外径向壁。泵送环还包括由上壁、下壁、内径向壁和外径向壁限定的环状体。泵送环还包括在主体中的第一排气口和在主体中的第二排气口，第一排气口流体耦接至环状体，第二排气口流体耦接至环状体。泵送环还包括设置在环状体中与第一排气口相邻的第一挡板，以及设置在环状体中与第二排气口相邻的第二挡板。
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公开(公告)号：CN108292600A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680052365.6
申请日：2016-07-25
申请人： 应用材料公司
发明人： S·巴苏 , J·李 , P·康纳斯 , D·R·杜鲍斯 , P·K·库尔施拉希萨 , K·T·纳拉辛哈 , B·贝伦斯 , K·高希 , 周建华 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·D·李 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , H·小木曾 , L·克里武莉娜 , R·吉尔伯特 , M·瓦卡尔 , V·山卡拉姆茜 , H·K·波内坎蒂
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/6708 , H01L21/67201 , H01L21/68785
摘要： 本文公开的实现描述一种在装载锁定斜面蚀刻腔室内的斜面蚀刻设备及其使用方法。所述斜面蚀刻设备具有在装载锁定斜面蚀刻腔室内的掩模组件。在蚀刻处理期间，掩模组件传输气体流，以控制斜面蚀刻，而无需使用阴影框。如此，在所述斜面边缘处的所述边缘排除可被减少，由此提高产品的良率。
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公开(公告)号：CN107548515A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201680023407.3
申请日：2016-03-16
申请人： 应用材料公司
摘要： 提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。
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公开(公告)号：CN114174554A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054583.X
申请日：2020-07-23
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01J37/32
摘要： 处理腔室可以包括气体分配构件、基板支撑件、以及泵送衬垫。气体分配构件与基板支撑件可以至少部分定义处理容积。泵送衬垫可以定义经由围绕处理容积周向设置的泵送衬垫的多个孔隙而与处理容积流体连通的内部容积。处理腔室可以进一步包括流量控制机构，流量控制机构可操作以在从气体分配构件进入处理容积的流体分配期间经由泵送衬垫的多个孔隙的子集将流体流从泵送衬垫的内部容积引导进入处理容积。
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公开(公告)号：CN109072427B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201780019944.5
申请日：2017-02-14
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/458
摘要： 于此公开的实施例一般相关于用于在处理腔室中高温处理基板的腔室衬垫。处理腔室利用惰性底部净化流来屏蔽基板支撑件以免于卤素反应物的影响，使得基板支撑件可被加热至高于约摄氏650度的温度。腔室衬垫控制流轮廓，使得沉积期间，底部净化流限制反应物及副产物在基板支撑件下方沉积。在清洁处理期间，底部净化流限制卤素反应物接触基板支撑件。因而，腔室衬垫包含锥状内表面，该锥状内表面具有向内的角度以引导净化气体环绕基板支撑件的边缘并减少在基板支撑件下方及边缘上的沉积。
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公开(公告)号：CN111218666A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010128359.2
申请日：2015-12-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本文公开了一种用于处理腔室的内部容积中的C形通道。在一个实施例中，所述C形通道包括：顶部环形部，所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口，所述多个开口将所述顶部环形部的顶表面与所述顶部环形部的底表面连接；底部环形部，所述底部环形部面向所述顶部环形部；中间环形部，所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体，其中所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定泵送区域，所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积；以及排气口，所述排气口形成在所述底部环形部的底表面中。
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