一种硅颗粒料中石墨卡瓣杂质的去除方法

    公开(公告)号:CN106269230A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610882714.9

    申请日:2016-10-10

    Abstract: 本发明涉及一种硅颗粒料中石墨卡瓣杂质的去除方法,该方法包括以下步骤:⑴制作电磁铁装置;⑵将电磁铁装置铰接在传动机构一端的底部;⑶设置探测器、硅料输出口、杂质收集箱;⑷启动传动机构并匀速传输硅颗粒料;⑸当探测器探测到硅颗粒料完全落在空腔顶面的正面时,电磁铁电源自动开启;⑹当抗磁力与重力达到平衡时硅颗粒料中的石墨卡瓣稳定悬浮起来;电磁铁装置匀速旋转90度,悬浮的石墨卡瓣落在杂质收集箱里,硅颗粒料落入硅料输出口;⑺探测器探测到没有硅颗粒料时,电磁铁电源自动关闭;电磁铁装置再反方向旋转90度恢复,如此反复直至完成一批硅颗粒料的分拣。本发明工作效率高、节约人力成本。

    一种在线石灰取样检测控制系统

    公开(公告)号:CN110715826A

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201910744602.0

    申请日:2019-08-13

    Abstract: 本发明涉及石灰抽样检测技术领域,特别涉及一种石灰取样检测装置。一种在线石灰取样检测控制系统,包括取样系统、检测系统和控制系统,其特征在于所述取样系统包括设置于石灰输送装置上的螺旋铰刀,与所述螺旋铰刀相连的筛子,所述筛子上设置有称重感应器,所述筛子与取样电机通过皮带相连,所述筛子上方设置有铺平分摊刷子,还包括与所述称重感应器相连的控制系统,所述控制系统与石灰磨机相连,所述检测系统包括与所述取样系统相连的发热量和消化残杂检测器,所述检测系统与所述控制系统相连。本发明提供一种能够实现自动取样,自动检测、实现控制石灰上料,根据石灰检测数据,自动调整后面石灰用量配备的在线取样检测系统。

    多晶硅智能生产方法及系统

    公开(公告)号:CN109978287A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201910410451.5

    申请日:2019-05-17

    Abstract: 本发明公开了一种多晶硅智能生产方法及系统,包括如下步骤:第一,数字化研发设计利用仿真模拟软件对多晶硅生产中的主要设备、核心部件及关联参数进行仿真模拟;第二,智能化控制执行系统运行将仿真模拟分析得到的结果输入到智能化控制执行系统运行;第三,大数据分析通过采集的工艺数据,结合存储的历史生产工艺参数进行比对、人工智能深度计算,得到优化的分析结果;第四,结果输出将优化的分析结果与预定目标值进行比较,根据比较的结果进行输出。本发明实现多晶硅生产的智能控制,高效优化,达到降低消耗,提升质量的目的。

    一种气体放电反应器、气体放电系统及三氯氢硅的制备方法

    公开(公告)号:CN108686597A

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201810470531.5

    申请日:2018-05-16

    Abstract: 本发明提供一种气体放电反应器、气体放电系统及三氯氢硅的制备方法,属于多晶硅生产技术领域。气体放电反应器,包括内电极、外电极、第一电介质和第二电介质,外电极设置于内电极外,第二电介质设置于外电极内,第一电介质设置于内电极和外电极之间,内电极与第一电介质之间形成稀有气体放电腔室,第一电介质与外电极之间形成物料气放电腔室,气体放电反应器具有物料气进口和物料气出口,物料气进口和物料气出口均设置于外电极且连通物料气放电腔室。三氯氢硅的制备方法使用上述气体放电系统的气体放电反应器,在制备过程中将物料气和稀有气体分开,使稀有气体能够循环使用,并可以避免三氯氢硅的污染。

    一种多晶硅还原炉停炉冷却方法及多晶硅还原炉冷却系统

    公开(公告)号:CN107720757B

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201711115989.0

    申请日:2017-11-13

    Abstract: 本发明涉及多晶硅生产技术领域,公开了一种多晶硅还原炉停炉冷却方法及多晶硅还原炉冷却系统。多晶硅还原炉停炉冷却方法是利用被加热后的冷却气体对多晶硅还原炉进行吹扫,冷却气体在多个硅棒之间定向流动并从还原炉周围散逸同时带走热量。冷却气体的温度高于环境温度并低于还原炉中部的硅棒温度。这样经过预热的冷却气体与硅棒或者炉内部件的温差较小(相对环境气体),在冷却过程中不容易产生炸裂。并且冷却气体的吹扫使得硅棒之间具有较快的气体流动,有利于冷却气体从还原炉中部的硅棒之间带走热量。多晶硅还原炉冷却系统包括了非接触式测温仪、加热装置、空气抽运泵、吹气装置以及连通以上各装置的管道。

    一种消除硅芯异常的方法
    57.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106191994B

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201610539047.4

    申请日:2016-07-08

    Abstract: 本发明涉及一种消除硅芯异常的方法,该方法包括对进入炉内的循环氢进行两步预处理,第一步处理为循环氢进入还原炉前用特殊介孔分子筛对循环氢中的三氯氢硅等大分子进行吸收;第二步处理为在还原炉底盘装有涂覆特殊媒介的内件,经特殊介孔分子筛处理的循环氢进入还原炉内后,循环氢中氮气或氧气逐渐富集在炉底盘附近并与特殊媒介逐渐反应生成氮化物或氧化物外壳;特殊介孔分子筛、特殊媒介和氮化物或氧化物外壳不会对产品质量造成影响,从而能有效地解决硅芯异常问题,提高多晶硅产品质量。

    一种三氯氢硅的制备方法
    58.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106882809B

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201710185869.1

    申请日:2017-03-24

    Abstract: 本发明提供一种三氯氢硅的制备方法,属于有机硅和多晶硅的生产技术领域。一种三氯氢硅的制备方法,分别将氢气和聚氯硅烷通入具有催化剂的反应器中反应得到三氯氢硅。将催化剂置于反应器中之前于体积比为0.15~0.25:1的O2和N2气氛中活化4~6h。此方法清洁环保、条件温和、环境安全、能耗较低、工艺简便,易于实现,可实现产业化推广运用。

    一种颗粒硅的生产方法及系统

    公开(公告)号:CN107792857A

    公开(公告)日:2018-03-13

    申请号:CN201711213248.6

    申请日:2017-11-28

    Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域,具体而言,涉及一种颗粒硅的生产方法及系统。本发明的实施例中提供的颗粒硅的生产系统包括颗粒硅晶种制备系统、与颗粒硅晶种制备系统连接的颗粒硅晶种筛分系统、与颗粒硅晶种筛分系统连接的颗粒硅制备系统以及与颗粒硅制备系统连接的颗粒硅筛分系统。本发明的实施例中提供的颗粒硅的生产方法采用闭环循环系统加工颗粒硅,使存在影响多晶硅颗粒的纯度及球度的间隙较小,即便有影响多晶硅颗粒的纯度及球度的现象,也会在两次筛分过程中筛分出去,有效地保证颗粒硅的精度及球度,本发明实施例中提供的颗粒硅的生产方法与上述系统采用相同的技术方案,因此也具备上述的有益效果。

    一种多晶硅还原炉停炉冷却方法及多晶硅还原炉冷却系统

    公开(公告)号:CN107720757A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201711115989.0

    申请日:2017-11-13

    Abstract: 本发明涉及多晶硅生产技术领域,公开了一种多晶硅还原炉停炉冷却方法及多晶硅还原炉冷却系统。多晶硅还原炉停炉冷却方法是利用被加热后的冷却气体对多晶硅还原炉进行吹扫,冷却气体在多个硅棒之间定向流动并从还原炉周围散逸同时带走热量。冷却气体的温度高于环境温度并低于还原炉中部的硅棒温度。这样经过预热的冷却气体与硅棒或者炉内部件的温差较小(相对环境气体),在冷却过程中不容易产生炸裂。并且冷却气体的吹扫使得硅棒之间具有较快的气体流动,有利于冷却气体从还原炉中部的硅棒之间带走热量。多晶硅还原炉冷却系统包括了非接触式测温仪、加热装置、空气抽运泵、吹气装置以及连通以上各装置的管道。

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