公开(公告)号：CN106816490A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201710050313.1

申请日：2017-01-23

申请人： 中山大学

发明人： 洪瑞江 ,  吴兆

IPC分类号： H01L31/032

CPC分类号： H01L31/0323

摘要： 本发明属于铜铟硒基薄膜太阳电池技术领域。具体公开碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜的制备方法，其具体步骤是：(1)首先，在钠钙玻璃衬底上制作氮化硅阻挡层；(2)然后，在上述衬底上沉积背接触Mo层；(3)在上述沉积的掺有碱金属元素的背接触Mo层上叠层沉积CIG金属预制层；(4)制备碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜。该制备方法对衬底材料依赖性降低、扩散可控，工序简单易于实现，且金属预制层粗糙度小、附着性好，元素混合均匀，制得薄膜结晶性好，带隙可调性强。

公开(公告)号：CN105940501A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201580006035.9

申请日：2015-01-29

申请人： 纳米技术有限公司

发明人： 克里斯托弗·纽曼 ,  翁布雷塔·马萨拉 ,  切特·施泰因哈根

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0323 ,  Y02E10/541

摘要： 使用多种方法以在将CIGS层沉积在光伏器件上时提供在含CIGS的墨中所需的掺杂金属浓度。当掺杂金属是钠时，其可以通过下列方式结合：在Cu(In,Ga)(S,Se)2纳米粒子的合成反应开始时加入钠盐，例如乙酸钠连同含铜、铟和/或镓的试剂；合成Cu(In,Ga)(S,Se)2纳米粒子并且将钠盐加入至反应溶液中，接着温和加热，之后分离纳米粒子以辅助钠扩散；和/或，使用能够利用其分子链的一端将Cu(In,Ga)(S,Se)2纳米粒子封端并且利用其链的另一个末端与钠原子结合的配体。

公开(公告)号：CN103988314B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280061937.9

申请日：2012-07-06

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 朴起昆

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0323 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0547 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/542

摘要： 公开了一种太阳能电池及其制造方法。根据实施例的太阳能电池包括：位于支撑基板上的背电极层；位于背电极层上的包括含有钠的玻璃粉的光吸收层；以及位于光吸收层上的前电极层。

公开(公告)号：CN104795457A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410247822.X

申请日：2014-06-05

申请人： 台积太阳能股份有限公司

发明人： 黄乾燿

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/065 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/06 ,  H01L31/1876

摘要： 本发明提供了用于形成包括三维组成分布的薄膜太阳能电池的CIS基吸收层的结构和方法。本发明提供了具有两个或多个不同区域的图案化的吸收层，每个区域具有一种或多个组分的不同浓度分布。在一些实施例中，不同的区域具有各自不同的GGI分布。GGI表示CIS基吸收材料中的原子比率Ga/(Ga+In)，并且在一些实施例中两个或多个不同的区域具有从CIS基吸收层的顶部至底部的GGI梯度。方法包括使用共蒸发系统中的两个蒸发源以在衬底上产生彼此相邻的两个或多个不同区域。

公开(公告)号：CN104518052A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410006499.7

申请日：2014-01-07

申请人： 台积太阳能股份有限公司

发明人： 程子桓

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/0296

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/186 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/20

摘要： 本发明涉及制造具有高量子效率的光伏器件的方法以及形成的光伏器件。本发明提供了一种制造光伏器件的方法，包括：在衬底上方形成包括吸收材料的吸收层；在吸收层上方形成缓冲层；在缓冲层上方形成正面透明层；以及继在吸收层的上方形成缓冲层的步骤之后，在温度介于约80℃至约500℃之间的条件下，将光伏器件暴露于热或辐射中持续一段时间。

公开(公告)号：CN103137437A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210477835.7

申请日：2012-11-22

申请人： 吕宗昕

发明人： 吕宗昕 ,  陈富珊

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0321 ,  C23C14/165 ,  C23C14/5866 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1279 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种制造掺杂Bi的IB-IIIA-ⅥA化合物的光吸收层的方法与包含其的太阳能电池。光吸收层的制备方法包括：将含有元素周期表IB族、ⅢA族和铋(Bi,Bismuth)的化合物置于包括ⅥA族化合物的气氛中进行热处理，使该化合物形成掺杂Bi(bismuth-doped)的IB-ⅢA-ⅥA化合物。另外，本发明亦提供一种制作掺杂Bi的光吸收层的太阳能电池，该光吸收层是由上述方法制备而得，可进一步应用于制作光电材料。

公开(公告)号：CN107871795A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201711143306.2

申请日：2017-11-17

申请人： 福州大学

发明人： 程树英 ,  严琼 ,  余雪 ,  武四新 ,  田庆文 ,  贾宏杰

IPC分类号： H01L31/032

CPC分类号： H01L31/0323

摘要： 本发明涉及一种基于柔性钼衬底的镉掺杂铜锌锡硫硒薄膜带隙梯度的调控方法。首先用电沉积法清洗柔性钼箔片，然后用溶液法溶解单质及后硒化处理的方式通过叠层实现CZCTSSe薄膜带隙梯度的变化，可用于制备具有CZCTSSe带隙梯度变化的薄膜太阳电池。本发明采用柔性钼作为衬底，高纯钼箔的利用解决了薄膜与衬底间的粘附性问题，并取代了电池结构中的溅射金属导电背接触层，从而降低了制造成本；采用溶液法溶解单质制备前驱体溶液，避免了溶解金属盐时会引入杂质离子的缺点，且溶液法成本低廉、工艺简单、易于大面积生产，绿色环保，满足了大规模批量生产与商业化的需求，实用性强。

公开(公告)号：CN106531827A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610796230.2

申请日：2016-08-31

申请人： 株式会社东芝

发明人： 平贺广贵 ,  中川直之 ,  芝崎聪一郎 ,  齐藤仁美 ,  盐川美雪 ,  山崎六月 ,  山本和重

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/032

CPC分类号： H01L31/0323 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/544 ,  H01L31/04 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0322

摘要： 实施方式涉及光电转换元件、太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。根据实施方式的光电转换元件，可提供转换效率高的光电转换元件。实施方式的光电转换元件具备：基板、形成在基板上的透明的第1电极、第2电极、和被第1电极和所述第2电极夹着的同质结型的光吸收层，光吸收层含有位于所述第2电极侧的p型区和位于所述第1电极侧的n型区，在n型区中含有n型掺杂剂，所述光电转换元件具有n型区侧的光吸收层与所述第1电极的界面。

公开(公告)号：CN103988314A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280061937.9

申请日：2012-07-06

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 朴起昆

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0323 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0547 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/542

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。根据实施例的太阳能电池包括：位于支撑基板上的背电极层；位于背电极层上的包括含有钠的玻璃粉的光吸收层；以及位于光吸收层上的前电极层。

公开(公告)号：CN103946992A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056585.8

申请日：2012-11-12

申请人： 株式会社东芝

发明人： 平贺广贵 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/032

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547

摘要： 根据实施方式，可提供一种具备具有光透过性的第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件。光吸收层被设在第1电极与第2电极之间。光吸收层含有化合物半导体，所述化合物半导体含有第11族的第1元素和第16族的第2元素，且具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构。光吸收层含有p型部和n型部。n型部被设在p型部与第1电极之间。n型部与p型部同质接合。n型部含有掺杂剂。掺杂剂是通过Bond Valence Sum计算求出的形式电荷Vb为1.60～2.83的元素。