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公开(公告)号：CN111748093B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202010005831.3
申请日：2020-01-03
IPC分类号： C08G73/06 , G03F7/11 , C09D179/04 , C09D5/00
摘要： 提供了一种聚合物、一种包括其的组合物以及制造集成电路器件的方法。所述聚合物具有由式1表示的重复单元：[式1]其中，R1、R2和R3均独立地选自于具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C1‑C6链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C3‑C6环状饱和或不饱和烃基，其中，R1、R2和R3中的至少一个是取代有氟原子的烃基。R4是具有0至2个第二杂原子的C1‑C10链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第二杂原子的C3‑C10环状饱和或不饱和烃基。R5是具有1至6个第三杂原子的C1‑C10
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公开(公告)号：CN102329403B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201110186570.0
申请日：2011-06-30
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： C08F220/22 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/06 , C08L33/16 , C08L33/08 , C08L33/14 , C08L33/10 , C08L33/02 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： C08F14/18 , C08F20/24 , C08F20/26 , G03F7/0046 , G03F7/11 , G03F7/2041
摘要： 本发明公开了一种用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物、用于形成抗蚀剂保护膜的组合物以及使用所述组合物形成半导体装置图案的方法，该聚合物用于液体浸没式光刻技术过程以保护光致抗蚀剂层。所述用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物包括由以下通式1所示的重复单元。通式1在通式1中，R1是氢原子(H)、氟原子(F)、甲基基团(-CH3)、C1-C20氟烷基基团或C1-C5羟烷基基团，R2是C1-C10直链或支链烷撑基团或烷叉基团、或C5-C10环烷撑基团或环烷叉基团，X是其中n是0到5的整数，且*表示所述通式1排除X后的剩余部分，m是X的化学计量系数，是1或2。
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公开(公告)号：CN105164586A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480024028.7
申请日：2014-03-11
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/26
摘要： 本发明提供一种用于形成光刻用抗蚀剂保护膜的组合物，以及使用其的半导体元件的图案形成方法，其中，该组合物包含侧链包含具有含氟官能团的重复单元的聚合物和溶剂，其中，所述聚合物的重均分子量为2,000～100,000，基于溶剂总重量100重量份，该溶剂含有希尔德布兰德溶解度参数为12.5～22.0的物质10～100重量份。
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公开(公告)号：CN105164586B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201480024028.7
申请日：2014-03-11
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/26
摘要： 本发明提供一种用于形成光刻用抗蚀剂保护膜的组合物，以及使用其的半导体元件的图案形成方法，其中，该组合物包含侧链包含具有含氟官能团的重复单元的聚合物和溶剂，其中，所述聚合物的重均分子量为2,000～100,000，基于溶剂总重量100重量份，该溶剂含有希尔德布兰德溶解度参数为12.5～22.0的物质10～100重量份。
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公开(公告)号：CN103221437B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201180055444.X
申请日：2011-10-14
申请人： 株式会社东进世美肯
CPC分类号： G03F7/11 , C08F22/06 , C08F32/00 , C08L45/00 , C09D133/10 , C09D135/00 , C09D145/00 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： 本发明提供高分子化合物及包含其的用于液浸曝光工艺的抗蚀剂保护膜组合物。
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公开(公告)号：CN111748093A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010005831.3
申请日：2020-01-03
IPC分类号： C08G73/06 , G03F7/11 , C09D179/04 , C09D5/00
摘要： 提供了一种聚合物、一种包括其的组合物以及制造集成电路器件的方法。所述聚合物具有由式1表示的重复单元：[式1] 其中，R1、R2和R3均独立地选自于具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C1-C6链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C3-C6环状饱和或不饱和烃基，其中，R1、R2和R3中的至少一个是取代有氟原子的烃基。R4是具有0至2个第二杂原子的C1-C10链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第二杂原子的C3-C10环状饱和或不饱和烃基。R5是具有1至6个第三杂原子的C1-C10链状饱和或不饱和烃基或者具有1至6个第三杂原子的C3-C10环状饱和或不饱和烃基。
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公开(公告)号：CN103221437A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055444.X
申请日：2011-10-14
申请人： 株式会社东进世美肯
CPC分类号： G03F7/11 , C08F22/06 , C08F32/00 , C08L45/00 , C09D133/10 , C09D135/00 , C09D145/00 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： 本发明提供高分子化合物及包含其的用于液浸曝光工艺的抗蚀剂保护膜组合物。
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公开(公告)号：CN102329403A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110186570.0
申请日：2011-06-30
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： C08F220/22 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/06 , C08L33/16 , C08L33/08 , C08L33/14 , C08L33/10 , C08L33/02 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： C08F14/18 , C08F20/24 , C08F20/26 , G03F7/0046 , G03F7/11 , G03F7/2041
摘要： 本发明公开了一种用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物、用于形成抗蚀剂保护膜的组合物以及使用所述组合物形成半导体装置图案的方法，该聚合物用于液体浸没式光刻技术过程以保护光致抗蚀剂层。所述用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物包括由以下通式1所示的重复单元。通式1在通式1中，R1是氢原子(H)、氟原子(F)、甲基基团(-CH3)、C1-C20氟烷基基团或C1-C5羟烷基基团，R2是C1-C10直链或支链烷撑基团或烷叉基团、或C5-C10环烷撑基团或环烷叉基团，X是其中n是0到5的整数，且*表示所述通式1排除X后的剩余部分，m是X的化学计量系数，是1或2。
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