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公开(公告)号：CN116887634A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311011380.4
申请日：2019-11-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/131 , H01L27/15 , H01L33/62 , H10K59/12 , H10K71/00 , H01L33/00 , G02F1/1362 , G02F1/1333
Abstract: 本公开涉及显示装置及显示装置的制造方法。提高显示装置的制造成品率。提高显示装置的对ESD的耐性。显示装置包括衬底、显示部、连接端子、第一布线、第二布线。第一布线与连接端子电连接且包括位于连接端子与显示部之间的部分。第二布线与连接端子电连接，位于连接端子与衬底的端部之间，且在衬底的端部包括侧面露出的部分。显示部包括晶体管。晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极。此外，半导体层及第二布线包含金属氧化物。
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公开(公告)号：CN115362561A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180022758.3
申请日：2021-03-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层及第二绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极绝缘层及第一栅电极。第一半导体层包括金属氧化物。第二晶体管包括第二半导体层、第二栅极绝缘层及第二栅电极。第二半导体层包含结晶硅。第一绝缘层具有隔着第二绝缘层与第一晶体管重叠的区域。第二绝缘层具有隔着第一绝缘层与第二晶体管重叠的区域。第二绝缘层的膜密度高于第一绝缘层。
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公开(公告)号：CN114695562A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210365954.7
申请日：2016-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/12 , H01L29/04
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。
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公开(公告)号：CN113675275A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110965455.7
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/45 , H01L49/02
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
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公开(公告)号：CN107591316B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201710788148.X
申请日：2013-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括：接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111357086A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880070289.0
申请日：2018-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。本发明采用包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、半导体层及第一导电层的结构。第二绝缘层位于第一绝缘层上，岛状半导体层位于第二绝缘层上。第二绝缘层具有其端部位于与半导体层重叠的区域的外侧的岛状形状。第四绝缘层覆盖第二绝缘层、半导体层、第三绝缘层及第一导电层，与半导体层的顶面的一部分接触并在第二绝缘层的端部的外侧与第一绝缘层接触。半导体层包含金属氧化物，第二绝缘层及第三绝缘层包含氧化物，第一绝缘层包含金属氧化物或氮化物，第四绝缘层包含金属氮化物。
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公开(公告)号：CN110911419A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910986729.3
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/423
Abstract: 提供一种包括氧化物半导体的通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括设置在驱动电路部的第一晶体管和设置在像素部的第二晶体管；第一晶体管和第二晶体管的结构不同。并且，第一晶体管和第二晶体管具有顶栅结构。在各晶体管的氧化物半导体膜中，在不与栅电极重叠的区域中包含杂质元素。氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。另外，氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，也可以包括在包含氢的膜的开口部中与包含杂质元素的区域接触且具有源电极以及漏电极的功能的导电膜。设置在驱动电路部的第一晶体管包括在其间隔着氧化物半导体膜的两个栅电极。
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公开(公告)号：CN110690230A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910929577.3
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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公开(公告)号：CN105849913B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201480071297.9
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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公开(公告)号：CN109964172A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780070861.9
申请日：2017-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368
Abstract: 提供一种开口率高的液晶显示装置。提供一种功耗低的液晶显示装置。本发明的一个方式是具有显示部及驱动电路部的显示装置。显示部包括液晶元件、第一晶体管、扫描线及信号线。驱动电路部包括第二晶体管。液晶元件包括像素电极、液晶层及公共电极。扫描线及信号线分别与第一晶体管电连接。扫描线及信号线分别包括金属层。第一晶体管的结构与第二晶体管的结构不同。第一晶体管与像素电极电连接。第一晶体管具有与像素电极连接的第一区域。像素电极、公共电极及第一区域具有透射可见光的功能。可见光穿过第一区域及液晶元件射出到显示装置的外部。
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