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公开(公告)号:CN102870073B
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201180021476.8
申请日:2011-04-26
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/044 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明涉及触摸面板及其制造方法。触摸面板包括:i)面板,ii)多个静电电极,位于用于触摸的显示区域中,并且在所述面板上相应地彼此间隔开,以及iii)桥接电极,相互连接所述多个静电电极。所述多个静电电极中的一个包括:i)多个静电电极中的一个,以及ii)多个第二线性电极,与所述多个第一线性电极部分相交。
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公开(公告)号:CN102329403B
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201110186570.0
申请日:2011-06-30
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C08F220/22 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/06 , C08L33/16 , C08L33/08 , C08L33/14 , C08L33/10 , C08L33/02 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: C08F14/18 , C08F20/24 , C08F20/26 , G03F7/0046 , G03F7/11 , G03F7/2041
Abstract: 本发明公开了一种用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物、用于形成抗蚀剂保护膜的组合物以及使用所述组合物形成半导体装置图案的方法,该聚合物用于液体浸没式光刻技术过程以保护光致抗蚀剂层。所述用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物包括由以下通式1所示的重复单元。通式1在通式1中,R1是氢原子(H)、氟原子(F)、甲基基团(-CH3)、C1-C20氟烷基基团或C1-C5羟烷基基团,R2是C1-C10直链或支链烷撑基团或烷叉基团、或C5-C10环烷撑基团或环烷叉基团,X是其中n是0到5的整数,且*表示所述通式1排除X后的剩余部分,m是X的化学计量系数,是1或2。
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公开(公告)号:CN105164586A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201480024028.7
申请日:2014-03-11
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/26
Abstract: 本发明提供一种用于形成光刻用抗蚀剂保护膜的组合物,以及使用其的半导体元件的图案形成方法,其中,该组合物包含侧链包含具有含氟官能团的重复单元的聚合物和溶剂,其中,所述聚合物的重均分子量为2,000~100,000,基于溶剂总重量100重量份,该溶剂含有希尔德布兰德溶解度参数为12.5~22.0的物质10~100重量份。
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公开(公告)号:CN104808439A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201510036077.9
申请日:2015-01-23
Abstract: 本发明提供了光致抗蚀剂组合物及制造薄膜晶体管基板的方法。光致抗蚀剂组合物包含相对于约100重量份的丙烯酰基共聚物为约0.1重量份至约30重量份的光引发剂、约1重量份至50重量份的包括至少五个官能团的第一丙烯酸酯单体、约1重量份至50重量份的包括至多四个官能团的第二丙烯酸酯单体。
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公开(公告)号:CN102086265B
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201010563079.0
申请日:2010-11-29
CPC classification number: H01M8/1025 , C08G65/4012 , C08G65/48 , C08G75/23 , C08G2261/722 , C08J5/2256 , C08J2371/12 , C08J2481/06 , H01M8/1027 , H01M8/103 , H01M8/1032 , H01M8/1039 , H01M8/1044 , H01M8/1048 , H01M8/1051 , H01M8/1072 , H01M2300/0082 , H01M2300/0091 , Y02P70/56
Abstract: 本发明涉及一种磺化聚(芳醚)共聚物、其制备方法以及一种使用该共聚物的用于燃料电池的聚合物电解液膜。
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公开(公告)号:CN101618462B
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN200910139847.7
申请日:2009-07-03
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: B22F9/24
Abstract: 金属纳米颗粒的制造方法,该方法将已有的2阶段的金属颗粒生成过程(首先生成氧化亚铜后,再通过还原剂生成铜颗粒)减少为1阶段,从而能够显著简化工序;能够在低温(15~60℃)下通过短时间的反应容易地取得金属铜颗粒;不需要经过二次水洗去除金属盐的复杂的水洗工序;粒度分布均匀且不要求分级工序,因此适于批量生产。所述方法包括:第1阶段,在含有二醇类溶剂的溶剂中溶解金属前体;第2阶段,向在所述第1阶段中制造出的溶液中添加有机胺,搅拌至溶液的颜色不发生变化为止;以及第3阶段,在所述第2阶段的添加了有机胺的溶液中慢慢添加从肼衍生物、连二磷酸钠、羟胺和硼氢化钠组成的组中选择出的一种以上的化合物,从而使金属还原析出。
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公开(公告)号:CN1955843B
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN200610137563.0
申请日:2006-10-25
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明提供感光性树脂组合物,所述感光性树脂组合物不仅显像后的均匀度、灵敏度、分辨率、耐热性、透明性等性能优异,特别是由于可实现低介电常数的有机绝缘膜,因而能够降低耗电、减少串扰,适合用于多种显示器工序中的有机绝缘膜。所述感光性树脂组合物含有:a)丙烯酸类共聚物;b)1,2-二叠氮醌化合物;以及c)溶剂,所述a)丙烯酸类共聚物是通过将下述化合物i)~iv)共聚得到的,i)下述化学式1或化学式2所示的含有POSS的不饱和化合物;ii)不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或它们的混合物;iii)含有环氧基的不饱和化合物;以及iv)烯烃类不饱和化合物。[化学式1]???????????????????????????????????????????[化学式2]
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公开(公告)号:CN101393393B
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN200810149252.5
申请日:2008-09-22
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明涉及等离子体显示屏(PDP)电极形成用浆料组合物,该组合物能够提高平板涂布法的生产率和实现薄膜化,用于形成电极的浆料的量少于现有的黑糊剂用量而能够降低成本,不仅如此,该组合物使用纳米颗粒无机物而能够使浆料的稳定性显著提高。本发明的PDP电极形成用浆料组合物的特征在于,所述组合物包含a)0.5重量份~8重量份颗粒尺寸为10nm~1000nm的黑色颜料;b)0.5重量份~8重量份烧制时被玻璃化的平均颗粒尺寸为1nm~500nm的玻璃粉原料物质;c)84重量份~98重量份感光性有机成分。
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公开(公告)号:CN102246095B
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN200980149593.5
申请日:2009-12-09
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0233 , G03F7/40
Abstract: 本发明涉及正型感光性有机-无机混合绝缘膜组合物,具体涉及含有低聚硅氧烷化合物的正型感光性有机-无机混合绝缘膜组合物,所述低聚硅氧烷化合物是使i)由下述化学式1表示的含有1-3个苯基的反应性硅烷和ii)由化学式2表示的4官能反应性硅烷的硅烷单体在催化剂存在下进行水解和缩聚而得到,所述低聚硅氧烷化合物的聚苯乙烯换算重均分子量(Mw)为1,000至2,0000。根据本发明的正型感光性有机-无机混合绝缘膜组合物,可以将现有的SiNx钝化/丙烯酸系感光性有机绝缘膜的双重结构形成为一层(layer),从而能够带来工序的简化和生产费用的节约,不仅灵敏度、分辨率、工艺裕度、透明性、耐热变色性等性能优异,特别是使低介电常数绝缘膜成为可能,从而能够降低耗电,并消除残像、串扰、以及阈值电压的漂移现象。另外,使优异的耐热性带来的低释气成为可能,从而能够确保优异的面板可靠性。由此可以在各种显示器中不仅能够有用地适用于钝化绝缘膜、栅绝缘膜,而且还能够有用地适用于平坦化膜等。
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公开(公告)号:CN103635608A
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201280030638.9
申请日:2012-06-15
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C23F1/18 , C09K13/00 , H01L21/306 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/32134 , C09K13/10 , C23F1/18 , H01L27/124
Abstract: 本发明公开一种使用于半导体装置的包含铜的金属膜蚀刻液组合物及使用其的蚀刻方法。本发明的金属膜蚀刻液组合物包含氟硼酸或氟硼酸和至少一种含氟化合物。利用根据本发明的蚀刻液组合物的包含铜的金属膜的蚀刻方法,在蚀刻时不仅不损伤下部的玻璃基板,而且可以一并蚀刻含铜多层金属膜,可以提高半导体装置的生产收率。本发明的蚀刻液组合物和利用其的蚀刻方法由于不使用硫酸盐,从而可以防止因错层及侵蚀造成的断路(Data Open)不良,另外,由于不使用有机酸能够进行蚀刻,从而具有可以解决与金属盐的析出问题,也可以得到图案微细化的优点。
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