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公开(公告)号:CN108329625A
公开(公告)日:2018-07-27
申请号:CN201810102660.9
申请日:2018-02-01
申请人: 哈尔滨理工大学
摘要: 本发明属于介质电容器领域,尤其涉及一种核壳结构纳米纤维/聚偏氟乙烯基高储能薄膜及其制备方法。本发明首先通过同轴静电纺丝技术、马弗炉煅烧工艺制备具有核壳结构的晶化的钛酸铜钙@氧化铝纳米纤维,通过溶融共混法将一定体积的钛酸铜钙@氧化铝纳米纤维均匀的分散于聚偏氟乙烯基体中,然后经过涂膜和淬火工艺得到核壳结构纳米纤维/聚偏氟乙烯基高储能薄膜。本发明所制备的高储能薄膜具有较高的相对介电常数、击穿场强和储能以及较低的电导率和损耗,解决了电介质电容器储能密度较低的技术难题。本发明制备方法工艺及所需设备简单,成本低廉,容易实施。
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公开(公告)号:CN107129663A
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201710438230.X
申请日:2017-06-12
申请人: 陈伟
发明人: 陈伟
CPC分类号: C08L63/00 , C08G59/245 , C08G59/504 , C08G64/30 , C08J5/18 , C08J2363/00 , C08J2469/00 , C08L2203/16 , C08L2203/20 , H01G4/20 , C08L69/00
摘要: 本发明公开一种微机电系统上使用的电介质及其制备方法,尤其是涉及一种应用与微机电系统的具有良好力学性能的液/固双相结构电介质及其制备方法,采用传统树脂固化工艺制备。本发明所得到的制品与现有产品相比,具有更为复杂的双相结构,两相几何尺寸均匀且贯穿性好;传统电介质并不具有力学性能,现有制品由于环氧相存在具有优良的力学性能,且液体相具有良好的介电性能,多功能的内在属性使得本制品在植入微机电系统中与电极材料的匹配性更好,提高了微机电系统的使用寿命。通过改变碳酸丙烯酯的用量可以调节产品的力学性能和介电性能,以满足用户需求,使得市场应用范围更为广泛。
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公开(公告)号:CN106952728A
公开(公告)日:2017-07-14
申请号:CN201710370080.3
申请日:2017-05-23
申请人: 中国科学院电工研究所
摘要: 本发明涉及一种利用大气压低温等离子体提高电容器储能密度的方法,包括:将待处理的电容器薄膜清洗、干燥;选定大气压低温等离子体产生设备,将所述电容器薄膜放置于大气压低温等离子体产生设备的等离子体产生区域;选定高压电源、前驱物和工作气体的种类,并调整放电参数和工作气体流速;进行等离子体沉积处理。本发明利用大气压低温等离子体处理电容器薄膜,电容器薄膜表面击穿场强可提高17%及以上,储能密度提高23%及以上。
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公开(公告)号:CN106783172A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611246298.X
申请日:2016-12-29
申请人: 铜陵市胜美达电子制造有限公司
发明人: 夏斌
摘要: 本发明公开了一种强度高薄膜电容器用石墨烯钛酸钡聚酰亚胺复合膜材料,由下列重量份的原料制成:N,N‑二甲基乙酰胺150‑180、十八胺50‑55、均苯四甲酸二酐50‑55、钛酸钡100‑110、石墨烯36‑38、纳米结晶纤维素23‑25、丙酮100‑105、硝酸亚铈50‑55、氧化银50‑55、硝酸适量、柠檬酸适量、去离子水适量、聚乙二醇1.3‑1.6、硅酸锂1.4‑1.6、纳米氧化锡锑1.3‑1.5、甲基乙烯基三氟丙基硅橡胶0.6‑0.8。本发明使用甲基乙烯基三氟丙基硅橡胶携带硅酸锂、纳米氧化锡锑覆盖在薄膜表面,提高了薄膜的强度,不降低导电性,防止破碎,延长使用寿命。
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公开(公告)号:CN105713296A
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201610236757.X
申请日:2016-04-14
申请人: 安徽源光电器有限公司
IPC分类号: C08L23/12 , C08L67/08 , C08L61/06 , C08L23/34 , C08L83/07 , C08L97/00 , C08K13/04 , C08K7/14 , C08K5/098 , C08K5/31 , C08K7/08 , C08K5/315 , H01G4/33 , H01G4/20
CPC分类号: C08L23/12 , C08J5/18 , C08J2323/12 , C08L2201/02 , C08L2203/16 , C08L2203/20 , C08L2205/025 , C08L2205/035 , C08L2207/12 , C08L2207/14 , C08L2312/04 , H01G4/20 , H01G4/33 , C08L67/08 , C08L61/06 , C08L23/34 , C08L83/04 , C08L97/005 , C08K13/04 , C08K7/14 , C08K5/098 , C08K5/31 , C08K7/08 , C08K5/3155
摘要: 本发明公开一种大功率金属化薄膜电容器,塑料薄膜按重量份包括:聚丙烯45~55,醇酸树脂25~30,酚醛树脂30~35,氯磺化聚乙烯15~18,甲基乙烯基硅橡胶9~12,二硼化钛8~11,二氧化钛24~27,硫酸钡5~8,三溴化锑3~6,玻璃纤维2~5,木质素12~15,钛酸钙纤维6~8,硅烷偶联剂KH570 3~4,2,5-二甲基-2,5-双-(叔丁基过氧)已烷1.3~1.6,硫磺3~4,山梨酸钾1.1~1.3,N-环已基-2-苯并噻唑次磺酰胺1.2~1.8,二苯胍0.8~1.3,氧化镁4~5,二硫化钼5~7,环氧大豆油酸辛酯7~10,钙锌稳定剂2~4,双氰胺2~3,防老剂DFC-34 1~2等。
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公开(公告)号:CN105670128A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201610211391.0
申请日:2016-04-06
申请人: 汤卓群
发明人: 汤卓群
IPC分类号: C08L23/14 , C08L23/06 , C08L3/04 , C08L91/00 , C08L9/02 , C08L91/06 , C08K13/06 , C08K9/00 , C08K3/04 , C08K3/36 , C08K3/08 , H01G4/20
CPC分类号: Y02P20/52 , C08L23/14 , C08J5/18 , C08J2323/14 , C08J2423/06 , C08K2201/011 , C08L2201/02 , C08L2201/08 , C08L2203/16 , C08L2203/20 , C08L2205/02 , C08L2205/035 , C08L2207/14 , H01G4/206 , C08L23/06 , C08L3/04 , C08L91/00 , C08L9/02 , C08L91/06 , C08K13/06 , C08K9/00 , C08K3/04 , C08K3/36 , C08K2003/0806
摘要: 本发明公开了一种具有记忆功能的抗氧化聚合薄膜,由以下原料组成:羧基化氧化石墨烯、纳米二氧化硅、改性葛根淀、纳米银、姜黄素、原花青素、乙烯基三基三甲氧基硅烷、环氧大豆油、丁腈橡胶粉、四甲基硅烷、十二烷基苯磺酸、石蜡油、海泡石绒、茂金属聚乙烯、无规共聚聚丙烯;本发明制备的聚合薄膜组份简单、成本低、无毒、无腐蚀、无杂质、表面光亮、耐冲击、抗撕裂、不燃烧、具有良好的使用性能,绿色环保;灰份低,能提高电容器的电气性能和高清洁性;耐热性优异,不燃烧,具有高电化学活性;抗氧化性强,性能稳定,能显著提高电容器使用稳定性和使用寿命;具有较强的机械性能、耐酸碱、抗腐蚀、易回收。
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公开(公告)号:CN105655128A
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201610222519.3
申请日:2016-04-11
申请人: 郑州航空工业管理学院
摘要: 本发明公开了一种超薄耐高温金属化聚丙烯膜电容器,包括端子、壳体和设置于壳体内的保护装置、保险丝和电容芯子,所述端子设置在所述壳体的外部,所述保护装置设置在壳体内并与壳体直接接触,所述电容芯子为超薄耐高温金属化聚丙烯膜芯子,通过外部电极与保护装置连接;所述保险丝通过导线一端与端子相连,另一端与电容芯子另一端相连。本发明除了具有其他聚丙烯薄膜的优良物理性能和电气性能外,特别具有耐高温特性。
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公开(公告)号:CN105453201A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201480042252.9
申请日:2014-07-30
申请人: 京瓷株式会社
发明人: 神垣耕世
IPC分类号: H01G4/20 , C08K3/00 , C08L101/00 , H01B17/56 , H01G4/18
CPC分类号: H01G4/18 , C01G23/006 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2004/64 , C04B35/4682 , C04B35/62645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C08K3/00 , C08K3/22 , C08K9/10 , C08L101/00 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/206 , H01G4/33 , H05K1/18 , H05K2201/10015 , C08L23/20
摘要: 本发明提供可以提高比介电常数且不会降低击穿电场强度的电介质膜、膜电容器以及电子设备。一种电介质膜,其在有机树脂5中含有陶瓷粒子3,陶瓷粒子3具有形成通过a、b和c的3个轴所形成的晶格并且轴比c/a不同的2种以上的晶相3a、3b。由于晶格形状(尺寸)的差异,因此各晶相3a、3b的介电极化的程度不同,因此陶瓷粒子3具有介电常数不同的区域,可以提高比介电常数且不会降低击穿电场强度。
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公开(公告)号:CN105140029A
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201510622108.9
申请日:2015-09-25
申请人: 安捷利(番禺)电子实业有限公司
摘要: 本发明涉及一种高电容密度的埋入式电容的制备方法,包括使用Mg、Cu或Ce的一种或多种组合掺杂改性碳酸钡粉体,表面修饰改性的碳酸钡粉体,碳酸钡粉体与聚合物混合、搅拌以形成混合浆料,混合浆料涂覆在铜箔单面并预固化处理,将两个覆有介电薄膜的铜箔单面相对贴合以获得双面覆铜介电板,热压贴合双面覆铜介电板等步骤;掺杂改性的方法包括Mg掺杂的固相反应法、Mg掺杂的水热反应法以及Cu和Ce掺杂的固相反应法;聚合物还可以是环氧树脂、聚偏氟乙稀、聚氨酯的一种或多种组合;铜箔为压延铜箔或电解铜箔。通过本发明所获得的埋入式电容,不仅具有热稳定性好,机械韧性强,易于加工的特点,更关键在于其表现出更高的电容密度。
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