公开(公告)号：CN114450376B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202080067989.1

申请日：2020-09-24

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 谷口惠 ,  土屋公亮

IPC: C09K3/14

Abstract: 提供一种研磨用组合物，其可达成兼具高的研磨速率以及HLM周缘的隆起消除性。研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、pH缓冲剂及水，作为前述pH缓冲剂，包含：酸解离常数(pKa)值的至少一者为9～11的范围的盐SL，以及pKa值的至少一者为12以上的盐SH。

公开(公告)号：CN117063267A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280024860.1

申请日：2022-03-18

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 市坪大辉 ,  土屋公亮

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种能够减少研磨后的基板的表面缺陷的方案。本发明涉及一种研磨方法，其为基板的研磨方法，所述研磨方法包括研磨工序，所述研磨工序包括：将研磨用组合物供给至所述基板与安装在研磨台上的研磨垫的接触面并且通过旋转所述研磨台来研磨所述基板的、2个以上研磨阶段，所述2个以上研磨阶段包括：在研磨台上使用研磨用组合物S1进行研磨的研磨阶段1；和、所述研磨阶段1之后，在与所述研磨阶段1同一研磨台上使用研磨用组合物S2进行研磨的研磨阶段2，所述研磨用组合物S1含有磨粒1、水和磨粒吸附参数为5以上的水溶性高分子；所述研磨用组合物S2含有磨粒2、水和所述磨粒吸附参数小于5的水溶性高分子，且不以0.005质量％以上的含量含有所述磨粒吸附参数为5以上的水溶性高分子。

公开(公告)号：CN113631680B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202080023228.6

申请日：2020-03-25

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  浅田真希 ,  市坪大辉

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种降低研磨对象物表面的雾度的优异的研磨用组合物。通过本发明所提供的研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、水溶性高分子及水。上述水溶性高分子至少包含水溶性高分子P1与水溶性高分子P2。在此，上述水溶性高分子P1为缩醛化聚乙烯醇系聚合物，上述水溶性高分子P2为缩醛化聚乙烯醇系聚合物以外的水溶性高分子。

公开(公告)号：CN116323799A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180065497.3

申请日：2021-06-09

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 丹所久典 ,  土屋公亮 ,  山口洋辉 ,  秋月丽子 ,  安藤隆之介

IPC: C08L29/04

Abstract: 提供在含有聚乙烯醇组合物的半导体用润湿剂的制造方法中、聚集物的产生得到有效抑制的聚乙烯醇组合物。一种半导体用润湿剂的制造方法，其为含有聚乙烯醇组合物的半导体用润湿剂的制造方法，所述聚乙烯醇组合物经过如下的液体内添加工序来得到：在含有聚乙烯醇与水的第1液体、以及除前述第1液体以外的第2液体中的任意一者的液体中，液体内添加前述第1液体和前述第2液体中的任意另一者。

公开(公告)号：CN110312776B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201880011959.1

申请日：2018-01-29

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 森嘉男 ,  谷口惠 ,  向井贵俊 ,  土屋公亮

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: [课题]提供消除激光硬标记周缘的隆起的性能优异的研磨用组合物。[解决方案]一种研磨用组合物，其包含磨粒、水溶性高分子、碱性化合物和水，前述水溶性高分子为包含源自苯乙烯或其衍生物的结构单元、和源自除此之外的单体的结构单元的共聚物。

公开(公告)号：CN106463386B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201580032746.3

申请日：2015-06-11

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  浅田真希

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/24 ,  B24D18/00 ,  C09G1/02 ,  B24B37/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供能有效地实现高品质的表面的硅晶圆研磨方法。提供一种硅晶圆研磨方法，其包括如下工序：用包含磨粒的研磨浆料Sp进行研磨的中间研磨工序；和用包含磨粒的研磨浆料Sf进行研磨的精研磨工序。作为上述研磨浆料Sp，使用具有大于上述研磨浆料Sf的相对雾度Hf的1倍且小于6.8倍的相对雾度Hp的研磨浆料。

公开(公告)号：CN105051145B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201480017289.6

申请日：2014-03-14

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  市坪大辉

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C08F216/06 ,  C09G1/16 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1454 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明提供包含水溶性聚合物的研磨用组合物、利用规定的方法求出的蚀刻速率及磨粒吸附率分别在规定的范围的研磨用组合物，其中，所述水溶性聚合物具有包含SP值不同的多种重复单元的分子结构。此外，本发明还提供一种研磨用组合物制造方法，其为使用磨粒、碱性化合物、水溶性聚合物H及水来制造研磨用组合物的方法，所述水溶性聚合物H具有在碱性条件下表现出水解反应性的官能团，该方法包括如下工序：准备至少包含前述碱性化合物的A剂的工序；和准备至少包含前述水溶性聚合物H的B剂的工序。

公开(公告)号：CN105612236B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201480053942.4

申请日：2014-09-22

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  森嘉男

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种能够减少雾度及表面缺陷的研磨用组合物。根据本发明，可提供包含水溶性合成高分子ML‑end的研磨用组合物，所述水溶性合成高分子ML‑end在主链的至少一个端部具有疏水性区域。前述疏水性区域具有来自聚合引发剂的至少1个疏水性基团。

公开(公告)号：CN106233424A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020029.9

申请日：2015-04-07

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  森嘉男

IPC: H01L21/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种降低硅晶圆表面的雾度的效果及过滤性优异的硅晶圆研磨用组合物。此处所提供的硅晶圆研磨用组合物含有硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物X、不含酰胺基的有机化合物Y及水。含酰胺基聚合物X在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元A。另外，含酰胺基聚合物X的分子量Mx与有机化合物Y的分子量My的关系满足下式200≤My

公开(公告)号：CN103403123B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201280006289.7

申请日：2012-01-18

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  久保惠 ,  高桥修平

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024

Abstract: 提供一种研磨用组合物，其特征在于：包括至少一种有机酸或有机酸盐，并包括包含羟乙基纤维素、氨、磨料粒和水的组合物(A)；且所述研磨用组合物的电导率比所述组合物(A)的电导率大1.2-8倍。所述研磨用组合物主要用于基板表面研磨的用途。