-
公开(公告)号:CN106605275A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201580039685.3
申请日:2015-03-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01F1/055
CPC classification number: H01F1/0557 , C22C38/001 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/10 , C22C38/18 , H01F1/0556 , H01F1/059 , H02K1/17 , H02K1/27 , H02K21/00
Abstract: 本实施方式的磁铁材料具备R1Nx(CrpSiqM1‑p‑q)z(R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、以及Sm的至少1个元素,M为选自Fe以及Co的至少1个元素,0.5≤x≤1.5(原子比),0.005≤p≤0.2(原子比),0.005≤q≤0.2(原子比),6.0≤z≤7.5(原子比))所表示的组成。磁铁材料的X射线衍射分布中,在将来自α‑Fe相的X射线衍射峰的最大强度设为Iα‑Fe,将来自R2M17N3相的X射线衍射峰的最大强度设为I2‑17‑3时,磁铁材料满足Iα‑Fe/I2‑17‑3<0.05的条件。
-
公开(公告)号:CN106537526A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201580039872.1
申请日:2015-03-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01F1/055
CPC classification number: H01F1/055 , B22F3/1017 , B22F2998/10 , C22C19/07 , C22C38/005 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , H01F1/0551 , H01F1/0557 , H02K1/17 , H02K1/27 , H02K1/276 , H02K1/2766 , H02K21/00 , H02K21/14 , B22F9/04 , B22F2009/044 , B22F3/02 , B22F3/101
Abstract: 本发明提供高性能的永久磁铁。其具备组成式:RpFeqMrCutCo100-p-q-r-t所表示的组成、和包括具有Th2Zn17型结晶相的主相的金属组织。在构成主相的20以上的结晶粒中,Fe浓度的平均值为28原子%以上,且R元素的浓度的平均值为10原子%以上。
-
公开(公告)号:CN106357014A
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201610550437.1
申请日:2016-07-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H02K1/02 , H02K1/17 , H02K1/27 , H02K7/003 , H02K7/1823 , H01F1/0557 , H01F7/02 , H02K2213/03
Abstract: 本发明抑制了进行从低速旋转至高速旋转的可变速驱动的旋转电机的输出功率的降低。本发明的旋转电机具备永久磁石,所述永久磁石具有包含选自稀土类元素中的至少一种元素的组成。永久磁石的剩余磁化强度在1.16T以上。永久磁石的M-H曲线上的矫顽力Hcj在1000kA/m以上。永久磁石的B-H曲线上的回复磁导率在1.1以上。
-
公开(公告)号:CN103312054B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201310037671.0
申请日:2013-01-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H02K1/02
CPC classification number: H01F1/015 , C22C19/00 , H01F1/0557
Abstract: 在本发明实施方式中,永磁体包括由RpFeqMrCusCo100?p?q?r?s(R是稀土元素,M是选自Zr,Ti和Hf的至少一种元素,10原子%≤p≤13.5原子%,28原子%≤q≤40原子%,0.88原子%≤r≤7.2原子%,以及3.5原子%≤s≤13.5原子%)表示的组成;和金属结构,所述金属结构包括具有Th2Zn17晶相的胞相和胞壁相。所述胞相中Fe浓度(C1)的范围为28原子%至45原子%,所述胞相中Fe浓度(C1)和所述胞壁相中Fe浓度(C2)之差(C1-C2)大于10原子%。
-
公开(公告)号:CN105449013A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201510598677.4
申请日:2015-09-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/0749 , Y02E10/50 , Y02E10/541
Abstract: 实施方式的目的在于:提供高转换效率的光电转换元件以及太阳能电池。实施方式涉及一种光电转换元件,其至少具有基板、在基板上的下部电极、在下部电极上的光吸收层、在光吸收层上的n层、在n层上的透明电极、以及在透明电极上的氧化物层,其中,当将透明电极的折射率设定为n6、所述氧化物层的折射率设定为n7时,n6和n7满足100/110≤n7/n6≤110/100。
-
公开(公告)号:CN103117323B
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201210595830.4
申请日:2012-11-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/032
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/068 , Y02E10/541 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种包含第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件和太阳能电池。所述第1电极包含第1化合物且具有透光性,所述第1化合物包含(Zn1-xMgx)1-yMyO和Zn1-βMβO1-αSα(M是选自B、Al、Ga以及In组成的组中的至少一种元素,0.03≤x≤0.4,0.005≤y≤0.2,0.4≤α≤0.9,0.005≤β≤0.2)中的至少任一种。所述光吸收层设置在所述第1电极和所述第2电极之间。所述光吸收层含有具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构的化合物半导体。所述光吸收层包含p型部和设置在所述p型部与所述第1电极之间、与所述p型部同质接合的n型部。
-
公开(公告)号:CN105122388A
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201480002274.2
申请日:2014-03-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/055 , B22F9/08 , B22F2009/041 , B22F2009/043 , B22F2009/044 , B22F2009/048 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/0441 , C22C19/07 , C22C30/02 , H01F1/0551 , H01F1/0557 , H01F7/0226 , H02K1/02 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/1017 , B22F3/1028 , B22F2003/248 , B22F2202/05
Abstract: 本发明提供高性能的永磁体。具备:以组成式:RpFeqMrCutCo100-p-q-r-t(式中,R是从稀土类元素中选出的至少一种元素,M是从由Zr、Ti和Hf所构成的组中选出的至少一种元素,p是满足10.5≤p≤12.5原子%的数,q是满足23≤q≤40原子%的数,r是满足0.88≤r≤4.5原子%的数,t是满足3.5≤t≤10.7原子%的数)来表示的组成;以及金属组织,该金属组织包含具有Th2Zn17型晶相的晶胞相、及Cu浓度比晶胞相要高的富Cu相。晶胞相的平均直径在220nm以下,在晶胞相的最小直径到最大直径的数值范围中,直径在最大直径起到小于上位20%的数值范围以内的晶胞相的个数比例占全部晶胞相的20%以下。
-
公开(公告)号:CN104465864A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410440711.0
申请日:2014-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/20 , H01L21/02491 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L31/0322 , H01L31/0326 , H01L31/068 , Y02E10/541 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供光电转换元件的制造方法。这是在第一电极上形成包含黄铜矿型化合物、黄锡矿型化合物和锌黄锡矿型化合物的化合物半导体中的至少任一种的光电转换层的光电转换元件的制造方法,其中,形成光电转换层的工序包括:光电转换层前驱体形成工序,在第一电极上形成包含黄铜矿型化合物、黄锡矿型化合物和锌黄锡矿型化合物的化合物半导体中的至少任一种的光电转换层前驱体;和浸渍工序,在光电转换层前驱体形成工序后,在0℃以上且60℃以下,将形成于第一电极上的光电转换层前驱体浸渍于具有IIa族以及IIb族的至少1种元素的液体中,光电转换层前驱体的第一电极侧的化合物半导体是非晶质,或者,其平均晶体粒径比与第一电极相反一侧的化合物半导体的平均晶体粒径大。
-
公开(公告)号:CN103946992A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201280056585.8
申请日:2012-11-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/068 , H01L31/032
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/068 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02E10/547
Abstract: 根据实施方式,可提供一种具备具有光透过性的第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件。光吸收层被设在第1电极与第2电极之间。光吸收层含有化合物半导体,所述化合物半导体含有第11族的第1元素和第16族的第2元素,且具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构。光吸收层含有p型部和n型部。n型部被设在p型部与第1电极之间。n型部与p型部同质接合。n型部含有掺杂剂。掺杂剂是通过Bond Valence Sum计算求出的形式电荷Vb为1.60~2.83的元素。
-
公开(公告)号:CN103840027A
公开(公告)日:2014-06-04
申请号:CN201310573105.1
申请日:2013-11-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/022425 , Y02E10/541
Abstract: 本发明的目的在于提供高效率的光电转换元件以及太阳能电池,其中通过在黄铜矿系太阳能电池的透明电极与n层之间设置氧化物层,能够得到使透明电极制作时的损伤减低的效果。由此能够使复合中心减少并提高效率。实施方式的光电转换元件,其特征在于,具备:具有黄铜矿构造的p型光吸收层;在p型光吸收层上形成的n型半导体层;在n型半导体层上形成的氧化物层;和在氧化物层上形成的透明电极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-