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公开(公告)号：CN101217175B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810019327.8
申请日：2008-01-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 具有宽谱光发射功能的半导体发光器件结构和制备方法，包括衬底材料，直接生长在衬底上的过渡层和之上的GaN或n-GaN，多层量子阱有源区：具有宽谱光发射功能的氮化物道题量子结构发光层是量子阱结构，由InxGa1-xN阱层和InyGa1-yN垒层构成，其中1＞x＞y≥0，所述的量子阱结构中的x和y在各自层中是空间均匀的；所述的量子阱结构的阱/垒双层重复1-10个周期；顶层氮化物，GaN或p-GaN，所述的顶层氮化物厚0.02-2微米；并含有多重发光中心，多重发光中心可发出包含360-900纳米范围的连续谱发光。氮化物半导体材料是利用金属有机物化学汽相外延(MOCVD)外延生长系统外延生长得到。
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公开(公告)号：CN101364482B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810156068.3
申请日：2008-09-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 可见光铟镓氮基光电化学电池的制备方法，采用MOCVD在α-Al2O3衬底上外延生长单晶取向的GaN支撑层和InxGa1-xN合金层，利用GaN层缓解InGaN层与衬底之间大晶格失配；其中GaN层生长采用两步法，先设置50至100nm厚的低温缓冲层，低温缓冲层生长温度为500至550℃，再将生长温度升高至1100℃，生长1μm至2μm厚GaN支撑层；InxGa1-xN合金层生长温度区间从600至850℃，决定InxGa1-xN合金层中In的组分x，合金组分0≤x≤1，厚度从50nm至500nm，在InxGa1-xN合金薄膜表面淀积1至10μm金属铟形成欧姆接触电极。
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公开(公告)号：CN101289172B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810023437.1
申请日：2008-04-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法，以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底，通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒，该方法简单实用，无需催化剂，在常压下即可进行，且生长的纳米线为六方晶系单晶结构，纳米棒为立方晶系单晶结构，质量高，本发明方法是一种得到立方晶系一维InN纳米结构的有效途径。
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公开(公告)号：CN101752430A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010017259.9
申请日：2010-01-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/872
Abstract: 一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管，肖特基金属电极外围有一层绝缘介质薄膜，将肖特基金属电极延伸到绝缘介质薄膜上方并部分覆盖介质薄膜，即在肖特基电极外围形成一圈金属-绝缘介质层-半导体(MIS)场板结构，所述的场板结构的绝缘介质层包含至少一层具有高介电常数的绝缘材料，其厚度介于0.01-2微米之间，介电常数大于6。欧姆接触层、GaN有源层、绝缘介质场板，肖特基金属电极和欧姆接触电极。使用本发明所述设计的具有高介电常数材料场板的GaN肖特基二极管整流器件，比传统结构器件有着更均匀的电场分布和更大的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN101719971A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910234266.1
申请日：2009-11-18
Applicant: 南京大学
IPC: H04N1/387 , H04N1/393 , H01L31/113
Abstract: 光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法，在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极，设有光电子存储层的光敏复合介质栅MOSFET探测器；光电子读出放大：将探测器的源极和衬底接地，漏极接合适正电压约0.1V，通过调节栅极电压约1～3V使MOSFET探测器工作在线性区；通过对输出漏极电流的直接测量，得到漏极的电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式；复位：在探测器栅极上加负偏压VG，衬底接地；当负偏压足够高，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫P型半导体衬底中；克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100532638C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810098864.6
申请日：2008-05-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 非极性面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中生长，通过选择[1120]的R面蓝宝石做衬底材料，首先，在MOCVD系统中对生长的R面蓝宝石衬底在900-1100℃温度下进行材料热处理，时间为5-60分钟；或然后通入氨气进行表面氮化，在900-1100℃温度下时间为10-120分钟；再在900-1100℃温度范围通入H2和/或N2作为载气、氨气和金属有机镓源作为生长气源；通过控制载气，生长气源气体流量以及生长温度参数，在选择的衬底某晶面的蓝宝石衬底上合成生长非极性面的a面或m面GaN材料。
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公开(公告)号：CN100495017C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510094827.4
申请日：2005-10-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 半导体材料的高温霍尔测量方法，在抽真空条件下进行加温测量半导体材料的参数。测量装置，包括磁场装置、测量控制电路、样品台、真空装置、加热电阻、样品台构成，设有密封容器，将样品台置于密封容器内、密封容器连接抽真空装置，在密封容器内的样品台设有加热电阻并与容器外的温控装置连接，且密封容器置于外加电磁铁的磁场内；样品台上设有电极探针，密封容器盖上设有用于通过电极探针向样品施加电流并测量从样品输出信号的电极引出孔，本发明装置可以在77K到773K温度范围内直接测量出或计算得到半导体样品的一些重要参数。
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公开(公告)号：CN101431017A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810235279.6
申请日：2008-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 改善蓝宝石衬底上GaN厚膜完整性的方法，采用HVPE工艺，包括下述步骤：1)采用的衬底是蓝宝石或Si，2)将上述衬底经过清洗、吹干后，放入HVPE生长系统中，先生长低温GaN缓冲层，缓冲层生长温度550－750℃，生长时间30－300s；3)将生长温度升高至850－950℃，在该温度下进行GaN生长，时间30－300s；4)维持步骤3生长条件开始升温生长，直到生长温度提升至1050－1100℃，继续进行GaN的HVPE生长，直到得到所需厚度的GaN薄膜；5)生长完成后缓慢降温至室温，降温速率不高于10℃/分钟。
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公开(公告)号：CN101429650A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810235277.7
申请日：2008-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 原位制备自支撑氮化镓衬底的方法，采用HVPE生长方式在蓝宝石上生长GaN缓冲层薄膜，反应源材料为金属镓，高纯HCl或三甲基镓或其它有机镓源，载气N2及NH3；生长温度为550－750℃，缓冲层厚度在50nm－1μm；缓冲层生长完成后，关闭HCl气体或三甲基镓气体，在氨气保护下开始升温，升温时间15±4分钟至1000－1100℃生长温度，开始GaN生长直到所需要的厚度；关闭HCl气体，停止生长，在氨气保护下开始降温。降温速率维持在5－20℃/分钟；降温方式温度降至在650－750℃之间时，在该温度区间维持10－30分钟；然后自然降温至室温，即可得到自剥离的自支撑GaN衬底。
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公开(公告)号：CN101353817A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810124751.9
申请日：2008-09-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 凹柱面正三棱柱形的氧化铝纳米线，纳米线的几何构型为：凹柱面正三棱柱；标准正三棱柱的侧面为三个严格相同的平面，标准正三棱柱的横截面为正三角形；凹柱面正三棱柱的侧面为三个严格相同的内凹柱面，该柱面为此凹柱面正三棱柱的外接圆柱面的三分之一。制备方法是，1)配制电解质溶液；2)准备铝衬底：用纯度为99.999％的铝片，电化学抛光，取出铝片用去离子水清洗，氮气吹干；3)改进的阳极氧化法生长凹柱面正三棱柱形氧化铝纳米线：用铝衬底在直流恒电压条件下进行阳极氧化，在铝衬底表面生长凹柱面正三棱柱形氧化铝纳米线；阳极氧化使用的电压为70～90V。
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