公开(公告)号：CN111235555B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201911409524.5

申请日：2009-12-04

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 大野晃宜 ,  高德诚 ,  滨田实香

IPC: C23C18/32 ,  C23C18/50 ,  C23C28/02 ,  C25D3/38 ,  C25D7/12

Abstract: 本发明涉及双层挠性覆铜层叠基材及其制造方法。本发明提供一种双层挠性覆铜层叠基材的制造方法，其为使用酸性镀铜浴组合物和被覆有作为籽晶层的导电性金属的树脂薄膜、通过湿式镀敷法的双层FCCL的制造方法，该方法包括：在实施了亲水化表面改性的树脂薄膜面上形成无电解镀镍籽晶层的工序；在该酸性镀铜浴组合物中，不经由1次镀铜而实施湿式电镀，使籽晶层上厚镀铜导电层的工序。

公开(公告)号：CN111479956A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201880080667.3

申请日：2018-12-13

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 森川雄斗 ,  堀真雄 ,  中上圆

IPC: C25D3/06

Abstract: 本发明提供一种三价铬镀液、三价铬镀敷方法，所述三价铬镀液的特征在于，是含有三价铬化合物、作为导电盐的氯化物、pH缓冲剂、络合剂的三价铬镀液，还含有由以下的通式(1)所表示的不饱和磺酸，(其中，式(1)中，R1表示碳数1～10的烃基、氢或卤素，没有R2或者R2表示碳数1～10的烃基，X表示氢或碱金属。)通过所述三价铬镀液及使用其的三价铬镀敷方法，即使在镀液中混入金属杂质也不会产生未析出镀层或者在镀层中产生茶色的条纹图案等颜色不均等问题，R1-CH＝CH-R2-SO3X      (1)。

公开(公告)号：CN108463576A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201680078732.X

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 佐土原大祐 ,  西川贤一 ,  铃木启太 ,  伊部公太 ,  下田胜己

IPC: C23C18/18 ,  H01L21/288

CPC classification number: C23C18/18 ,  H01L21/288

Abstract: 本发明提供无论基板的种类如何均能够以少的工序在基板上的期望部位进行金属镀敷而形成电路的新的方法。一种在基板上形成电路的方法，其特征在于，包括如下工序：通过镀敷在基板上进行电路的形成时，在基板上施加含有硅低聚物和催化剂金属的涂布覆膜后，进行涂布覆膜中的催化剂金属的活化处理而使其表现出自催化性，接下来进行无电解镀敷。

公开(公告)号：CN104736739B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201380037478.5

申请日：2013-05-14

Applicant: 学校法人关东学院 ,  株式会社杰希优

Inventor： 克里斯托弗·科多尼尔 ,  本间英夫

IPC: C23C18/44 ,  C25D3/48

CPC classification number: C25D3/48 ,  C23C18/31 ,  C23C18/44

Abstract: 无氰镀金浴(1)含有金离子与以下的化学式(化1)所表示的化合物。

公开(公告)号：CN106574390A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201480078098.0

申请日：2014-04-25

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 大森隆史 ,  安田弘树 ,  安藤俊介

IPC: C25D7/12 ,  C25D3/38 ,  C25D13/22

CPC classification number: C25D7/12 ,  C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D5/08 ,  C25D5/34

Abstract: 本发明提供一种改变以往的铜镀敷温度、浓度、电流密度等或其他条件，加快对基板上形成的孔或沟进行填充的速度的技术。本发明提供一种以铜镀敷高速填充基板上形成的孔或沟的方法，其特征在于，将形成有孔或沟的基板浸渍于含铜离子、硫酸离子及卤化物离子且为30～70℃的酸性铜镀敷液中，以电流密度3A/dm2以上，使用不溶性电极作为阳极进行镀敷。

公开(公告)号：CN105339372A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201380077750.2

申请日：2013-06-28

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 佐土原大祐 ,  西川贤一 ,  根道靖丈 ,  户田久之 ,  安田弘树 ,  都木新介 ,  约翰·厄尼斯特·克里斯托弗·科多尼尔

IPC: C07F7/04 ,  C08G77/02 ,  C09D183/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供具有以往的水与四烷氧基硅烷的缩合物所不具有的新型功能的硅低聚物，提供下述通式(I)所表示的硅低聚物及其制造方法，(其中，R1～R10分别独立地为碳原子数1～4的烷基或羟烷基，X1～X3分别独立地为下述通式(II)所表示的基团，n为0或1，n为0时m为1～3的整数，n为1时m为1)(其中，A为碳原子数2～4的分支或未分支的亚烷基，l为1～3的整数)。

公开(公告)号：CN102906078B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201080066482.0

申请日：2010-04-30

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 安田弘树 ,  君塚亮一 ,  高须辰治 ,  佐藤琢朗 ,  石塚博士 ,  小合康裕 ,  尾山祐斗 ,  外冈优 ,  小坂美纪子 ,  下村彩 ,  清水由美子

IPC: C07D295/08 ,  C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12

CPC classification number: C07D295/08 ,  C07D295/088 ,  C25D3/38 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898 ,  H05K3/421 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09563

Abstract: 本发明的目的在于，提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法，所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有3个以上缩水甘油醚基的化合物中的缩水甘油醚基的环氧基反应而得的叔胺化合物。

公开(公告)号：CN103205259A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310076691.9

申请日：2013-03-11

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 克里斯托弗·科多尼尔 ,  锅岛三弘 ,  熊谷真吾 ,  高桥直贵

IPC: C09K13/02 ,  C23F1/10 ,  C23F1/32 ,  C03C15/00

CPC classification number: C09K13/02 ,  C03C15/00 ,  C03C17/09 ,  C03C2217/258 ,  C03C2217/259 ,  C03C2218/154 ,  C03C2218/33 ,  C23F1/36 ,  C23F1/38 ,  C23F1/40 ,  C23F1/44

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种选择性蚀刻方法，其为以实用的速度、且与基底基材相比优先选择性蚀刻钛以及其它金属的方法。该方法为一种蚀刻方法，其特征在于，将设于选自玻璃、硅、铜和镍的基底基材上的选自钛、铌、钨、钼、钌、铑、砷、铝和镓中的金属、前述金属的氧化物、前述金属的氮化物、氮化硅、氮化铪、氮化钽或这些的合金的层与本质上含有1种以上络合剂且为碱性的蚀刻液接触，选择性蚀刻选自钛、铌、钨、钼、钌、铑、砷、铝和镓中的金属、前述金属的氧化物、前述金属的氮化物、氮化硅、氮化铪、氮化钽或这些的合金，前述络合剂选自下式（I）和（II）所示的化合物。