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公开(公告)号：CN112981522B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110266111.7
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 一种籽晶偏角导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶的方法，采用一定角度偏转籽晶进行β相氧化镓生长的方法，利用β相氧化镓单晶生长过程中缺陷遗传性高的特点，排出β相氧化镓单晶前表面产生的缺陷，即通过氧化镓籽晶的晶向偏转，改善生长晶体的质量，提高了导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶成晶率，降低了单晶生长成本。
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公开(公告)号：CN114574965B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210482935.2
申请日：2022-05-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种改变氧化镓熔体流动性的原料掺杂方法。方法为：一、取一定量的Ga单质溶于稀盐酸溶液中，形成GaCl3溶液；二、掺杂元素为Li、Na、K中任意一种，按照一定量的Ga单质的质量计算掺杂剂的质量，将掺杂剂放入GaCl3溶液中；三、将GaCl3溶液进行烘干处理，得到干燥的GaCl3固体；四、将GaCl3固体进行烧结，通入动态氧气，使GaCl3固体完全转化为氧化镓；五、将烧结好的氧化镓取出进行球磨，得到粉末状氧化镓原料。采用本发明进行氧化镓单晶生长，使原料完全熔化，且流动性较好，气泡很好地被排除。铱坩埚边缘和底部温度明显降低，铱金损耗相比原有工艺减少40%以上，降低了成本，延长了坩埚寿命。
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公开(公告)号：CN112216602B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202011141093.1
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC: H01L21/268 , H01L21/306 , B23K26/356 , B23K26/60 , B24B1/00 , B24B37/04 , B24B37/30
Abstract: 本发明公开了一种用于锑化铟单晶片的抛光方法。该抛光方法分成两步：先经过激光抛光，然后再进行化学机械抛光。由于采用两步抛光方法，省去了传统单晶片切割后、抛光前常用的研磨过程，提高了抛光效率。利用激光抛光所具有的非接触加工，低损伤加工的特性，使化学机械抛光前的单晶片表面已达到微米级抛光水准，且不存在研磨后残留的划痕，从而使之后化学机械抛光过程不需要达到很高的厚度去除量，大幅度缩短了化学机械抛光时间，激光抛光过程时间最低可缩短至10分钟，配合化学机械抛光，整体抛光时间可控制在30分钟以内。且通过化学机械抛光对锑化铟单晶片进行抛光后，晶片表面实现了全局平坦化，表面粗糙度Ra小于0.3nm。
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公开(公告)号：CN114507899A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210412939.3
申请日：2022-04-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓单晶生长放肩角度的控制方法，控制方法通过控制装置完成，采用称重装置所获得的一个采样周期的晶体质量的增量、拉速等数据来计算该采样周期内的放肩角度，属于采样周期内的局部放肩角度调整；另外通过图像采集装置获得的晶体高度及底边长度来计算放肩角度，属于所生长晶体的整体放肩角度调整；最后将以上两种方法所得到的调整速度取平均值设定给下一个采样周期的生长速度。应用该方法后，氧化镓单晶的放肩过程可以按照预先设定的角度进行连续稳定的放肩，直至等径生长，全单晶的成品率得到提升，获得放肩平缓连续的氧化镓晶体。
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公开(公告)号：CN112981522A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110266111.7
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 一种籽晶偏角导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶的方法，采用一定角度偏转籽晶进行β相氧化镓生长的方法，利用β相氧化镓单晶生长过程中缺陷遗传性高的特点，排出β相氧化镓单晶前表面产生的缺陷，即通过氧化镓籽晶的晶向偏转，改善生长晶体的质量，提高了导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶成晶率，降低了单晶生长成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112126982A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011138796.9
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种快速生长InSb单晶的方法。选取一个InSb单晶晶锭作为引晶晶锭，晶锭底部的宽颈部分直径不小于50mm；对底部进行切磨抛处理：将籽晶方柱上端固定在籽晶杆上，并连接于提拉装置上；将晶体底部的宽颈部位浸入熔体，当底面接触熔体之后缓慢浸入，设定加热功率，待晶体底面和熔体完全融合时，启动提拉装置，初始拉速8‑10mm/h，加热功率降低0.1‑0.4%，待新生晶体达到目标尺寸时，保持加热功率不变，拉速提升至12‑15mm/h，等待晶锭底面和熔体出现融合状态时完成引晶过程。该方法避免籽晶放肩过程中出现孪晶或多晶，在短时间内获得大尺寸InSb单晶，有利于提高InSb单晶的生长效率和成晶率。
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公开(公告)号：CN111893575A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010783301.1
申请日：2020-08-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种递进式改进坩埚压力差的砷锗镉原料合成和单晶生长方法。将砷、锗、镉或砷锗镉原料对应放入原料合成或者单晶生长的第一层坩埚中，然后把第一层坩埚放入第二层坩埚中，计算第一层和第二层坩埚之间的空间体积，按照公式PV=nRT计算，取适当质量的Cd单质放入第一层和第二层坩埚之间。按照相同方法，将第二层坩埚放入第三层坩埚中，取适量Cd单质放入，逐步降低坩埚之间的压力差，保证实验安全。通过该设计，可以分段缓解砷锗镉原料合成或者晶体生长时，生长坩埚的压力，降低实验过程危险性，提高安全系数。该方法可以保证砷锗镉原料合成和单晶生长时操作的安全性。
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公开(公告)号：CN111501097A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010475686.5
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种大晶畴尺寸WS2单晶的生长方法。该方法采用半封闭方式步骤是：将WO3粉末置于石英舟中，将衬底放在石英舟顶部，将石英舟放入半封闭石英管中；将石英管放入系统中进行抽真空，当压力为0mbar时，通入Ar气，压力保持在10-20mbar；对系统进行升温，将温度升至900-1000℃，达到设定温度后对硫粉进行加热，温度为190-250℃；达到设定温度后通入硫蒸汽进行WS2单晶的生长，生长时间为20-50min。采用半封闭方式提高成核以及生长过程中钨源的过饱和度，使得成核生长过程中衬底表面钨源供应充足，保证生长的顺利进行，能够显著增大WS2单晶的晶畴尺寸，利于大晶畴尺寸WS2单晶的生长。
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公开(公告)号：CN106498491B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610939929.X
申请日：2016-11-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法。该装置为两端开口的石英管，在A端水平放置圆柱形支撑结构和衬底；盛放原料的小舟放置在B端，小舟与衬底间距为15~35cm；石英管两端开口处各使用一个带有进气口和出气口的法兰密封。采用该装置可以快速有效的对气相法晶体生长用原料进行提纯。通过采用高温和低温下两次恒温工艺，在一步提纯过程中，即可以去除原料中的低熔点杂质，同时实现高熔点杂质和原料的有效分离。提纯装置采用双法兰的设计保证了腔体内气流的可控性增强，保证了气相法晶体生长的原料的纯度，解决了气相法晶体生长中影响晶体质量和光电性能的关键问题。
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公开(公告)号：CN108930059A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201811149529.4
申请日：2018-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种可补偿镉元素的砷锗镉单晶生长方法，该方法采用VGF生长装置对Cd元素补偿的CdGeAs2单晶的生长过程进行控制，VGF生长装置包括由石英原料坩埚和平底石英坩埚组成的单晶生长坩埚和五温区生长炉，石英原料坩埚部分设为晶体生长区，平底石英坩埚设为元素补偿区，元素补偿区位于单晶生长坩埚的下方，两区域通过生长坩埚侧壁的元素补偿管相连通，将CdGeAs2和Cd原料放进两层的坩埚内，分温区和步骤控制CdGeAs2单晶生长温度，在单晶生长过程中补偿Cd元素，使晶体首尾两端Cd元素均匀分布，解决因为Cd元素不一致导致的单晶性能不统一的问题，增大单晶的有效使用体积，降低CdGeAs2单晶生长成本。
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