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公开(公告)号：CN113540350A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110780605.7
申请日：2021-07-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于异质结钙钛矿的突触器件及其制备方法和应用，属于光子集成器件与人工神经网络技术领域，包括衬底及所述衬底上依次叠层设置的功能层和反射膜；所述功能层包括设置于所述衬底上的3D钙钛矿层，以及所述3D钙钛矿层上设置的2D钙钛矿层，所述3D钙钛矿层与所述2D钙钛矿层之间形成异质结；所述功能层上还间隔设有两个金属电极；所述反射膜与两个所述金属电极的上表面相接触。本发明采用不同能量的光源作为输入信号，钙钛矿薄膜中的电子被激发到导带释放额外的能量以消除结构中的缺陷，使光生粒子浓度改变，突触后电流变化，以此实现可以对颜色进行识别的突触功能。
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公开(公告)号：CN113097387A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110361565.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照光伏储能一体化装置及其制备方法，主要解决现有技术光电转换效率低、成本高、长期稳定性及抗辐照能力差的问题。其包括钙钛矿太阳能电池模组、稳压器、充放电管理组件、储能电池和金属卤化物封装盒。稳压器连接在太阳能电池模组与充放电管理组件之间，充放电管理组件与储能电池双向连接；稳压器、充放电管理组件和储能电池的外部装有金属卤化物封装盒，以防辐照危害；组成太阳能电池模组的每个钙钛矿太阳能电池均包括透明导电衬底、电子传输层、吸光层、空穴传输层、金属电极和双层封装结构。本发明具有轻便、成本低、效率高、抗辐照性能好、能全时段全天候长期稳定储能供电的优点，可用于人造卫星、太空探测器和宇宙飞船。
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公开(公告)号：CN111276402A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010104860.5
申请日：2020-02-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/44 , H01L21/34 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种基于金属氧化物/石墨烯异质结晶体管的制备方法，属于半导体器件技术领域。包括在衬底上制备金属氧化物层；采用化学气相沉积法制备薄层石墨烯；将两个等尺寸的薄层石墨烯转印到金属氧化物层表面的不同区域上；在两个薄层石墨烯上以及金属氧化物层表面位于两个薄层石墨烯之间形成的沟道上沉积栅绝缘层，最后在栅绝缘层表面制备栅电极层，即获得基于金属氧化物/石墨烯异质结晶体管。本发明还提供了一种所述的制备方法制备的基于金属氧化物/石墨烯异质结晶体管。本发明通过金属氧化物与石墨烯之间形成的异质结，使得金属氧化物与薄层石墨烯界面有着更小的界肖特基势垒，有效提升载流子在界面处的运输，从而提升器件性能。
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公开(公告)号：CN109300996B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810893495.3
申请日：2018-08-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种MSM结构的柔性瞬态硅薄膜光电探测器，主要解决现有光电探测器不能同时满足具有柔性以及瞬态可降解特性的问题。其包括柔性衬底层(1)、粘合层(2)、硅薄膜活性层(3)、欧姆接触层(4)、钝化保护层(5)、光减反层(6)。其中硅薄膜活性层采用n型单晶轻掺薄膜硅；欧姆接触层中设有TiO2插入层，以改善欧姆接触且避免高温工艺对柔性衬底的损害；光减反层采用ZnO种子层与ZnO纳米圆柱线阵列复合结构，实现高减反陷光，拓宽器件的吸收角度，拓展紫外光探测能力，并实现瞬态可降解特性。本发明同时实现了光电探测器的柔性及瞬态特性，可用于紫外天文学、医学、生物学、天际通信、火焰探测以及污染监视。
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公开(公告)号：CN110429026A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910752677.3
申请日：2019-08-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02 , C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种打开石墨烯带隙的方法，属于半导体电子技术领域，包括以下步骤：分别制备氧化镓层和石墨烯层；将石墨烯层转移至氧化镓层上，通过氧化镓和石墨烯之间的电荷转移改变石墨烯的电子结构，形成氧化镓/石墨烯异质结，实现石墨烯带隙的打开；本发明提供的打开石墨烯带隙的方法，制备工艺简单，器件结构清晰，能够较大程度的有效打开石墨烯带隙，对于将石墨烯应用到半导体电子器件领域有着重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107394046B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710629147.0
申请日：2017-07-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硅和钙钛矿的叠层太阳能电池结构以及其制备工艺方法，主要解决现太阳能电池转化效率低和能源消耗大的问题。该电池结构自下而上包括阴极(1)、N型硅片基体(2)、P型导电材料(3)、电子传输层(5)、界面修饰层(6)、钙钛矿材料(7)、空穴传输层(8)及网状金属阳极(9)，其中P型导电材料(3)与电子传输层(5)之间设置有缓冲层(4)，且三者紧密结合，构成硅太阳能电池的P型材料与钙钛矿太阳能电池的电子传输层叠层结构，以提高太阳光的吸收率，并在制备过程中采用低于200℃退火工艺，避免了高温，减少了能源消耗，可用于便携式能源、能源窗户及可穿戴电子设备。
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公开(公告)号：CN109713126A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811601702.X
申请日：2018-12-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L51/42 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种基于宽禁带半导体/钙钛矿异质结的宽频光电探测器，采用的异质结由宽禁带半导体和钙钛矿组成，钙钛矿和宽禁带半导体优异的光学和电学性质的结合，改善了传统钙钛矿光电探测器高的暗电流，同时拓宽了光电探测器的光谱响应范围。本发明制备的宽禁带半导体/钙钛矿异质结的宽频光电探测器可探测深紫外-可见-近红外波段的光信号，具有高的探测率和响应度。
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公开(公告)号：CN119029079A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411128529.1
申请日：2024-08-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种基于极性增强的UV/IR异质结双相探测器及其制备方法，包括依次设置的衬底、宽禁带半导体层、窄带隙二维材料层和金属电极；所述窄带隙二维材料层采用具有本征极性的材料，为异质结界面引入本征电场极性驱动。所述窄带隙二维材料层可采用具有本征极性的Janus二维材料，所述宽禁带半导体层采用β‑Ga2O3或宽禁带六方AlN。所述具有本征极性的Janus二维材料可为Janus‑AsP、Bi2TeO5、MoTe2或In2Se3。本发明通过引入层内本征极性，从而进一步提高UV/IR双相探测器电子的性能，实现对深紫外和近红外波段光信号的灵敏探测，可用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等领域。
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公开(公告)号：CN119028806A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411128530.4
申请日：2024-08-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种非极性二维GaN原位外延制备方法，步骤包括：制备具有C终端表面的SiC衬底；在所述C终端表面上进行Ga极性GaN3和N极性Ga3N的竞争性极性成核；使成核结构稳定链接得到单层GaN薄膜；在所述单层GaN薄膜上继续制备GaN薄膜，随后退火诱导结构重构并稳固，得到非极性二维GaN薄膜。相比于现有非极性GaN薄膜，采用本发明制备的GaN薄膜，实现了非极性GaN薄膜的制备，减弱了GaN内部电场，降低了表面态对载流子的散射；并且制备的非极性GaN呈现出非层状二维材料特性，具有二维材料厚度薄，带隙大，载流子迁移率高和光学性质优异等特性。
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公开(公告)号：CN118540972A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410309316.2
申请日：2024-03-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种基于碳纳米管电极的钙钛矿‑碳纳米管\硅异质结四端式叠层电池及其制备方法，四端式叠层电池结构包括由下而上堆叠而成的碳纳米管\硅异质结底电池和钙钛矿顶电池，方法：制备碳纳米管\硅异质结底电池，其由下而上包括金属电极、N型硅、第一碳纳米管层和透明绝缘层；制备钙钛矿顶电池，其由下而上包括第二碳纳米管层、钙钛矿吸收层、电子传输层和导电玻璃；将钙钛矿顶电池压印在碳纳米管\硅异质结底电池上，形成钙钛矿‑碳纳米管\硅异质结四端叠层太阳能电池；本发明采用碳纳米管薄膜替代传统的金属电极和空穴传输层，可以显著改善钙钛矿‑碳纳米管\硅异质结叠层电池的性能，极大的简化了工艺和降低了成本，并扩展太阳能电池的应用范围。
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