-
公开(公告)号：CN118256874A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410245109.5
申请日：2024-03-05
申请人： 吉林大学
IPC分类号： C23C14/18 , G01N27/30 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/27 , C23C16/503 , C23C16/511 , C23C28/00
摘要： 本发明提出了一种用于检测壬基酚的镍/多孔硼掺杂金刚石电极的制备方法，属于电化学传感器电极制备的技术领域。在制备镍/硼掺杂金刚石多孔结构时，高温下金属镍在惰性气氛中形成镍纳米颗粒并不断刻蚀金刚石，得到多孔结构，该电极大的表面积提高了电化学表面活性位点，有利于提高壬基酚的检测灵敏度。在1×10‑8‑10×10‑7mol L‑1浓度范围内具有良好的线性度，可以实现0.63×10‑8mol L‑1的低检测限。镍/硼掺杂金刚石多孔结构具有良好的稳定性和重复性，并且制备方法简单，可批量制备。
-
公开(公告)号：CN118241154A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410338649.8
申请日：2024-03-22
申请人： 中国科学院空天信息创新研究院
摘要： 本发明提供了一种外延生长GMR的膜层结构及其制备方法、GMR传感器的制备方法，可以应用于磁传感技术领域。外延生长GMR的膜层结构包括衬底，所述衬底上依次设置有NiAl缓冲层、MgO绝缘层、自由层、中间层、第一参考层、非铁磁层、第二参考层及反铁磁层，其中，所述NiAl缓冲层为001晶向的NiAl，晶格常数aNiAl为0.289nm；所述MgO绝缘层为001晶向的MgO，晶格常数aMgO为0.808nm，#imgabs0#aMgO/2＝0.404nm。
-
公开(公告)号：CN118222992A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410340298.4
申请日：2024-03-25
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种异质结构纳米晶钽钨合金薄膜及其制备方法，该方法选用电子束真空熔炼制备的钽钨合金作为靶材，使用直流磁控溅射方法在衬底上制备由接近衬底的小晶粒尺寸柱状晶结构和接近表面的大晶粒尺寸柱状晶结构组成的异质结构纳米晶钽钨合金薄膜。本发明采用直流磁控溅射方法，选用钽钨合金作为靶材，通过调控直流磁控溅射参数包括溅射功率、溅射时间和衬底温度以调节薄膜结构，获得小晶粒尺寸和大晶粒尺寸柱状晶结构混合的双峰异质结构纳米晶钽钨合金薄膜，提高了钽钨合金薄膜的硬度，该钽钨合金薄膜适用于炮管涂层、刀具涂层等领域。
-
公开(公告)号：CN114908326B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210486770.6
申请日：2022-05-06
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及形成叠层薄膜结构的方法。该形成叠层薄膜结构的方法包括：第一溅射步骤，将待沉积薄膜的晶圆传输至第一工艺腔室内的第一基座上，对介质靶材施加第一溅射功率，以在晶圆的表面沉积形成介质薄膜；第二溅射步骤，将溅射有介质薄膜的晶圆由第一工艺腔室内传输至第二工艺腔室内的第二基座上，对金属靶材施加第二溅射功率，以在介质薄膜上形成金属薄膜；重复执行第一溅射步骤及第二溅射步骤，以在晶圆的表面沉积交替叠层的介质薄膜和金属薄膜，形成叠层薄膜结构。本申请实施例实现了大幅提升产能的同时，还能确保产品的良率，并且还能避免叠层薄膜结构内部产生较大的热应力，从而进一步提高产品的良率。
-
公开(公告)号：CN118206954A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410336602.8
申请日：2024-03-22
申请人： 河南富莱格超硬材料有限公司
发明人： 董永芬
摘要： 本发明提供了一种镀钛超硬磨料及其制备方法和应用。所述镀钛超硬磨料包括超硬磨料以及包覆在所述超硬磨料表面Ti复合镀层，该Ti复合镀层包括镀敷在所述超硬磨料表面的Ti底层、TiC热氧化屏障层及Ti表面层。所述镀钛超硬磨料的制备方法主要是采用放电等离子烧结法或真空微蒸发法，只需要一次装料，中间无需将超硬磨料取出真空腔室，就能够形成具有两种材质的多层Ti复合镀层结构，各界面质量优异，从而能够有效提高Ti复合镀层对热的抵抗力，降低热对Ti复合镀层的影响。将上述镀钛超硬磨料用于制备磨削工具中，能够有效防止Ti复合镀层的热失效，从而实现在高温条件下较好地保护超硬磨料。
-
公开(公告)号：CN117295382B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311241868.6
申请日：2023-09-25
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/80 , C22C33/04 , C22C38/12 , B22F9/04 , B22F3/105 , B22F3/14 , B22F9/08 , C23C14/30 , C23C14/26 , C23C14/18 , C23C14/58
摘要： 一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法，涉及方钴矿热电材料元素阻隔层制备技术领域。本发明的目的是为了解决现有方钴矿与金属电极连接过程中方钴矿与金属电极之间易发生元素扩散以及焊接接头强度衰减的问题。方法：步骤1、称取：按照方钴矿元素阻隔层中钒和铁的原子百分比分别称取纯钒和纯铁；步骤2、制备方钴矿元素阻隔层：将称取的纯钒和纯铁采用电弧熔炼、粉末冶金或物理气相沉积的方式，制备得到高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层，所述的方钴矿元素阻隔层为P型方钴矿元素阻隔层或N型方钴矿元素阻隔层。本发明可获得一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法。
-
公开(公告)号：CN118173436A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410276314.8
申请日：2024-03-12
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C16/40
摘要： 本发明提供了一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片及制备方法，通过使用光刻胶和干法刻蚀工艺，实现了高精度的硅通孔制备。通过在沟道表面进行化学气相沉积，形成二氧化硅绝缘层，为后续的电子电镀提供保护。磁控溅射沉积钛和铜，形成阻挡层和种子层，有助于维持导电性，实现后续的电镀工艺。通过使用阳极键合技术，将制备好的硅通孔样品与玻璃盖板结合，形成键合样品。利用多步切割的方法，将键合样品切割成两块大小相同的芯片。然后，再次进行磁控溅射，实现阻挡层和种子层的再沉积，确保内外导电层的互连性。最终获得的产品是高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片。
-
公开(公告)号：CN118169791A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211570799.9
申请日：2022-12-08
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种可调控中红外热辐射器及其调控与制备方法。所述可调控中红外热辐射器包括：熔融石英或者单晶硅衬底，形成于所述衬底上的Ag质背反射层，形成在所述背反射层上的第一相变膜层VO2，形成在所述第一相变膜层上的第二相变膜层锗锑碲Ge8Sb2Te11，以及形成在所述第二相变膜层上的介质层非晶态锗锑碲Ge8Sb2Te11；所述背反射层、第一相变膜层、第二相变膜层和介质层的总厚度小于工作波长的四分之一。
-
公开(公告)号：CN118166329A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410264815.4
申请日：2024-03-08
申请人： 深圳先进技术研究院
IPC分类号： C23C14/56 , H01L31/032 , H01L31/068 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/06
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域。本发明提供了一种CIGS光吸收层制备装置及制备方法、CIGS太阳能电池。本申请提供的CIGS光吸收层制备装置，包括：进样室、第一溅射室、第二溅射室、第一过渡室、第一高温室、第二高温室、出样室；与常规的CIGS光吸收层制备装置相比，本装置通过设置第一高温室对形成硒膜的CIG前驱体进行硒化、硫化，得到硒化、硫化的CIGS光吸收层，进而有效提高了太阳能电池的光电转化效率，并在高温和湿度环境下保持较好的稳定性。本发明的CIGS光吸收层制备装置，具有生产效率高，稳定性高，制备薄膜均匀性高等优点。
-
公开(公告)号：CN117587361B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311600772.4
申请日：2023-11-28
申请人： 苏州清研半导体科技有限公司
摘要： 本申请涉及碳化钽涂层的制备方法，包括：S1、将碳基基材放入磁控溅射设备的腔室内的基台上；S2、将腔室抽取真空，并充入气氛；S3、驱动基台旋转，启动钽靶，在碳基基材上沉积第一涂层至第一沉积时间；S4、维持钽靶功率，引入碳源并逐渐增加碳原子含量，在第一涂层上沉积第二涂层至第二沉积时间；S5、维持钽靶功率和碳原子含量，在第二涂层上沉积第三涂层至第三沉积时间，得到具有涂层的碳基基材；S6、将具有涂层的碳基基材取出后放入高温炉进行保温处理使得碳基基材、第一涂层、第二涂层和第三涂层中的碳和钽反应，得到致密且应力小的碳化钽涂层，同时碳化钽涂层与碳基基材的结合强度大，该制备方法成本低，能够在较短时间内完成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
4841 条记录 (耗时 0.025 秒)
