公开(公告)号：CN101546775A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910127587.1

申请日：2009-03-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  宫崎淳志

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了半导体装置、电光装置及电子设备，即使在树脂层等的柔性层上形成时可靠性也优异。本发明的在树脂层(S)上形成的半导体装置，包含多个底栅型薄膜晶体管，该半导体装置至少具有构成该底栅型薄膜晶体管的半导体层(17)、第一布线(GL1，GL2)、第二布线(SL)、第一绝缘层(15)以及栅极绝缘膜(19)，在该半导体层和该第一布线和第二布线的下部，存在该第一绝缘层和该栅极绝缘膜，在未形成该半导体层和该第一布线和第二布线的处所，该第一绝缘层和该栅极绝缘膜的一部分被去除。由于该第一绝缘层和该栅极绝缘膜的一部分被去除，因此，即使在半导体装置施加了机械或热应力的情况下，也使该应力缓和，可以降低第一绝缘层等中裂纹的发生。

公开(公告)号：CN100498206C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200410035310.3

申请日：2004-04-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  吉田纩幸

IPC: G01B7/28

CPC classification number: G06K9/0002

Abstract: 本发明提供一种静电电容检测装置，包括配置成M行N列矩阵状的M根个别电源线、N根个别输出线、和设置在这些交点的静电电容检测元件；静电电容检测元件包括信号检测元件和信号放大元件；信号检测元件包括电容检测电极和电容检测电介质膜；信号放大元件由包括栅电极、栅绝缘膜和半导体膜所构成的信号放大用MIS型薄膜半导体装置所构成。这样，可以优良的静电电容检测装置。

公开(公告)号：CN1316556C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN02142620.1

申请日：1997-01-30

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 阿部裕幸 ,  宫坂光敏

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C30B13/24

Abstract: 公开了一种稳定地制造高质量的熔融结晶化膜的高能体供给装置，示出了结晶性膜的形成方法。本发明的熔融结晶化不污染高能体供给装置，并可控制结晶化膜表面的重组情况。同时通过反射能量体的再次利用来提高高能体的利用效率。

公开(公告)号：CN1828397A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610008878.5

申请日：2006-02-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  宫崎淳志 ,  川居秀幸

IPC: G02F1/167 ,  G09G3/34

Abstract: 本发明提供一种电泳显示装置的驱动方法，其中在电泳显示装置中制作一枚完成图像时使用多个帧，该电泳显示装置包含M×N个像素，M×N个像素具有M个含有N个像素的像素群，在将使一枚图像显示在电泳显示装置上所花费的期间定义为图像制作期间，又将顺次选择该M×N个像素并将图像信号导入该多个像素的每一个的期间定义为帧期间时，图像制作期间包含多个、即L个帧期间，其中L为2以上的整数。因此，以高分辨率的电泳显示装置可以舒服地切换图像。

公开(公告)号：CN1269196C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200310101574.X

申请日：1995-06-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  F16C29/00 ,  F16C2360/45 ,  G02F1/13454 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的一种形成薄膜半导体器件的方法，所述半导体器件具有基板、衬底保护层和半导体膜，所述衬底保护层是形成在基板的一部分上的绝缘层，所述半导体膜形成在所述衬底保护层上，所述方法包括下列步骤：在成膜室内的上部电极和下部电极之间放置衬底；并利用等离子体照射所述衬底保护层的表面以形成所述半导体膜，所述半导体膜包括结晶部分，通过向所述上部电极施加微波，及通过将硅烷气和冲淡气体引入成膜室，来产生等离子体。

公开(公告)号：CN1657864A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510008003.0

申请日：2005-02-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 原弘幸 ,  宫坂光敏

IPC: G01B7/28

CPC classification number: G06K9/0002 ,  G01D5/2405

Abstract: 本发明提供一种指纹传感器(1)包括：静电电容检测电路(31)，根据与在指尖表面之间形成的静电电容、输出包含指纹凹凸信息的检测信号；指纹检测部分(30)，由多个静电电容检测电路(31)排列在相互交叉的行方向及列方向而形成；多条扫描线(36)；扫描线驱动器(20)，其驱动扫描线(36)；数据线(37)；数据线驱动器(10)，其驱动数据线(37)；检索单元(10，20，40)，在选择有排列在多条扫描线(36)中至少一条扫描线(36)上的多个静电电容检测电路的状态下，通过改变凹凸信息的检测条件以检索凹凸信息的检测条件。这样，能在短时间内检索出用于作为静电电容变化读取指纹凹凸信息的检测条件。

公开(公告)号：CN1197127C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01802773.3

申请日：2001-06-12

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 次六宽明 ,  宫坂光敏 ,  小川哲也 ,  时冈秀忠

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明旨在实现在较低的温度下制造优质薄膜半导体装置。在设置局部加热单元后形成有源半导体膜，对有源半导体膜照射脉冲激光进行熔融结晶化。

公开(公告)号：CN1097300C

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN96191902.7

申请日：1996-08-07

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 为了通过可使用廉价的玻璃基板的低温工艺来制造高性能的薄膜半导体器件，在通过使用了作为原料气体的硅烷和作为稀释气体的氩的PECVD法形成结晶性高的混晶质半导体膜之后，用激光照射等方法提高结晶性来制造薄膜半导体器件，使用该薄膜半导体器件制成液晶显示装置或电子设备。在将本发明应用于有源矩阵基板的液晶显示装置的制造时，可容易地而且稳定地制造大型和高质量的液晶显示装置。此外，在应用于其他的电子电路的制造时，也可容易地而且稳定地制造高质量的电子电路。

公开(公告)号：CN1252893A

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN98804239.8

申请日：1998-12-25

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  坂本孝雄

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C14/5813 ,  C23C14/10 ,  C23C14/58 ,  C23C16/402 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种氧化硅膜的制造方法,其特征在于,包括利用气相淀积法形成氧化硅膜的工序以及对该氧化硅膜照射红外光的工序。因此,按照本发明,可将在较低的温度下形成的质量较低的氧化硅膜改善为质量高的氧化硅膜。在将本发明应用于薄膜半导体装置的情况下,可制造工作可靠性高的高性能半导体装置。

公开(公告)号：CN114664248B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202111562478.X

申请日：2021-12-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 百濑洋一 ,  宫坂光敏

IPC: G09G3/3208 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/32

Abstract: 提供电光装置和电子设备，能够兼顾与环境的明亮度相应的显示亮度调整和良好的灰度显示。电光装置(15)包含多个数字扫描线、数字信号线和多个像素电路(30)。各像素电路(30)包含发光元件(31)和数字驱动电路(36)。数字驱动电路(36)进行基于显示数据的灰度值使发光元件(31)接通或断开的数字驱动。数字驱动电路(36)在与显示数据的灰度值对应的长度的灰度显示期间中的、使能信号为有效的期间，通过向发光元件供给驱动电流而使发光元件成为接通状态。控制线驱动电路(130)可变地设定使能信号为有效的期间。使发光元件成为接通状态的接通状态期间相对于灰度显示期间的比例根据使能信号为有效的期间而变化。