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公开(公告)号：CN110690230B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910929577.3
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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公开(公告)号：CN114093890B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111335062.4
申请日：2017-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/146 , H01L27/15 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/34 , H01L29/786 , H10B12/00 , H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L21/8258 , H01L27/06 , H01L27/088
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含铜，第一导电膜及第三导电膜包含氧化物，第二导电膜的端部包括包含铜及另一种元素的区域。
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公开(公告)号：CN108780818B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201780014556.8
申请日：2017-02-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H05B33/14
Abstract: 提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括栅电极、栅电极上的绝缘膜、绝缘膜上的氧化物半导体膜以及氧化物半导体膜上的一对电极的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜以及第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜、第二氧化物半导体膜及第三氧化物半导体膜包括相同的元素。第二氧化物半导体膜包括其结晶性比第一氧化物半导体膜和第三氧化物半导体膜中的一方或双方低的区域。
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公开(公告)号：CN114512547A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210049336.1
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开的发明名称是“氧化物半导体膜及半导体装置”。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下，M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。
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公开(公告)号：CN108475700B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201780006127.6
申请日：2017-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/146 , H01L29/417
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含铜，第一导电膜及第三导电膜包含抑制铜的扩散的材料，第二导电膜的端部包括包含铜及硅的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113519065A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202080018241.2
申请日：2020-02-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/14
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层以及导电层。半导体层、第二绝缘层及导电层依次层叠在第一绝缘层上。半导体层包含铟及氧，在表示铟、元素M、锌的各原子数比的三角图中具有以直线分别依次连接第一坐标(1：0：0)、第二坐标(2：1：0)、第三坐标(14：7：1)、第四坐标(7：2：2)、第五坐标(14：4：21)、第六坐标(2：0：3)、第一坐标的范围内的组成。另外，元素M为镓、铝、钇和锡中的任一个以上。
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公开(公告)号：CN113508468A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080018234.2
申请日：2020-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置提供。提供一种可靠性高的显示装置。半导体装置包括第一导电层、第一绝缘层、半导体层以及一对第二导电层。第一绝缘层与第一导电层的顶面接触，半导体层与第一绝缘层的顶面接触，一对第二导电层与半导体层的顶面接触，一对第二导电层在与第一导电层重叠的区域分开。半导体层包含铟及氧，在表示铟、元素M及锌的原子个数比的三角图中具有以直线分别依次连接第一坐标(1：0：0)、第二坐标(2：1：0)、第三坐标(14：7：1)、第四坐标(7：2：2)、第五坐标(14：4：21)、第六坐标(2：0：3)、第一坐标的范围内的组成。此外，元素M为镓、铝、钇和锡中的任一个以上。
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公开(公告)号：CN113105213A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110187768.4
申请日：2016-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/58 , C03C17/245 , H01L27/12 , H01L29/24 , H01L29/778 , H01L29/786
Abstract: 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。
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公开(公告)号：CN108473334B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201680077344.X
申请日：2016-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01G15/00 , C23C14/08 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。
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公开(公告)号：CN108474106B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201680079190.8
申请日：2016-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , H01L21/363
Abstract: 提供一种包括结晶部的金属氧化物膜。另外，提供一种物性的稳定性高的金属氧化物膜。另外，提供一种电特性得到提高的金属氧化物膜。另外，提供一种可以提高场效应迁移率的金属氧化物膜。一种包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)及Zn的金属氧化物膜，该金属氧化物膜包括第一结晶部及第二结晶部，第一结晶部具有c轴取向性，第二结晶部没有c轴取向性，第二结晶部的存在比例高于第一结晶部。
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