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公开(公告)号：CN1815372A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610051390.0
申请日：2006-01-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11
Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法，首先，在衬底101上形成抗蚀膜102。之后在所形成的抗蚀膜102上形成溶剂是水溶性的第一阻挡膜103。接着，在第一阻挡膜103上形成溶剂是乙醇的第二阻挡膜104。接着，在将液体105供到第二阻挡膜104上的状态下透过第一阻挡膜103和第二阻挡膜104用曝光光106有选择地去照射抗蚀膜102而进行图案曝光。接着，除去第一阻挡膜103和第二阻挡膜104后，再对已被图案曝光了的抗蚀膜102进行显像处理，而从抗蚀膜102形成抗蚀图案102a。因此，在湿浸式光刻中，能够提高除去阻挡膜时的溶解性(除去容易性)，形成具有良好的形状的微细图案。
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公开(公告)号：CN1799005A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN02802642.X
申请日：2002-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111
Abstract: 一种具有含以[化1]所表示的单元与以[化2]所表示的单元的基体树脂和酸产生剂的图案形成材料，其中，R1和R3是相同或不同，是氢原子、氯原子、氟原子、烷基或含氟原子烷基；R2是氢原子、烷基、脂环基、芳基、杂环、酯基或醚基，是不由酸而离去的原子或基团；R4是由酸而离去的保护基；m为0～5的整数；a和b满足0＜a＜1、0＜b＜1和0＜a+b≤1。
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公开(公告)号：CN1698182A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000668.0
申请日：2004-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L21/76817 , H01L21/76828
Abstract: 半导体器件的制造方法，包括：使推压面具有凸部的推压构件的推压面推压到流动性膜，在流动性膜形成转印了凸部的第1凹部。其次，在将推压构件推压到流动性膜的状态下，将流动性膜加热到第1温度而使流动性膜固化，形成具有第1凹部的固化膜。其次，将固化膜加热到比第1温度高的第2温度而焙烧固化膜，形成具有第1凹部的焙烧膜。其次，形成具有第二凹部形成用开口部的掩模后，使用掩模对焙烧膜进行蚀刻，在焙烧膜上形成至少与第1凹部连通的第2凹部。在焙烧膜的第1凹部及第2凹部埋入金属材料而形成插塞及金属布线。
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公开(公告)号：CN1637600A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410081724.X
申请日：2004-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/095
Abstract: 一种水溶性材料、化学放大型抗蚀剂以及图形形成方法，在抗蚀膜(102)上形成含有水溶性聚合物、酸生成剂以及形成可包合该酸生成剂的包合物的化合物的水溶性膜(103)。接着，借助水溶性膜(103)，对抗蚀膜(102)照射由NA为0.68的KrF准分子激光器发出的透过掩膜(104)的曝光光(105)，以进行图形曝光。然后，对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)，使用电热板在105℃的温度下烘焙60秒。接着，在用水除去水溶性膜(103)之后，对已烘焙的抗蚀膜(102)进行显影，得到由抗蚀膜(102)的未曝光部构成的具有良好形状的抗蚀图形(102a)。根据本发明可以得到显影时不会生成表面难溶层且具有良好形状的微细化图形。
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公开(公告)号：CN1630035A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410102204.2
申请日：2004-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种使通过化学收缩法得到的抗蚀图形具有良好形状的图形形成方法。首先，对形成在基板上的由含有羧基的抗蚀剂构成的抗蚀膜，照射借助掩膜的曝光光以进行曝光。接着，对曝光的抗蚀膜进行显影，从而从抗蚀膜形成抗蚀图形。接着，在将第1抗蚀图形的表面暴露于添加有还原剂的溶液中之后，在第1抗蚀图形上形成含有与构成第1抗蚀图形的羧基发生交联的交联剂的水溶性膜。接着，加热水溶性膜，使水溶性膜以及第1抗蚀图形中的在该第1抗蚀图形的侧面上连接的部分相互发生交联反应，随后，通过除去水溶性膜的未反应部分，从所述第1抗蚀图形形成其侧面上残留有水溶性膜的第2抗蚀图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1629734A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410102205.7
申请日：2004-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041
Abstract: 本发明提供一种使通过浸渍光刻法得到的抗蚀图形具有良好形状的图形形成方法。在基板(101)上形成抗蚀膜(102)，将形成的抗蚀膜(102)的表面暴露于含有具有亲水基的酸性化合物如醋酸的水溶液(103)中。然后，在暴露于水溶液(103)中的抗蚀膜102上配置浸渍溶液(104)，在此状态下，对抗蚀膜(102)进行选择性曝光光(105)照射二进行图形曝光，接着，对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行显影，从而从抗蚀膜(102)形成抗蚀图形(102a)。
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公开(公告)号：CN1203525C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01805602.4
申请日：2001-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 株式会社PD服务
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。如图2所示，本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)具备由玻璃形成的框架(20)、设在框架(20)的下面上的硅板(15)、设在硅板(15)的下面上的热吸收用掩膜(16)、设在热吸收用掩膜(16)的下面上的硅板(11)和设在硅板(11)的下面上的镂空掩膜(14)。镂空掩膜(14)由硅基片形成，具备为形成感光胶图形的狭缝状的图形用开口(14a)。热吸收用掩膜(16)由覆盖了SiN膜的硅基片形成，具备与镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)几乎相同图形形成的狭缝状开口(16a)。如图3(a)所示，开口(16a)形成的大小不遮蔽形成感光胶图形必须的电子束。即，开口(16a)的大小设置的与图形用开口(14a)的大小一致或开口(16a)稍大。还有，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有贯通框架(20)及硅板(15)、使热吸收用掩膜(16)的上面内形成开口(16a)的区域暴露出来的大开口(20a)。进一步，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有使贯通硅板(11)、热吸收用掩膜(16)的下面内形成开口(16a)的区域和镂空掩膜(14)的上面内形成图形用开口(14a)的区域暴露出来的空洞部(11a)。在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)中，如图3(a)所示，镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)和热吸收用掩膜(16)的开口(16a)沿水平方向位置对准。
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公开(公告)号：CN1617306A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410092387.4
申请日：2004-11-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种半导体制造装置包括：液体供给部分，用于将液体供至所述平台上，所述平台用于保持芯片，抗蚀膜形成在芯片上；曝光部分，所述曝光部分利用设置在所述抗蚀膜上的所述液体、利用通过掩模的曝光用光来照射所述抗蚀膜；以及去除部分，用于从液体中去除包括在所述液体中的气体。这样，已经将气体去除的液体被设置在抗蚀膜上，因此包括在液体中的泡沫或者在曝光期间形成的泡沫能被去除。由此，诸如衍射异常等曝光异常能被防止，从而形成形状良好的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN1592738A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN02823446.4
申请日：2002-11-28
Applicant: 和光纯药工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D409/14 , C07D487/04 , G03F7/039
CPC classification number: C07D209/48 , C07D487/04 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/121
Abstract: 本发明涉及作为在半导体元件等的制造中使用的化学放大型抗蚀剂组合物的酸产生剂或用于耐热性高分子合成原料有用的新的双二酰亚胺化合物，使用它们的酸产生剂和抗蚀剂组合物以及用该组合物的图案形成方法，进一步涉及作为双二酰亚胺化合物的合成中间体，例如耐热性高分子化合物，感光材料等的功能性化合物的中间体等有用的双(N－羟基)苯邻二甲酰亚胺化合物，即提供通式[1]所示的双二酰亚胺化合物，[式中，R，A1分别如权利要求1定义]使用它们的酸产生剂以及抗蚀剂组合物和用该组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN1524200A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN02802641.1
申请日：2002-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/146 , Y10S430/167 , Y10S430/168
Abstract: 一种具有含以[化1]表示的单元的基体树脂和酸产生剂的图案形成材料，(其中，R1是氢原子、氯原子、氟原子、烷基或含氟原子烷基；R2是由酸而离去的保护基。)
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