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公开(公告)号：CN114690479B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210394664.5
申请日：2022-04-14
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/1335 , G02F1/137 , G01M11/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种液晶几何相位器件及其制备方法、检测装置。液晶几何相位器件包括相对设置的第一基板、第二基板以及位于第一基板和第二基板之间的双手性共存液晶层，双手性共存液晶层包括第一旋向胆甾相液晶和第二旋向胆甾相液晶共存的液晶层；第一基板朝向第二基板的一侧设置有第一取向层，第二基板朝向第一基板的一侧设置有第二取向层。本发明实施例的技术方案，通过第一旋向胆甾相液晶和第二旋向胆甾相液晶形成均匀分布的双手性共存体系，可以突破传统胆甾相液晶的自旋选择性几何相位调控，实现双手性圆偏振光的同时反射及几何相位调制，具体表现为宽波段反射式涡旋光和矢量光的产生。
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公开(公告)号：CN117637813A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311670062.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了Si衬底上一种具有反向掺杂层的高耐压的横向肖特基二极管，其结构自下而上依次包括：p型Si衬底层、成核层、反向掺杂层、缓冲层、沟道层和势垒层，在沟道层和势垒层界面处产生二维电子气，在成核层与缓冲层之间还设有反向掺杂层，所述反向掺杂层为n‑GaN、n‑AlGaN或者n‑GaN/n‑AlGaN组合。本发明在成核层和缓冲层之间生长反向掺杂层，吸收从顶部扩散下来的外加电场，降低到达p型Si衬底界面的电场强度，延缓Si衬底表面反型层的出现，降低通过Si衬底出现的漏电流以及来自Si的感应电荷，专门针对Si衬底上制备的GaN基肖特基二极管器件，提高反向耐压性能；也同时降低来自Si衬底电荷的影响，提高GaN肖特基二极管的开关速度。
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公开(公告)号：CN112259446A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011129338.9
申请日：2020-10-21
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高效制备氮化镓衬底的方法，其特征在于：在硅衬底正反两面上用卤化物气相外延法生长氮化镓厚膜，控制生长条件，使双面氮化镓厚膜的厚度基本相同，酸或碱溶液腐蚀去除硅衬底，可以得到两片氮化镓厚膜衬底。本发明提出了利用硅衬底正反双面同时外延GaN厚膜，控制生长条件使得两面外延的氮化镓厚度相等或相近、分布均匀，这样两面外延的氮化镓对于硅衬底的应力减弱或相互抵消，从而得到高质量低应力GaN厚膜的方法。生长完成后的样品在碱溶液或酸溶液中进行腐蚀即可得到2片氮化镓衬底。
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公开(公告)号：CN112239889A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011129343.X
申请日：2020-10-21
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化物气相外延生长系统的气路系统，包括第一HCl导管，N2导管和NH3导管，第一HCl导管通到镓舟处，还包括第二HCl导管，通到接近镓舟区域出口处的位置。并公开了含有该气路系统的卤化物气相外延生长系统，以及减缓卤化物气相外延生长系统中管壁沉积氮化镓的方法。在镓舟区域增加一路HCl到接近出口处，与低温区反应后的GaCl混合，再进行输运，该HCl与GaCl混合气体通过出口处的石英管时，HCl会与管壁上预反应沉积的GaN发生腐蚀反应，减缓管壁沉积，从而不会因管内径缩小导致生长速率和均匀性大幅下降。腐蚀反应生成产物为GaCl，也会提高输运到衬底上方的反应物浓度，保持衬底上GaN生长的长时间高稳定速率，并且提高镓利用率。
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公开(公告)号：CN110335924B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910546752.0
申请日：2019-06-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非极性、半极性面的可见光通信光源及相应的图形蓝宝石衬底，选取一蓝宝石衬底加工出光栅状条形图案；在刻蚀工艺中讲台阶侧壁的角度进行优化，优化下一步的生长面角度；在此图形化蓝宝石衬底设计阻挡层，采用氧化硅薄膜作为外延阻挡层；利用化学气相外延法依次生长GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层，并公开了其生长方法。本发明利用非/半极性面在Ⅲ族氮化物极化调控上的优势减弱量子限制斯托克效应的影响，增加电子‑空穴波函数在实空间上的交叠，提高载流子的辐射复合占比和速率，该方法适用于利用非极性、半极性面技术有效提高可见光通信性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111564540A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010428517.6
申请日：2020-05-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种一种高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列，在InGaN量子阱LED外延片上刻蚀形成蚀穿p型层、多量子阱层，深至n型层的纳米柱阵列，其特征在于：所述InGaN量子阱LED外延片分隔成四个区域，每个区域中的纳米柱阵列的直径一致，不同区域的纳米柱阵列的直径不同。并公开了其制备方法。本发明的高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列，在一个器件上划分成直径大小不同的四个区域，实现了不同直径和不同载流子寿命的微纳LED器件在同一衬底上的物理集成。器件自身的少数载流子寿命较小，响应速度更快，切换时间很短，因此可以作为响应时间短、刷新频率高的高速LED器件阵列。
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公开(公告)号：CN109616563A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811513203.5
申请日：2018-12-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种背电极通孔UVC半导体发光二极管，包括基于外延的UVC发光二极管结构，在n型层内设多个垂直通孔，n型金属电极分布在通孔中。并公开了其制备方法。本发明采用采用工艺简单、低损伤、高效出光的三维光散射结构，n型金属电极在二极管内部分布的孔中，每一个金属电极柱都是反射镜，实现最大程度的平面内光散射，大大增强了器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN109023516A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811022456.2
申请日：2018-09-03
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B25/183 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了一种制备自支撑氮化镓衬底的自分离方法，其步骤包括：在蓝宝石衬底上生长厚度范围在0.1‑1微米且分布均匀的氧化镓薄膜；在氨气气氛中对薄膜进行全部氮化，形成网格状分布的多孔氮化镓薄膜；在该多孔氮化镓薄膜上进行氮化镓厚膜的卤化物气相外延生长，获得低应力高质量氮化镓厚膜；外延完成后，降温至室温，外延氮化镓厚膜与蓝宝石衬底之间自然分离，得到自支撑氮化镓厚膜。
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公开(公告)号：CN105137659B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201510574903.5
申请日：2015-09-10
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/1337 , G02B5/30
Abstract: 本发明实施例公开了一种液晶q波片及其制备方法。该液晶q波片包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层；其中，第一基板与第二基板之间设置有间隔粒子，以支撑液晶层；第一基板和第二基板近邻液晶层的一侧设置有光控取向膜，光控取向膜具有分子指向矢环绕中心奇点呈周期性渐变分布的控制图形，在以中心奇点为原点的极坐标系中，环绕奇点，控制图形在极轴上的初始分子指向矢角度和/或q值按照预设的规律变化，控制图形控制液晶分子指向矢环绕中心奇点呈周期性渐变分布。本发明实施例的技术方案实现了波片结构更为复杂，光束整形效果更为多样的效果。
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公开(公告)号：CN107611004A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710691390.5
申请日：2017-08-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备自支撑GaN衬底材料的方法，在衬底如蓝宝石或硅片上用水热法生长氧化镓纳米柱有序阵列，并在氨气气氛中对氧化镓纳米柱进行部分或全部氮化形成氮化镓包覆氧化镓即GaN@Ga2O3或者GaN纳米柱有序阵列；在上述含有GaN纳米柱有序阵列的衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)横向外延和厚膜生长，获得低应力高质量的GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即可获得自支撑GaN衬底材料；或者利用氧化镓/氮化镓与异质衬底如蓝宝石之间的热应力，采用控制降温速率的方法实现纳米柱与蓝宝石衬底的原位自分离获得GaN衬底材料。
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